Silicon carbide (SiC) là một vật liệu bán dẫn hợp chất mới. Silicon carbide có khe năng lượng lớn (khoảng 3 lần silicon), cường độ điện trường tới hạn cao (khoảng 10 lần silicon), độ dẫn nhiệt cao (khoảng 3 lần silicon). Đây là một vật liệu bán dẫn thế hệ tiếp theo quan trọng. Lớp phủ SiC được sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp bán dẫn và quang điện mặt trời. Đặc biệt, các chất hấp thụ được sử dụng trong quá trình tăng trưởng epitaxy của đèn LED và epitaxy tinh thể đơn Si yêu cầu sử dụng lớp phủ SiC. Do xu hướng tăng mạnh của đèn LED trong ngành chiếu sáng và màn hình, cùng với sự phát triển mạnh mẽ của ngành công nghiệp bán dẫn,Sản phẩm phủ SiCTriển vọng rất tốt.
LĨNH VỰC ỨNG DỤNG
Độ tinh khiết, cấu trúc SEM, phân tích độ dày củaLớp phủ SiC
Độ tinh khiết của lớp phủ SiC trên than chì bằng phương pháp CVD đạt tới 99,9995%. Cấu trúc của nó là fcc. Màng SiC phủ trên than chì có định hướng (111) như thể hiện trong dữ liệu XRD (Hình 1), cho thấy chất lượng tinh thể cao. Độ dày của màng SiC rất đồng đều như thể hiện trong Hình 2.
Hình 2: Độ dày đồng nhất của màng SiC. Ảnh SEM và XRD của màng beta-SiC trên than chì.
Ảnh SEM của màng mỏng SiC CVD, kích thước tinh thể là 2~1 μm.
Cấu trúc tinh thể của màng SiC CVD là cấu trúc lập phương tâm mặt, và hướng phát triển của màng gần như đạt 100%.
Lớp phủ cacbua silic (SiC)Đế là chất nền tốt nhất cho quá trình epitaxy silicon đơn tinh thể và GaN, là thành phần cốt lõi của lò epitaxy. Đế là phụ kiện sản xuất quan trọng cho silicon đơn tinh thể dùng trong các mạch tích hợp lớn. Nó có độ tinh khiết cao, khả năng chịu nhiệt cao, chống ăn mòn, độ kín khí tốt và các đặc tính vật liệu tuyệt vời khác.
Ứng dụng và cách sử dụng sản phẩm
Lớp phủ nền than chì dùng cho quá trình tăng trưởng màng mỏng silicon đơn tinh thể. Thích hợp cho máy Aixtron, v.v. Độ dày lớp phủ: 90~150µm. Đường kính miệng hố trên wafer là 55mm.
Thời gian đăng bài: 14/03/2022