Silikon karbida (SiC) minangka bahan semikonduktor senyawa anyar. Silikon karbida nduweni celah pita sing gedhe (udakara 3 kali silikon), kekuatan medan kritis sing dhuwur (udakara 10 kali silikon), konduktivitas termal sing dhuwur (udakara 3 kali silikon). Iki minangka bahan semikonduktor generasi sabanjure sing penting. Lapisan SiC digunakake sacara wiyar ing industri semikonduktor lan fotovoltaik surya. Utamane, suseptor sing digunakake ing pertumbuhan epitaksial LED lan epitaksi kristal tunggal Si mbutuhake panggunaan lapisan SiC. Amarga tren munggah sing kuwat saka LED ing industri pencahayaan lan tampilan, lan perkembangan industri semikonduktor sing kuat,Produk lapisan SiCprospek apik banget.
BIDANG APLIKASI
Kemurnian, Struktur SEM, analisis kekandelanLapisan SiC
Kemurnian lapisan SiC ing grafit kanthi nggunakake CVD dhuwure nganti 99,9995%. Strukture fcc. Film SiC sing dilapisi ing grafit duwe orientasi (111) kaya sing dituduhake ing data XRD (Gambar 1) sing nuduhake kualitas kristal sing dhuwur. Kekandelan film SiC seragam banget kaya sing dituduhake ing Gambar 2.
Gambar 2: seragam kekandelan film SiC SEM lan XRD film beta-SiC ing grafit
Data SEM saka film tipis CVD SiC, ukuran kristal yaiku 2 ~ 1 Opm
Struktur kristal film CVD SiC minangka struktur kubik sing berpusat ing rai, lan orientasi pertumbuhan film cedhak karo 100%
Dilapisi silikon karbida (SiC)Basis minangka basis paling apik kanggo silikon kristal tunggal lan epitaksi GaN, sing minangka komponen inti saka tungku epitaksi. Basis minangka aksesoris produksi utama kanggo silikon monokristalin kanggo sirkuit terpadu gedhe. Basis iki nduweni kemurnian dhuwur, tahan suhu dhuwur, tahan korosi, kedap udara sing apik lan karakteristik bahan liyane sing apik banget.
Aplikasi lan panggunaan produk
Lapisan dasar grafit kanggo pertumbuhan epitaksial silikon kristal tunggalCocok kanggo mesin Aixtron, lsp.Kekandelan lapisan: 90~150umDiameter kawah wafer yaiku 55mm.
Wektu kiriman: 14 Maret 2022