Singsing na Graphite na Pinahiran ng CVD Silicon Carbide

Maikling Paglalarawan:

Ang VET Energy silicon carbide coated graphite ring ay isang produktong may mataas na pagganap na idinisenyo upang magbigay ng pare-pareho at maaasahang pagganap sa mahabang panahon. Mayroon itong napakagandang resistensya sa init at thermal uniformity, mataas na kadalisayan, at resistensya sa erosyon, kaya ito ang perpektong solusyon para sa mga aplikasyon sa pagproseso ng wafer.

Magpadala ng email sa amin I-download bilang PDF

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Karaniwang mga Katangian ng Materyal na Base Graphite:

Tila Densidad:	1.85 g/cm3
Resistivity ng Elektrisidad:	11 μΩm
Lakas ng Pagbaluktot:	49 MPa (500kgf/cm2)
Katigasan ng Baybayin:	58
Abo:	<5ppm
Konduktibidad ng Termal:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Nagsusuplay kami ng iba't ibang susceptor at graphite component para sa lahat ng kasalukuyang epitaxy reactor. Kabilang sa aming mga produkto ang barrel susceptor para sa mga LPE unit, pancake susceptor para sa LPE, CSD, at Gemini unit, at single-wafer susceptor para sa applied at ASM unit.

Sa pamamagitan ng pagsasama-sama ng matibay na pakikipagtulungan sa mga nangungunang OEM, kadalubhasaan sa mga materyales, at kaalaman sa pagmamanupaktura, iniaalok ng vet ang pinakamainam na disenyo para sa iyong aplikasyon.

Ang VET Energy ay angtunay na tagagawa ng mga pasadyang produktong graphite at silicon carbide na may CVD coating,maaaring magtustosiba't ibamga pasadyang bahagi para sa industriya ng semiconductor at photovoltaic. OAng aming teknikal na pangkat ay nagmula sa mga nangungunang institusyong pananaliksik sa loob ng bansa, at maaaring magbigay ng mas propesyonal na mga solusyon sa materyal.para sa iyo.

Fmga katangian ng aming mga produkto:

1. Mataas na temperaturang resistensya sa oksihenasyon hanggang 1700℃.
2. Mataas na kadalisayan atpagkakapareho ng init
3. Napakahusay na resistensya sa kalawang: asido, alkali, asin at mga organikong reagent.
4. Mataas na katigasan, siksik na ibabaw, pinong mga partikulo.
5. Mas mahabang buhay ng serbisyo at mas matibay

CVD SiC薄膜基本物理性能 Mga pangunahing katangiang pisikal ng CVD SiCpatong
性质 / Ari-arian	典型数值 / Karaniwang Halaga
晶体结构 / Kayarian ng Kristal	FCC β phase多晶，主要为（111）取向
密度 / Densidad	3.21 g/cm³
硬度 / Katigasan	2500 维氏硬度（500g load）
晶粒大小 / Sukat ng Butil	2~10μm
纯度 / Kadalisayan ng Kemikal	99.99995%
热容 / Kapasidad ng Init	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperatura ng Sublimasyon	2700℃
抗弯强度 / Lakas ng Pagbaluktot	415 MPa RT 4-punto
杨氏模量 / Modulus ni Young	430 Gpa 4pt liko, 1300℃
导热系数 / ThermalKonduktibidad	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Pagpapalawak ng Init (CTE)	4.5×10^-6K^-1