സോളാർ ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്ക് ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ

ശുദ്ധത, SEM ഘടന, കനം വിശകലനംSiC കോട്ടിംഗ്

CVD ഉപയോഗിച്ച് ഗ്രാഫൈറ്റിൽ പൂശുന്ന SiC കോട്ടിംഗുകളുടെ പരിശുദ്ധി 99.9995% വരെ ഉയർന്നതാണ്. ഇതിന്റെ ഘടന fcc ആണ്. ഗ്രാഫൈറ്റിൽ പൂശുന്ന SiC ഫിലിമുകൾ (111) ഓറിയന്റഡ് ആണ്, ഇത് XRD ഡാറ്റയിൽ (ചിത്രം 1) കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ അതിന്റെ ഉയർന്ന ക്രിസ്റ്റലിൻ ഗുണനിലവാരത്തെ സൂചിപ്പിക്കുന്നു. ചിത്രം 2 ൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ SiC ഫിലിമിന്റെ കനം വളരെ ഏകതാനമാണ്.

ചിത്രം 2: ഗ്രാഫൈറ്റിലെ ബീറ്റാ-SiC ഫിലിമിന്റെ SEM, XRD എന്നിവയുടെ SIM ഫിലിമുകളുടെ കനം യൂണിഫോം.

CVD SiC നേർത്ത ഫിലിമിന്റെ SEM ഡാറ്റ, ക്രിസ്റ്റൽ വലുപ്പം 2~1 Opm ആണ്

CVD SiC ഫിലിമിന്റെ ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന ഒരു മുഖം കേന്ദ്രീകരിച്ചുള്ള ക്യൂബിക് ഘടനയാണ്, കൂടാതെ ഫിലിം വളർച്ചാ ഓറിയന്റേഷൻ 100% ന് അടുത്താണ്.

സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (SiC) പൂശിയിരിക്കുന്നത്സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ സിലിക്കണിനും എപ്പിറ്റാക്സി ഫർണസിന്റെ പ്രധാന ഘടകമായ GaN എപ്പിറ്റാക്സിക്കും ഏറ്റവും മികച്ച ബേസ് ആണ് ബേസ്. വലിയ ഇന്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ടുകൾക്കുള്ള മോണോക്രിസ്റ്റലിൻ സിലിക്കണിനുള്ള ഒരു പ്രധാന ഉൽ‌പാദന അനുബന്ധമാണ് ബേസ്. ഇതിന് ഉയർന്ന പരിശുദ്ധി, ഉയർന്ന താപനില പ്രതിരോധം, നാശന പ്രതിരോധം, നല്ല വായു ഇറുകിയത, മറ്റ് മികച്ച മെറ്റീരിയൽ സവിശേഷതകൾ എന്നിവയുണ്ട്.

ഉൽപ്പന്ന പ്രയോഗവും ഉപയോഗവും

സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ സിലിക്കൺ എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വളർച്ചയ്ക്കുള്ള ഗ്രാഫൈറ്റ് ബേസ് കോട്ടിംഗ് ഐക്സ്ട്രോൺ മെഷീനുകൾക്ക് അനുയോജ്യം മുതലായവ. കോട്ടിംഗ് കനം: 90~150um. വേഫർ ഗർത്തത്തിന്റെ വ്യാസം 55 മിമി ആണ്.