Kabidi ya silicon (SiC) ni nyenzo mpya ya semiconductor ya kiwanja. Kabidi ya silicon ina pengo kubwa la bendi (karibu mara 3 ya silicon), nguvu ya uwanja muhimu (karibu mara 10 ya silicon), upitishaji wa joto la juu (karibu mara 3 ya silicon). Ni nyenzo muhimu ya semiconductor ya kizazi kijacho. Mipako ya SiC hutumika sana katika tasnia ya semiconductor na photovoltaics ya jua. Hasa, vizuizi vinavyotumika katika ukuaji wa epitaxial wa LED na epitaxy ya fuwele moja ya Si vinahitaji matumizi ya mipako ya SiC. Kutokana na mwelekeo mkubwa wa kupanda kwa LED katika tasnia ya taa na maonyesho, na maendeleo makubwa ya tasnia ya semiconductor,Bidhaa ya mipako ya SiCmatarajio ni mazuri sana.
ENEO LA MAOMBI
Usafi, Muundo wa SEM, uchambuzi wa unene waMipako ya SiC
Usafi wa mipako ya SiC kwenye grafiti kwa kutumia CVD ni wa juu kama 99.9995%. Muundo wake ni fcc. Filamu za SiC zilizopakwa grafiti zimeelekezwa (111) kama inavyoonyeshwa kwenye data ya XRD (Mchoro 1) ikionyesha ubora wake wa juu wa fuwele. Unene wa filamu ya SiC ni sawa sana kama inavyoonyeshwa kwenye Mchoro 2.
Mchoro 2: unene sawa wa filamu za SiC SEM na XRD ya filamu ya beta-SiC kwenye grafiti
Data ya SEM ya filamu nyembamba ya CVD SiC, saizi ya fuwele ni 2 ~ 1 Opm
Muundo wa fuwele wa filamu ya CVD SiC ni muundo wa mchemraba unaozingatia uso, na mwelekeo wa ukuaji wa filamu uko karibu 100%
Kabidi ya silikoni (SiC) iliyofunikwamsingi ndio msingi bora wa silikoni moja ya fuwele na epitaksi ya GaN, ambayo ni sehemu kuu ya tanuru ya epitaksi. Msingi ni nyongeza muhimu ya uzalishaji wa silikoni moja ya fuwele kwa saketi kubwa zilizounganishwa. Ina usafi wa juu, upinzani wa halijoto ya juu, upinzani wa kutu, ugumu mzuri wa hewa na sifa zingine bora za nyenzo.
Matumizi na matumizi ya bidhaa
Mipako ya msingi wa grafiti kwa ukuaji wa epitaxial ya silikoni ya fuwele moja Inafaa kwa mashine za Aixtron, nk. Unene wa mipako: 90~150um. Kipenyo cha kreta ya wafer ni 55mm.
Muda wa chapisho: Machi-14-2022