Phương pháp sản xuất silicon carbide thiêu kết phản ứng

Silic cacbua thiêu kết phản ứng là một loại gốm công nghệ cao mới, có độ bền cao, độ cứng cao, khả năng chống mài mòn và chống ăn mòn tốt, được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực luyện kim, hóa dầu, điện tử, hàng không vũ trụ và các lĩnh vực khác. Sản phẩm có chất mài mòn silic cacbua phụ trợ cacbon đen, than chì và các chất phụ gia khác nhau, sử dụng phương pháp ép khô, đùn hoặc rót để tạo ra chất lượng xốp, sau đó cùng nhau tìm hiểu phương pháp sản xuất silic cacbua thiêu kết phản ứng!

Silic cacbua thiêu kết phản ứng Phát minh này là một phương án kỹ thuật tương đối hoàn thiện sau hàng ngàn lần thử nghiệm của tác giả trong nhiều năm để thúc đẩy công thức nguyên liệu thô và quy trình sản xuất, đặc biệt là quy trình thiêu kết liên tục độc đáo.

Trong yêu cầu bồi thường 1 của sáng chế, tỷ lệ trọng lượng của bột silicon carbide là 5 ~ 8 phần, carbon đen là 0,5-1,5 phần, graphite là 1-1,5 phần và chất kết dính là 0,1-0,5 phần. Trong số đó, độ dốc kích thước hạt của silicon carbide là sic (90-30m) 3-5 phần, sic) 30-0,8m) 2-3 phần. Bột metyl cellulose và PVA của linh dương được cho vào lượng nước thích hợp tương ứng là 0,1-0,5 phần và dung dịch trong suốt thu được sau khi đun nóng.

1. Trộn tất cả các loại bột, keo dán và dung dịch đã pha chế theo công thức và khuấy đều.

2, làm sạch khuôn đúc chân không, đạt 0,1Mpa, phun áp lực hỗn hợp bùn. Sau một thời gian nhất định, bùn được giải phóng và phôi được lấy ra. Giữ ở 30-70 trong 18-20 giờ để sấy khô.

3. Cắt phôi theo yêu cầu của bản vẽ.

4, đưa phôi thiêu kết phản ứng vào lò, thêm trọng lượng 1-3 phần kim loại silic, thiêu kết chân không. Quá trình chia thành nhiệt độ thấp 0-700, duy trì trong 3-5 giờ; nhiệt độ trung bình 700-1400, duy trì trong 4-6 giờ; giữ ở nhiệt độ cao 1400-2200 trong 5-7 giờ. Giảm nhiệt độ xuống dưới 150 dừng lò và mở lò.

5, xử lý phun cát mài bề mặt sản phẩm xỉ silic, với mài phun cát.

6, sản phẩm xử lý oxy hóa vào lò oxy hóa, 24 giờ đến 1350, làm mát tự nhiên. Lấy ra, kiểm tra và đưa vào kho.

Nguyên liệu thô và tỷ lệ được áp dụng theo phương pháp của sáng chế là khoa học và hợp lý, do đó phôi có đủ độ rỗng và phôi có mật độ tốt hơn; Tốc độ gia nhiệt thiêu kết, nhiệt độ và thời gian giữ tốt hơn đảm bảo độ bền uốn cao của sản phẩm. Hiệu suất và chất lượng chính của phương pháp này đã đạt đến trình độ tiên tiến quốc tế. Các chỉ số chính của nó như sau

Phản ứng thiêu kết silicon carbide thực hiện cụ thể

Phương pháp thực hiện 1 để sản xuất bó silicon carbide thiêu kết phản ứng:

1, nguyên liệu thô lấy trọng lượng keo 0,3 phần, thêm một lượng nước nhất định khuấy đều, trọng lượng 6,8 phần bột silicon carbide (kích thước hạt 90-30m của 3,8 phần, 30-0,8m của 3 phần), carbon đen 1 phần, đen

2. Khi đổ, trước tiên hãy vệ sinh khuôn đã sử dụng, căn chỉnh khuôn, cố định bằng chốt, dùng áp lực kéo bùn ra khỏi bể, đổ đầy nitơ áp suất 0,1Mpa vào bể, thực hiện đổ áp lực và đẩy bùn vào khuôn. Sau khi đạt 1 giờ, bùn được giải phóng, và sau 6 giờ, lấy khuôn ra, lấy vật liệu phôi ra và sấy khô phòng sấy. 30-70, 18-20 giờ để lấy ra. 3. Khi sửa chữa phôi, trước tiên hãy kiểm tra xem phôi có đáp ứng yêu cầu thiết kế không. Khi đáp ứng yêu cầu, sửa chữa phôi theo bản vẽ. Sau khi kiểm tra, gửi đến phòng sấy nhiệt độ cao.

4. Sau khi độ ẩm của phôi thiêu kết phản ứng đạt 1%, lấy ra, thổi sạch phôi bằng khí và cân. Thêm 2,9 phần kim loại silic. Có thể bơm nitơ vào quá trình thiêu kết chân không. Quá trình thiêu kết ở nhiệt độ thấp 700 trong 4 giờ; Nhiệt độ trung bình 1400, 5 giờ; Nhiệt độ cao 2200, 6 giờ. Khi nhiệt độ giảm 12 giờ và đạt 150, dừng hoạt động trong lò và mở lò.

5. Sau khi sản phẩm xử lý phun cát ra đời, tiêu chuẩn silicon Chartered trên bề mặt của nó được mài và nghiền bằng phương pháp phun cát.

6. Mục đích của sản phẩm xử lý oxy hóa là loại bỏ các oxit sinh ra trong quá trình thiêu kết. Sản phẩm được nung nóng đến 1350 trong 24 giờ trong lò oxy hóa và sau đó làm mát tự nhiên. Sau khi loại bỏ, được đưa vào lưu trữ thông qua kiểm tra.

Nguyên liệu thô và tỷ lệ được áp dụng theo phương pháp của sáng chế là khoa học và hợp lý, để phôi có đủ độ rỗng và phôi có mật độ tốt hơn; Tốc độ gia nhiệt thiêu kết, nhiệt độ và thời gian giữ tốt hơn đảm bảo độ bền uốn cao của sản phẩm. Hiệu suất và chất lượng chính của các sản phẩm được sản xuất theo phương pháp này đã đạt đến trình độ tiên tiến quốc tế.

Trên đây là phương pháp sản xuất silicon carbide thiêu kết phản ứng, nếu bạn cần thêm thông tin, vui lòng liên hệ với chúng tôi!