Akụkụ Epitaxial SiC

Mkpuchi CVD dị elu maka uto SiC Epitaxial

E mere ya maka usoro ngwaọrụ semiconductor ike dị elu nke na-arụ ọrụ n'okpuru nrụgide okpomọkụ dị oke njọ (1500°C - 1700°C), e wuru ihe ndị na-egbochi mbara ala anyị nke CVD SiC na TaC, diski satịlaịtị, na ihe ndị na-egbochi gas ka ha dị mma. Emebere ya iji gbochie mmepụta ihe dị iche iche, mmebi elu, na itching gas reactive (H₂, SiH₄, C₃H∯), mkpuchi anyị dị elu na-eme ka ọrụ dị ogologo, njikwa dopant dị elu, na nha nhata nke ihe nkiri n'ofe.Wafers epitaxial SiC nke dị sentimita isii na sentimita asatọ.

Okpomọkụ Dị Elu nke Uhie

Ọ na-adịgide ruo 1700°C n'ebe dị oke njọ na-ebelata H₂/silane.

Ndakọrịta nke Gradient CTE

Na-ewepụ ihe mkpuchi nke na-agbaji akpụkpọ ahụ, obere mgbawa, na mgbawa n'oge usoro okpomọkụ ngwa ngwa.

Njikere nke nha Wafer nke Inch 8

Nhazi CNC nke ọma ahaziri maka ndị na-emepụta SiC Epi nke ọgbọ ọhụrụ (LPE, Aixtron, Nuflare).

Teknụzụ Paramita Uru nkọwapụta Usoro Ọkọlọtọ / Ule
Nhọrọ Ihe Mkpuchi CVD SiC / Tantalum Carbide (TaC) Akwa Hermetic dị ọcha nke dị elu
Ala Ntọala Graphite Isostatic A Na-ehicha Njị dị oke ala < 5 ppm
Nguzogide Ujo Ọkụ Delta T > 500°C Ramp Ramp Ramp Anaghị agbawa/ịkpụpụ
Ọdịdị siri ike nke elu (Ra) ≤ 0.4 μm (Ejiri enyo mee ka ọ dị mma) Na-egbochi ịrapara na ihe ndị dị na Wafer
Mkparịta ụka WhatsApp n'ịntanetị!