Am 21. Joerhonnert, mat der Entwécklung vun der Wëssenschaft an Technologie, Informatioun, Energie, Materialien a biologescher Ingenieurswiesen, sinn déi véier Piliere vun der Entwécklung vun der haiteger sozialer Produktivitéit ginn. Siliziumcarbid ass wéinst senge stabile chemeschen Eegeschaften, héijer thermescher Konduktivitéit, klengem thermeschen Expansiounskoeffizient, gerénger Dicht, gudder Verschleißbeständegkeet, héijer Häert, héijer mechanescher Stäerkt, chemescher Korrosiounsbeständegkeet an aner Charakteristiken, eng séier Entwécklung am Materialberäich. Et gëtt wäit verbreet a Keramikkugellager, Ventiler, Hallefleitmaterialien, Gyroskoper, Miessinstrumenter, Loftfaart an aner Beräicher benotzt.
Siliziumkarbid-Keramik gëtt zënter den 1960er Joren entwéckelt. Virdru gouf Siliziumkarbid haaptsächlech a mechanesche Schleifmaterialien a Feierbeständegkeete benotzt. Länner op der ganzer Welt leeë groussen Wäert op d'Industrialiséierung vun der fortgeschrattener Keramik, an elo ass et net nëmmen d'Virbereedung vun der traditioneller Siliziumkarbid-Keramik zefridden, d'Produktioun vun High-Tech-Keramikbetriber entwéckelt sech och méi séier, besonnesch an den entwéckelte Länner. An de leschte Joren ass eng nom aneren eng Multiphase-Keramik op Basis vun SIC-Keramik opgedaucht, déi d'Zähegkeet a Festigkeit vu Monomermaterialien verbessert. Siliziumkarbid huet véier Haaptapplikatiounsberäicher: funktionell Keramik, fortgeschratt Feierbeständegkeete, Schleifmëttel a metallurgesch Rohmaterialien.
Siliziumkarbidkeramik huet exzellent Verschleißbeständegkeet
Siliziumcarbid-Keramik, dëst Produkt gouf ënnersicht a bestëmmt. D'Verschleissbeständegkeet vun dësem Produkt ass gläichwäerteg mat dem 266-mol sou vill Manganstol, an dem 1741-mol sou vill wéi Goss mat héijem Chromgehalt. D'Verschleissbeständegkeet ass ganz gutt. Et kann eis ëmmer nach vill Sue spueren. Siliziumcarbid-Keramik kann iwwer zéng Joer kontinuéierlech benotzt ginn.
Siliziumkarbidkeramik huet héich Stäerkt, héich Häert a liicht Gewiicht
Als nei Zort Material ass Siliziumcarbid-Keramik ganz staark, häert a liicht, sou datt d'Benotzung, d'Installatioun an den Ersatz vu Siliziumcarbid-Keramik méi praktesch ass.
Déi bannenzeg Mauer vun der Siliziumkarbidkeramik ass glat a blockéiert kee Pulver
Siliziumcarbidkeramik Dëst Produkt gëtt no héijer Temperatur gebrannt, sou datt d'Struktur vun der Siliziumcarbidkeramik relativ dicht ass, d'Uewerfläch glat ass, d'Schéinheet vun der Notzung wäert besser sinn, sou datt bei enger familiärer Notzung d'Schéinheet méi gutt ass.
D'Käschte vu Siliziumkarbidkeramik sinn niddreg
D'Käschte fir d'Produktioun vu Siliziumcarbidkeramik selwer si relativ niddreg, dofir brauche mir net de Präis vun der Siliziumcarbidkeramik ze kafen, déi ze deier ass, sou datt mir fir eis Famill och vill Sue spueren kënnen.
Uwendung vun Siliziumkarbidkeramik:
Siliziumkarbid Keramikkugel
Siliziumkarbid-Keramikkugel huet exzellent mechanesch Eegeschaften, exzellent Oxidatiounsbeständegkeet, héich Abriebsbeständegkeet an e niddrege Reibungskoeffizient. Siliziumkarbid-Keramikkugelen hunn eng héich Temperaturfestigkeit. D'Festigkeit vun normale Keramikmaterialien bei 1200 ~ 1400 Grad Celsius gëtt däitlech reduzéiert, an d'Biegefestigkeit vu Siliziumkarbid bei 1400 Grad Celsius gëtt ëmmer nach op engem héijen Niveau vun 500 ~ 600 MPa gehalen, sou datt hir Aarbechtstemperatur 1600 ~ 1700 Grad Celsius erreeche kann.
Siliziumkarbid-Kompositmaterial
Siliziumkarbidmatrixkomposite (SiC-CMC) gi wäit verbreet am Beräich vun der Loftfaart a Raumfaart wéinst hiren héijen Temperaturen-thermesche Strukturen agesat, wéinst hirer héijer Zähegkeet, héijer Festigkeit an exzellenter Oxidatiounsbeständegkeet. De Virbereedungsprozess vu SiC-CMC ëmfaasst d'Virformung vun de Faseren, d'Héichtemperaturbehandlung, d'Mesophasebeschichtung, d'Matrixverdichtung an d'Nofbehandlung. Héichfeste Kuelefaser hunn eng héich Festigkeit a gutt Zähegkeet, an de prefabrizéierte Kierper, deen domat hiergestallt gëtt, huet gutt mechanesch Eegeschaften.
Mesophase-Beschichtung (dh Interface-Technologie) ass déi Schlësseltechnologie am Virbereedungsprozess. D'Virbereedungsmethoden fir Mesophase-Beschichtunge sinn ënner anerem chemesch Dampfosmose (CVI), chemesch Dampfablagerung (CVD), Sol-Sol-Method (Sol-gcl) a Polymerimpregnatiouns-Rëssmethod (PLP). Déi gëeegentst fir d'Virbereedung vu Siliziumcarbidmatrixkomposite sinn d'CVI-Method an d'PIP-Method.
Zu de Grenzflächenbeschichtungsmaterialien gehéieren pyrolytesche Kuelestoff, Bornitrid a Borcarbid, dorënner Borcarbid als eng Aart vun oxidationsbeständeger Grenzflächenbeschichtung ëmmer méi Opmierksamkeet kritt. SiC-CMC, dat normalerweis laang Zäit ënner Oxidatiounsbedéngungen agesat gëtt, muss och enger Oxidatiounsbeständegkeetsbehandlung ënnergoen, dat heescht, eng Schicht aus dichtem Siliziumcarbid mat enger Déckt vu ronn 100 μm gëtt duerch CVD-Prozess op d'Uewerfläch vum Produkt ofgesat, fir seng Héichtemperatur-Oxidatiounsbeständegkeet ze verbesseren.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 14. Februar 2023