ਬੇਸ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਖਾਸ ਗੁਣ:
| ਸਪੱਸ਼ਟ ਘਣਤਾ: | 1.85 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ.3 |
| ਬਿਜਲੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ: | 11 μΩm |
| ਫਲੈਕਸੁਰਲ ਸਟ੍ਰੈਂਥ: | 49 MPa (500kgf/cm2) |
| ਕੰਢੇ ਦੀ ਕਠੋਰਤਾ: | 58 |
| ਸੁਆਹ: | <5ppm |
| ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ: | 116 ਵਾਟ/ਮੀਟਰਕੇਲ (100 ਕਿਲੋਰੀ/ਮੀਟਰਘੰਟਾ-℃) |
ਅਸੀਂ ਸਾਰੇ ਮੌਜੂਦਾ ਐਪੀਟੈਕਸੀ ਰਿਐਕਟਰਾਂ ਲਈ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸਸੈਪਟਰ ਅਤੇ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਹਿੱਸੇ ਸਪਲਾਈ ਕਰਦੇ ਹਾਂ। ਸਾਡੇ ਉਤਪਾਦਾਂ ਵਿੱਚ LPE ਯੂਨਿਟਾਂ ਲਈ ਬੈਰਲ ਸਸੈਪਟਰ, LPE, CSD, ਅਤੇ ਜੈਮਿਨੀ ਯੂਨਿਟਾਂ ਲਈ ਪੈਨਕੇਕ ਸਸੈਪਟਰ, ਅਤੇ ਅਪਲਾਈਡ ਅਤੇ ASM ਯੂਨਿਟਾਂ ਲਈ ਸਿੰਗਲ-ਵੇਫਰ ਸਸੈਪਟਰ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।
ਮੋਹਰੀ OEM, ਸਮੱਗਰੀ ਮੁਹਾਰਤ ਅਤੇ ਨਿਰਮਾਣ ਗਿਆਨ ਨਾਲ ਮਜ਼ਬੂਤ ਸਾਂਝੇਦਾਰੀ ਨੂੰ ਜੋੜ ਕੇ, vet ਤੁਹਾਡੀ ਅਰਜ਼ੀ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ।
VET ਊਰਜਾ ਹੈ ਦਸੀਵੀਡੀ ਕੋਟਿੰਗ ਵਾਲੇ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਉਤਪਾਦਾਂ ਦਾ ਅਸਲ ਨਿਰਮਾਤਾ,ਸਪਲਾਈ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈਵੱਖ-ਵੱਖਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਫੋਟੋਵੋਲਟੇਇਕ ਉਦਯੋਗ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਹਿੱਸੇ। Oਤੁਹਾਡੀ ਤਕਨੀਕੀ ਟੀਮ ਚੋਟੀ ਦੇ ਘਰੇਲੂ ਖੋਜ ਸੰਸਥਾਵਾਂ ਤੋਂ ਆਉਂਦੀ ਹੈ, ਵਧੇਰੇ ਪੇਸ਼ੇਵਰ ਸਮੱਗਰੀ ਹੱਲ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।ਤੁਹਾਡੇ ਲਈ.
Fਸਾਡੇ ਉਤਪਾਦਾਂ ਦੇ ਖਾਣੇ:
1. 1700 ਤੱਕ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ℃.
2. ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਅਤੇਥਰਮਲ ਇਕਸਾਰਤਾ
3. ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: ਐਸਿਡ, ਖਾਰੀ, ਨਮਕ ਅਤੇ ਜੈਵਿਕ ਰੀਐਜੈਂਟ।
4. ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ, ਸੰਖੇਪ ਸਤ੍ਹਾ, ਬਰੀਕ ਕਣ।
5. ਲੰਬੀ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਅਤੇ ਵਧੇਰੇ ਟਿਕਾਊ
| ਸੀਵੀਡੀ SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC ਦੇ ਮੁੱਢਲੇ ਭੌਤਿਕ ਗੁਣਪਰਤ | |
| 性质 / ਜਾਇਦਾਦ | 典型数值 / ਆਮ ਮੁੱਲ |
| 晶体结构 / ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ | FCC β ਪੜਾਅ多晶, 主要为 (111) 取向 |
| 密度 / ਘਣਤਾ | 3.21 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ.³ |
| 硬度 / ਕਠੋਰਤਾ | 2500 维氏硬度（500g ਲੋਡ） |
| 晶粒大小 / ਅਨਾਜ ਦਾ ਆਕਾਰ | 2~10μm |
| 纯度 / ਰਸਾਇਣਕ ਸ਼ੁੱਧਤਾ | 99.99995% |
| 热容 / ਗਰਮੀ ਸਮਰੱਥਾ | 640 J·kg-1·ਕੇ-1 |
| 升华温度 / ਸ੍ਰੇਸ਼ਟਤਾ ਤਾਪਮਾਨ | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / ਲਚਕਦਾਰ ਤਾਕਤ | 415 MPa RT 4-ਪੁਆਇੰਟ |
| 杨氏模量 / ਯੰਗ ਦਾ ਮਾਡਿਊਲਸ | 430 Gpa 4pt ਮੋੜ, 1300℃ |
| 导热系数 / ਥਰਮਾlਚਾਲਕਤਾ | 300W·ਮੀ.-1·ਕੇ-1 |
| 热膨胀系数 / ਥਰਮਲ ਐਕਸਪੈਂਸ਼ਨ (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
ਸਾਡੀ ਫੈਕਟਰੀ ਦਾ ਦੌਰਾ ਕਰਨ ਲਈ ਤੁਹਾਡਾ ਨਿੱਘਾ ਸਵਾਗਤ ਹੈ, ਆਓ ਹੋਰ ਚਰਚਾ ਕਰੀਏ!
