21. gadsimtā, attīstoties zinātnei un tehnoloģijām, informācijai, enerģijai, materiāliem un bioloģiskajai inženierijai, tā ir kļuvusi par četriem mūsdienu sociālās produktivitātes attīstības pīlāriem. Pateicoties stabilām ķīmiskajām īpašībām, augstai siltumvadītspējai, mazam siltumizplešanās koeficientam, mazam blīvumam, labai nodilumizturībai, augstai cietībai, augstai mehāniskajai izturībai, ķīmiskajai korozijai un citām īpašībām, silīcija karbīds ir strauji attīstījies materiālu jomā. Plaši izmanto keramikas lodīšu gultņos, vārstos, pusvadītāju materiālos, žiroskopos, mērinstrumentos, kosmosa un citās jomās.
Silīcija karbīda keramika tiek izstrādāta kopš 20. gs. sešdesmitajiem gadiem. Iepriekš silīcija karbīdu galvenokārt izmantoja mehāniskās slīpēšanas materiālos un ugunsizturīgos materiālos. Valstis visā pasaulē piešķir lielu nozīmi progresīvas keramikas industrializācijai, un tagad tā ne tikai apmierinās ar tradicionālās silīcija karbīda keramikas sagatavošanu, bet arī augsto tehnoloģiju keramikas ražošanas uzņēmumi attīstās straujāk, īpaši attīstītajās valstīs. Pēdējos gados viena pēc otras ir parādījusies daudzfāžu keramika, kuras pamatā ir SIC keramika, uzlabojot monomēru materiālu izturību un stiprību. Silīcija karbīda galvenās pielietojuma jomas ir četras: funkcionālā keramika, progresīvi ugunsizturīgi materiāli, abrazīvi materiāli un metalurģiskās izejvielas.
Silīcija karbīda keramikai ir lieliska nodilumizturība
Šis produkts ir pētīts un noteikts, izmantojot silīcija karbīda keramiku. Šī produkta silīcija karbīda keramikas nodilumizturība ir 266 reizes līdzvērtīga mangāna tēraudam un 1741 reizi līdzvērtīga augsta hroma čuguna nodilumizturībai. Nodilumizturība ir ļoti laba. Tas joprojām var ietaupīt daudz naudas. Silīcija karbīda keramiku var nepārtraukti izmantot vairāk nekā desmit gadus.
Silīcija karbīda keramikai ir augsta izturība, augsta cietība un viegls svars
Kā jauna veida materiāls, silīcija karbīda keramikas izmantošana šim produktam ir ļoti augsta izturība, augsta cietība un ļoti viegls svars, tāpēc šāda silīcija karbīda keramikas lietošana, uzstādīšana un nomaiņa būs ērtāka.
Silīcija karbīda keramikas iekšējā siena ir gluda un nebloķē pulveri
Silīcija karbīda keramika. Šis produkts tiek apdedzināts augstā temperatūrā, tāpēc silīcija karbīda keramikas struktūra ir relatīvi blīva, virsma ir gluda un lietošanas ērtums ir lielāks, tāpēc, ja to izmanto ģimenē, tā ir vēl pievilcīgāka.
Silīcija karbīda keramikas izmaksas ir zemas
Pašu silīcija karbīda keramikas ražošanas izmaksas ir salīdzinoši mazākas, tāpēc mums nav jāpērk silīcija karbīda keramikas cena, kas ir pārāk dārga mūsu ģimenei, bet arī var ietaupīt daudz naudas.
Silīcija karbīda keramikas pielietojums:
Silīcija karbīda keramikas lodīte
Silīcija karbīda keramikas lodītei ir izcilas mehāniskās īpašības, lieliska oksidēšanās izturība, augsta nodilumizturība un zems berzes koeficients. Silīcija karbīda keramikas lodītei ir augsta temperatūras izturība, parastā keramikas materiāla izturība 1200–1400 grādu pēc Celsija temperatūrā ievērojami samazināsies, un silīcija karbīda lieces izturība 1400 grādu pēc Celsija temperatūrā joprojām saglabājas augstā līmenī 500–600 MPa, tāpēc tās darba temperatūra var sasniegt 1600–1700 grādus pēc Celsija.
Silīcija karbīda kompozītmateriāls
Silīcija karbīda matricas kompozītmateriāli (SiC-CMC) ir plaši izmantoti kosmosa jomā to augstas temperatūras termisko struktūru veidošanai, pateicoties to augstajai izturībai, augstajai stiprībai un lieliskajai oksidācijas izturībai. SiC-CMC sagatavošanas process ietver šķiedru iepriekšēju formēšanu, apstrādi augstā temperatūrā, mezofāzes pārklāšanu, matricas blīvēšanu un pēcapstrādi. Augstas stiprības oglekļa šķiedrai ir augsta izturība un laba stingrība, un no tās izgatavotajam saliekamajam korpusam ir labas mehāniskās īpašības.
Mezofāzes pārklāšana (tas ir, saskarnes tehnoloģija) ir galvenā tehnoloģija sagatavošanas procesā, mezofāzes pārklāšanas metožu sagatavošana ietver ķīmisko tvaiku osmozi (CVI), ķīmisko tvaiku nogulsnēšanos (CVD), sol-sol metodi (Sol-gcl), polimēru impregnēšanas krekinga metodi (PLP), vispiemērotākās silīcija karbīda matricas kompozītu sagatavošanai ir CVI metode un PIP metode.
Starpslāņu pārklājuma materiāli ietver pirolītisku ogli, bora nitrīdu un bora karbīdu, starp kuriem arvien lielāka uzmanība tiek pievērsta bora karbīdam kā oksidēšanās izturības starpslāņu pārklājumam. SiC-CMC, ko parasti ilgstoši izmanto oksidēšanās apstākļos, arī ir jāveic oksidēšanās izturības apstrāde, proti, uz produkta virsmas ar CVD procesa palīdzību tiek uzklāts blīva silīcija karbīda slānis ar aptuveni 100 μm biezumu, lai uzlabotu tā oksidēšanās izturību augstā temperatūrā.
Publicēšanas laiks: 2023. gada 14. februāris