21-ci əsrdə elm və texnologiyanın, informasiyanın, enerjinin, materialların, bioloji mühəndisliyin inkişafı ilə bugünkü sosial məhsuldarlığın inkişafının dörd sütunu halına gəlmişdir. Silisium karbid sabit kimyəvi xüsusiyyətləri, yüksək istilik keçiriciliyi, kiçik istilik genişlənmə əmsalı, kiçik sıxlıq, yaxşı aşınma müqaviməti, yüksək sərtlik, yüksək mexaniki möhkəmlik, kimyəvi korroziyaya davamlılıq və digər xüsusiyyətlərinə görə materiallar sahəsində sürətli inkişafa səbəb olmuş, keramika top rulmanlarında, klapanlarda, yarımkeçirici materiallarda, giroskopik materiallarda, ölçmə cihazlarında, aerokosmik və digər sahələrdə geniş istifadə edilmişdir.
Silikon karbid keramikası 1960-cı illərdən bəri inkişaf etdirilir. Əvvəllər silikon karbid əsasən mexaniki üyüdücü materiallarda və odadavamlı materiallarda istifadə olunurdu. Dünyanın hər yerində ölkələr qabaqcıl keramikanın sənayeləşməsinə böyük əhəmiyyət verirlər və indi yalnız ənənəvi silikon karbid keramikasının hazırlanması ilə kifayətlənmir, həm də yüksək texnologiyalı keramika müəssisələrinin istehsalı, xüsusən də inkişaf etmiş ölkələrdə daha sürətli inkişaf edir. Son illərdə SIC keramikasına əsaslanan çoxfazalı keramika bir-birinin ardınca meydana çıxıb və monomer materiallarının möhkəmliyini və möhkəmliyini artırır. Silikon karbid əsas dörd tətbiq sahəsinə malikdir: funksional keramika, qabaqcıl odadavamlı materiallar, aşındırıcılar və metallurgiya xammalı.
Silikon karbid keramika əla aşınma müqavimətinə malikdir
Bu məhsulun silikon karbid keramikası öyrənilmiş və müəyyən edilmişdir. Bu məhsulun silikon karbid keramikasının aşınma müqaviməti 266 dəfə manqan poladına, 1741 dəfə yüksək xromlu çuquna bərabərdir. Aşınma müqaviməti çox yaxşıdır. Bu, yenə də bizə çox pul qazandıra bilər. Silikon karbid keramikası on ildən çox müddət ərzində fasiləsiz istifadə edilə bilər.
Silikon karbid keramika yüksək möhkəmliyə, yüksək sərtliyə və yüngüllüyə malikdir
Yeni bir material növü olaraq, silikon karbid keramikasının istifadəsi sayəsində bu məhsulun gücü çox yüksək, yüksək sərtlik, çəki də çox yüngüldür, bu cür silikon karbid keramikasının istifadəsi, quraşdırılması və dəyişdirilməsi yuxarıda göstərilənlərdən daha rahat olacaq.
Silikon karbid keramikasının daxili divarı hamardır və tozu bloklamır
Silikon karbid keramikası bu məhsul yüksək temperaturdan sonra atəşə tutulur, buna görə də silikon karbid keramikasının quruluşu nisbətən sıx, səthi hamar, istifadə gözəlliyi daha yaxşı olacaq, buna görə də ailədə istifadə edildikdə gözəllik daha yaxşı olacaq.
Silikon karbid keramikasının qiyməti aşağıdır
Silikon karbid keramikasının özünün istehsalının dəyəri nisbətən azdır, buna görə də silikon karbid keramikasının qiymətini çox baha almağa ehtiyac duymuruq, buna görə də ailəmiz üçün deyil, həm də çox pul qazana bilərik.
Silikon karbid keramika tətbiqi:
Silikon karbid keramika topu
Silikon karbid keramika topu əla mexaniki xüsusiyyətlərə, əla oksidləşmə müqavimətinə, yüksək aşınma müqavimətinə və aşağı sürtünmə əmsalına malikdir. Silikon karbid keramika topunun yüksək temperatur möhkəmliyi, adi keramika materialının 1200 ~ 1400 dərəcə Selsi temperaturda möhkəmliyi əhəmiyyətli dərəcədə azalacaq və silikon karbidin 1400 dərəcə Selsi temperaturda əyilmə möhkəmliyi hələ də 500 ~ 600MPa daha yüksək səviyyədə saxlanılır, buna görə də onun işləmə temperaturu 1600 ~ 1700 dərəcə Selsi səviyyəsinə çata bilər.
Silikon karbid kompozit materialı
Silikon karbid matris kompozitləri (SiC-CMC) yüksək möhkəmliyi, yüksək möhkəmliyi və əla oksidləşmə müqaviməti səbəbindən yüksək temperaturlu istilik strukturlarına görə aerokosmik sahədə geniş istifadə olunur. SiC-CMC-nin hazırlanma prosesinə lif əvvəlcədən formalaşması, yüksək temperaturda emal, mezofaza örtüyü, matris sıxlaşdırılması və sonrakı emal daxildir. Yüksək möhkəmlikli karbon lifi yüksək möhkəmliyə və yaxşı möhkəmliyə malikdir və onunla hazırlanmış prefabrik gövdə yaxşı mexaniki xüsusiyyətlərə malikdir.
Mezofaz örtük (yəni interfeys texnologiyası) hazırlıq prosesində əsas texnologiyadır, mezofaz örtük üsullarının hazırlanması kimyəvi buxar osmozu (CVI), kimyəvi buxar çöküntüsü (CVD), sol-sol metodu (Sol-gcl), polimer hopdurma krekinq metodu (PLP), silikon karbid matrix kompozitlərinin hazırlanması üçün ən uyğun olanlar CVI metodu və PIP metodudur.
Səth örtük materiallarına pirolitik karbon, bor nitridi və bor karbidi daxildir ki, bunlar arasında oksidləşməyə davamlılıq üçün bir növ səth örtüyü kimi bor karbidinə getdikcə daha çox diqqət yetirilir. Adətən uzun müddət oksidləşmə şəraitində istifadə olunan SiC-CMC-nin də oksidləşməyə davamlılıq emalından keçməsi lazımdır, yəni yüksək temperaturlu oksidləşmə müqavimətini artırmaq üçün məhsulun səthinə CVD prosesi ilə qalınlığı təxminən 100μm olan sıx silikon karbid təbəqəsi çökdürülür.
Yayımlanma vaxtı: 14 Fevral 2023