Silikon karbida (SiC) adalah material semikonduktor senyawa baru. Silikon karbida memiliki celah pita yang besar (sekitar 3 kali silikon), kekuatan medan kritis yang tinggi (sekitar 10 kali silikon), dan konduktivitas termal yang tinggi (sekitar 3 kali silikon). Ini adalah material semikonduktor generasi berikutnya yang penting. Lapisan SiC banyak digunakan dalam industri semikonduktor dan fotovoltaik surya. Secara khusus, susseptor yang digunakan dalam pertumbuhan epitaksial LED dan epitaksi kristal tunggal Si memerlukan penggunaan lapisan SiC. Karena tren peningkatan yang kuat dari LED dalam industri penerangan dan tampilan, dan perkembangan pesat industri semikonduktor,Produk pelapis SiCProspeknya sangat bagus.
BIDANG APLIKASI
Kemurnian, Struktur SEM, analisis ketebalanLapisan SiC
Kemurnian lapisan SiC pada grafit dengan menggunakan CVD mencapai 99,9995%. Strukturnya adalah fcc. Film SiC yang dilapisi pada grafit berorientasi (111) seperti yang ditunjukkan pada data XRD (Gambar 1), yang mengindikasikan kualitas kristalnya yang tinggi. Ketebalan film SiC sangat seragam seperti yang ditunjukkan pada Gambar 2.
Gambar 2: Ketebalan seragam film SiC, SEM dan XRD film beta-SiC pada grafit
Data SEM film tipis SiC CVD, ukuran kristalnya adalah 2~1 μm.
Struktur kristal film SiC CVD adalah struktur kubik berpusat muka, dan orientasi pertumbuhan film mendekati 100%.
dilapisi silikon karbida (SiC)Basis ini adalah basis terbaik untuk epitaksi silikon kristal tunggal dan GaN, yang merupakan komponen inti dari tungku epitaksi. Basis ini merupakan aksesori produksi utama untuk silikon monokristal untuk sirkuit terpadu besar. Basis ini memiliki kemurnian tinggi, ketahanan suhu tinggi, ketahanan korosi, kedap udara yang baik, dan karakteristik material unggul lainnya.
Aplikasi dan penggunaan produk
Lapisan dasar grafit untuk pertumbuhan epitaksial silikon kristal tunggal. Cocok untuk mesin Aixtron, dll. Ketebalan lapisan: 90~150um. Diameter kawah wafer adalah 55mm.
Waktu posting: 14 Maret 2022