Silicio karbidas (SiC) yra nauja sudėtinė puslaidininkinė medžiaga. Silicio karbidas pasižymi didele draudžiamąja juosta (maždaug 3 kartus didesne nei silicis), dideliu kritinio lauko stipriu (maždaug 10 kartų didesne nei silicis) ir dideliu šilumos laidumu (maždaug 3 kartus didesne nei silicis). Tai svarbi naujos kartos puslaidininkinė medžiaga. SiC dangos plačiai naudojamos puslaidininkių pramonėje ir saulės fotovoltinėje medžiagoje. Visų pirma, SiC dangą reikia naudoti susceptoriams, naudojamiems šviesos diodų epitaksijoje ir Si monokristalų epitaksijoje. Dėl stiprios šviesos diodų populiarumo apšvietimo ir ekranų pramonėje bei sparčios puslaidininkių pramonės plėtros,SiC dangos produktasperspektyvos labai geros.
TAIKYMO SRITIS
Grynumas, SEM struktūra, storio analizėSiC danga
CVD metodu ant grafito dengtų SiC dangų grynumas siekia net 99,9995 %. Jo struktūra yra fcc. Ant grafito padengtos SiC plėvelės yra (111) orientuotos, kaip parodyta rentgeno spindulių difrakcijos (1 pav.) duomenyse, o tai rodo aukštą kristalinę kokybę. SiC plėvelės storis yra labai vienodas, kaip parodyta 2 pav.
2 pav.: SiC plėvelių storio vienodumas. Beta-SiC plėvelės ant grafito SEM ir XRD tyrimai.
CVD SiC plonos plėvelės SEM duomenys, kristalų dydis yra 2–1 Opm
CVD SiC plėvelės kristalinė struktūra yra centruota kubinė struktūra, o plėvelės augimo orientacija yra artima 100 %.
Silicio karbido (SiC) dangaPagrindas yra geriausias monokristalinio silicio ir GaN epitaksijos pagrindas, kuris yra pagrindinis epitaksijos krosnies komponentas. Pagrindas yra pagrindinis monokristalinio silicio, skirto dideliems integriniams grandynams, gamybos priedas. Jis pasižymi dideliu grynumu, atsparumu aukštai temperatūrai, atsparumu korozijai, geru sandarumu ir kitomis puikiomis medžiagos savybėmis.
Produkto naudojimas ir pritaikymas
Grafito pagrindo danga monokristalio silicio epitaksiniam augimui. Tinka „Aixtron“ mašinoms ir kt. Dangos storis: 90–150 μm. Plokštelės kraterio skersmuo yra 55 mm.
Įrašo laikas: 2022 m. kovo 14 d.