सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) हा एक नवीन संयुक्त अर्धसंवाहक पदार्थ आहे. सिलिकॉन कार्बाइडमध्ये मोठा बँड गॅप (सिलिकॉनच्या सुमारे ३ पट), उच्च क्रांतिकारक क्षेत्र सामर्थ्य (सिलिकॉनच्या सुमारे १० पट) आणि उच्च औष्णिक वाहकता (सिलिकॉनच्या अंदाजे ३ पट) असते. हा एक महत्त्वाचा पुढच्या पिढीचा अर्धसंवाहक पदार्थ आहे. SiC लेपनांचा वापर अर्धसंवाहक उद्योगात आणि सौर फोटोव्होल्टाइक्समध्ये मोठ्या प्रमाणावर केला जातो. विशेषतः, LEDs च्या एपिटॅक्सियल वाढीमध्ये आणि Si सिंगल क्रिस्टल एपिटॅक्सीमध्ये वापरल्या जाणाऱ्या ससेप्टर्सना SiC लेपनाची आवश्यकता असते. प्रकाश आणि डिस्प्ले उद्योगात LEDs च्या वाढत्या लोकप्रियतेमुळे आणि अर्धसंवाहक उद्योगाच्या जोरदार विकासामुळे,एसआयसी कोटिंग उत्पादनभविष्य खूप उज्ज्वल आहे.
अर्ज क्षेत्र
शुद्धता, SEM संरचना, जाडीचे विश्लेषणSiC कोटिंग
सीव्हीडी (CVD) वापरून ग्रॅफाइटवर केलेल्या एसआयसी (SiC) लेपनाची शुद्धता ९९.९९९५% इतकी उच्च आहे. त्याची संरचना एफसीसी (fcc) आहे. एक्सआरडी (XRD) डेटामध्ये (आकृती १) दाखवल्याप्रमाणे, ग्रॅफाइटवर लेपित केलेले एसआयसी फिल्म्स (१११) अभिमुख आहेत, जे त्याची उच्च स्फटिक गुणवत्ता दर्शवते. आकृती २ मध्ये दाखवल्याप्रमाणे, एसआयसी फिल्मची जाडी अतिशय एकसमान आहे.
आकृती २: ग्राफाइटवरील बीटा-SiC फिल्मची एकसमान जाडी, SEM आणि XRD
CVD SiC पातळ फिल्मचा SEM डेटा, स्फटिकाचा आकार २~१ Opm आहे.
CVD SiC फिल्मची स्फटिक संरचना ही फलक-केंद्रित घन संरचना आहे, आणि फिल्मच्या वाढीची दिशा जवळपास १००% असते.
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपितसिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन आणि GaN एपिटॅक्सीसाठी बेस हा सर्वोत्तम बेस आहे, जो एपिटॅक्सी फर्नेसचा मुख्य घटक आहे. मोठ्या इंटिग्रेटेड सर्किट्ससाठी मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉनकरिता बेस हे एक महत्त्वाचे उत्पादन साधन आहे. यात उच्च शुद्धता, उच्च तापमान प्रतिरोध, गंज प्रतिरोध, चांगली हवा-रोधकता आणि इतर उत्कृष्ट भौतिक वैशिष्ट्ये आहेत.
उत्पादनाचा वापर आणि अनुप्रयोग
सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन एपिटॅक्सियल वाढीसाठी ग्रॅफाइट बेस कोटिंग. आयक्स्ट्रॉन मशीन इत्यादींसाठी उपयुक्त. कोटिंगची जाडी: ९०~१५० मायक्रॉन. वेफर क्रेटरचा व्यास ५५ मिमी आहे.
पोस्ट करण्याची वेळ: १४ मार्च २०२२