Mkpuchi CVD dị elu maka uto SiC Epitaxial
E mere ya maka usoro ngwaọrụ semiconductor ike dị elu nke na-arụ ọrụ n'okpuru nrụgide okpomọkụ dị oke njọ (1500°C - 1700°C), e wuru ihe ndị na-egbochi mbara ala anyị nke CVD SiC na TaC, diski satịlaịtị, na ihe ndị na-egbochi gas ka ha dị mma. Emebere ya iji gbochie mmepụta ihe dị iche iche, mmebi elu, na itching gas reactive (H₂, SiH₄, C₃H∯), mkpuchi anyị dị elu na-eme ka ọrụ dị ogologo, njikwa dopant dị elu, na nha nhata nke ihe nkiri n'ofe.Wafers epitaxial SiC nke dị sentimita isii na sentimita asatọ.
Ọ na-adịgide ruo 1700°C n'ebe dị oke njọ na-ebelata H₂/silane.
Na-ewepụ ihe mkpuchi nke na-agbaji akpụkpọ ahụ, obere mgbawa, na mgbawa n'oge usoro okpomọkụ ngwa ngwa.
Nhazi CNC nke ọma ahaziri maka ndị na-emepụta SiC Epi nke ọgbọ ọhụrụ (LPE, Aixtron, Nuflare).
| Teknụzụ Paramita | Uru nkọwapụta | Usoro Ọkọlọtọ / Ule |
|---|---|---|
| Nhọrọ Ihe Mkpuchi | CVD SiC / Tantalum Carbide (TaC) | Akwa Hermetic dị ọcha nke dị elu |
| Ala Ntọala | Graphite Isostatic A Na-ehicha | Njị dị oke ala < 5 ppm |
| Nguzogide Ujo Ọkụ | Delta T > 500°C Ramp Ramp Ramp | Anaghị agbawa/ịkpụpụ |
| Ọdịdị siri ike nke elu (Ra) | ≤ 0.4 μm (Ejiri enyo mee ka ọ dị mma) | Na-egbochi ịrapara na ihe ndị dị na Wafer |
-
SiC mkpuchi graphite MOCVD Wafer Carriers Susce...
-
Ndị na-ebu isi graphite SiC a kpụchara akpụ
-
Elu na Ala Graphite Ọkara ọnwa Akụkụ maka Si ...
-
SiC mkpuchi graphite Suscepter na ụgbọelu maka W ...
-
SiC mkpuchi graphite Halfmoon Akụkụ maka Silicon C ...
-
SiC mkpuchi graphite ọkara ọnwa Akụkụ na Mgbakọ ...