Silicijev karbid (SiC) je nov sestavljeni polprevodniški material. Silicijev karbid ima veliko pasovno vrzel (približno 3-krat večjo od silicija), visoko kritično poljsko jakost (približno 10-krat večjo od silicija) in visoko toplotno prevodnost (približno 3-krat večjo od silicija). Je pomemben polprevodniški material naslednje generacije. SiC prevleke se pogosto uporabljajo v polprevodniški industriji in sončni fotovoltaiki. Zlasti susceptorji, ki se uporabljajo pri epitaksialni rasti LED diod in epitaksiji monokristalov Si, zahtevajo uporabo SiC prevleke. Zaradi močnega naraščajočega trenda LED diod v industriji razsvetljave in prikazovalnikov ter živahnega razvoja polprevodniške industrije,Izdelek za premaz SiCobeti so zelo dobri.
PODROČJE UPORABE
Čistost, SEM struktura, analiza debelineSiC premaz
Čistost SiC prevlek na grafitu, pridobljenih s CVD, doseže kar 99,9995 %. Njihova struktura je fcc. Filmi SiC, naneseni na grafit, so orientirani (111), kot je razvidno iz podatkov XRD (slika 1), kar kaže na njihovo visoko kristalno kakovost. Debelina filma SiC je zelo enakomerna, kot je prikazano na sliki 2.
Slika 2: enakomerna debelina SiC filmov SEM in XRD beta-SiC filma na grafitu
SEM podatki tanke plasti CVD SiC, velikost kristalov je 2~1 Opm
Kristalna struktura CVD SiC filma je ploskovno centrirana kubična struktura, orientacija rasti filma pa je blizu 100 %.
Prevlečen s silicijevim karbidom (SiC)Osnova je najboljša osnova za monokristalni silicij in epitaksijo GaN, ki je osrednja komponenta epitaksijske peči. Osnova je ključni proizvodni pripomoček za monokristalni silicij za velika integrirana vezja. Ima visoko čistost, visoko temperaturno odpornost, odpornost proti koroziji, dobro zrakotesnost in druge odlične lastnosti materiala.
Uporaba in uporaba izdelka
Grafitni osnovni premaz za epitaksialno rast monokristalnega silicija. Primerno za stroje Aixtron itd. Debelina premaza: 90~150 μm. Premer kraterja rezine je 55 mm.
Čas objave: 14. marec 2022