Piikarbidi (SiC) on uusi yhdistetty puolijohdemateriaali. Piikarbidilla on suuri energiaväli (noin 3 kertaa pii), korkea kriittinen kentänvoimakkuus (noin 10 kertaa pii) ja korkea lämmönjohtavuus (noin 3 kertaa pii). Se on tärkeä seuraavan sukupolven puolijohdemateriaali. Piikarbidipinnoitteita käytetään laajalti puolijohdeteollisuudessa ja aurinkosähkössä. Erityisesti LEDien epitaksiaalisessa kasvussa ja piin yksittäiskiteiden epitaksiassa käytettävät suskeptorit vaativat piikarbidipinnoitteen käyttöä. LEDien voimakkaan nousutrendin vuoksi valaistus- ja näyttöteollisuudessa sekä puolijohdeteollisuuden voimakkaan kehityksen vuoksi...SiC-pinnoitetuotenäkymät ovat erittäin hyvät.
SOVELLUSALUE
Puhtaus, SEM-rakenne, paksuusanalyysiSiC-pinnoite
CVD-menetelmällä grafiitille valmistetuilla piikarbidipinnoitteilla saavutetaan jopa 99,9995 %:n puhtaus. Pinnoitteiden rakenne on fcc. Grafiitille pinnoitetut piikarbidikalvot ovat (111)-orientoituneita, kuten XRD-datasta (kuva 1) käy ilmi, mikä osoittaa niiden korkeaa kiteistä laatua. Piikarbidikalvon paksuus on hyvin tasainen, kuten kuvassa 2 on esitetty.
Kuva 2: SiC-kalvojen paksuuden tasaisuus. Beeta-SiC-kalvon SEM- ja XRD-kuvaus grafiitilla.
CVD-siikarbidi-ohutkalvon SEM-tiedot, kidekoko on 2–1 Opm
CVD-SiC-kalvon kiderakenne on pintakeskeinen kuutiollinen rakenne, ja kalvon kasvusuunta on lähes 100 %.
Piikarbidipinnoite (SiC)Pohja on paras pohja yksikiteiselle piille ja GaN-epitaksiaan, joka on epitaksiauunin ydinosa. Pohja on tärkeä tuotantoapuväline yksikiteiselle piille suurissa integroiduissa piireissä. Sillä on korkea puhtausaste, korkea lämmönkestävyys, korroosionkestävyys, hyvä ilmatiiviys ja muita erinomaisia materiaaliominaisuuksia.
Tuotteen käyttö ja levitys
Grafiittipohjainen pinnoite piikiekon epitaksiaaliseen kasvuun. Sopii Aixtron-koneille jne. Pinnoitteen paksuus: 90–150 μm. Kiekkokraatterin halkaisija on 55 mm.
Julkaisun aika: 14.3.2022