Siliziumkarbid (SiC) ass en neit Verbindungs-Hallefleitmaterial. Siliziumkarbid huet eng grouss Bandlück (ongeféier 3-fach Silizium), eng héich kritesch Feldstäerkt (ongeféier 10-fach Silizium), eng héich Wärmeleitfäegkeet (ongeféier 3-fach Silizium). Et ass e wichtegt Hallefleitmaterial vun der nächster Generatioun. SiC-Beschichtunge gi wäit verbreet an der Hallefleitindustrie a Solarphotovoltaik benotzt. Besonnesch d'Suszeptoren, déi beim epitaktischen Wuesstum vun LEDs an der Si-Eenkristall-Epitaxie benotzt ginn, erfuerderen d'Benotzung vun enger SiC-Beschichtung. Wéinst dem staarken Opstig vun LEDs an der Beliichtungs- an Displayindustrie, an der kräfteger Entwécklung vun der Hallefleitindustrie,SiC-Beschichtungsproduktd'Aussichten si ganz gutt.
Uwendungsberäich
Rengheet, SEM Struktur, Décktanalyse vunSiC-Beschichtung
D'Reinheet vun de SiC-Beschichtungen op Graphit duerch CVD ass bis zu 99,9995% héich. Seng Struktur ass fcc. D'SiC-Filmer, déi op Graphit beschichtet sinn, sinn (111)-orientéiert, wéi an den XRD-Donnéeën (Fig. 1) gewisen, wat op seng héich kristallin Qualitéit hiweist. D'Déckt vum SiC-Film ass ganz gläichméisseg, wéi an der Fig. 2 gewisen.
Fig. 2: Décktuniform vu SiC-Filmer SEM an XRD vu Beta-SiC-Filmer op Graphit
SEM-Donnéeën vun CVD SiC Dënnfilm, d'Kristallgréisst ass 2~1 Opm
D'Kristallstruktur vum CVD SiC-Film ass eng flächenzentréiert kubesch Struktur, an d'Wuesstumsorientéierung vum Film ass no bei 100%
Mat Siliziumkarbid (SiC) beschichtetD'Basis ass déi bescht Basis fir Eenkristallsilizium a GaN-Epitaxie, déi den Haaptkomponent vum Epitaxieuewen ass. D'Basis ass e wichtegt Produktiounsaccessoire fir monokristallint Silizium fir grouss integréiert Schaltungen. Si huet eng héich Rengheet, héich Temperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, gutt Loftdichtheet an aner exzellent Materialeigenschaften.
Produktapplikatioun a Gebrauch
Grafitbasisbeschichtung fir epitaktesch Wuesstem aus Eenkristallsilizium. Gëeegent fir Aixtron-Maschinnen, etc. Beschichtungsdicke: 90~150µm. Den Duerchmiesser vum Waferkrater ass 55mm.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 14. Mäerz 2022