Ní ọ̀rúndún kọkànlélógún, pẹ̀lú ìdàgbàsókè ìmọ̀ sáyẹ́ǹsì àti ìmọ̀ ẹ̀rọ, ìwífún, agbára, àwọn ohun èlò, ìmọ̀ ẹ̀rọ bíóláìkì ti di àwọn òpó mẹ́rin fún ìdàgbàsókè iṣẹ́-ṣíṣe àwùjọ lónìí, silikoni carbide nítorí àwọn ohun-ìní kẹ́míkà tí ó dúró ṣinṣin, agbára ìdarí ooru gíga, ìwọ̀n ìfàsẹ́yìn ooru ti kékeré, ìwọ̀n kékeré, agbára ìfaradà yíyà tí ó dára, líle gíga, agbára ẹ̀rọ gíga, agbára ìpalára kẹ́míkà àti àwọn ànímọ́ mìíràn, ìdàgbàsókè kíákíá nínú pápá àwọn ohun èlò, A ń lò ó ní gbígbòòrò nínú àwọn bearings bọ́ọ̀lù seramiki, àwọn fáfà, àwọn ohun èlò semiconductor, gyro, ohun èlò ìwọ̀n, afẹ́fẹ́ àti àwọn pápá mìíràn.
Àwọn ohun èlò amọ̀ silikoni carbide ni a ti ń ṣe láti ọdún 1960. Tẹ́lẹ̀tẹ́lẹ̀, a sábà máa ń lo ohun èlò amọ̀ silikoni carbide nínú àwọn ohun èlò ìlọ ẹ̀rọ àti àwọn ohun èlò ìtúnṣe. Àwọn orílẹ̀-èdè kárí ayé ń fi pàtàkì sí ìdàgbàsókè àwọn ohun èlò amọ̀ silikoni carbide tó ti pẹ́, nísinsìnyí kìí ṣe pé wọ́n ní ìtẹ́lọ́rùn pẹ̀lú ìpèsè àwọn ohun èlò amọ̀ silikoni carbide ìbílẹ̀ nìkan ni, iṣẹ́ àwọn ilé-iṣẹ́ amọ̀ silikoni carbide tó ti pẹ́ ní ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga ń yára dàgbàsókè, pàápàá jùlọ ní àwọn orílẹ̀-èdè tó ti gòkè àgbà. Ní àwọn ọdún àìpẹ́ yìí, àwọn ohun èlò amọ̀ silikoni onípele-pupọ tí a dá lórí ohun èlò amọ̀ SIC ti farahàn ní ọ̀kọ̀ọ̀kan, èyí tí ó ń mú kí agbára àti agbára àwọn ohun èlò monomer sunwọ̀n sí i. Ohun èlò amọ̀ silikoni carbide pàtàkì mẹ́rin tí a ń lò, ìyẹn ni, àwọn ohun èlò amọ̀ silikoni tó ti pẹ́, àwọn ohun èlò amúlétutù, àwọn ohun èlò amúlétutù àti àwọn ohun èlò aise irin.
Awọn ohun elo amọ silikoni carbide ni resistance ti o tayọ fun yiya
Àwọn ohun èlò amọ̀ silikoni carbide ni a ti ṣe ìwádìí àti pinnu. Àìlèra ìfàsẹ́yìn àwọn ohun èlò amọ̀ silikoni carbide ni ọjà yìí dọ́gba pẹ̀lú ìgbà 266 ti irin manganese, tó dọ́gba pẹ̀lú ìgbà 1741 ti irin chromium gíga. Àìlèra ìfàsẹ́yìn náà dára gan-an. Ó ṣì lè fi owó pamọ́ fún wa. A lè lo àwọn ohun èlò amọ̀ silikoni carbide nígbà gbogbo fún ohun tó ju ọdún mẹ́wàá lọ.
Àwọn ohun èlò amọ̀ silikoni carbide ní agbára gíga, líle gíga àti ìwọ̀n fẹ́ẹ́rẹ́fẹ́
Gẹ́gẹ́ bí irú ohun èlò tuntun kan, lílo àwọn ohun èlò amọ̀ silicon carbide agbára ọjà yìí ga gan-an, líle gíga, ìwọ̀n náà sì fúyẹ́ gan-an, irú àwọn ohun èlò amọ̀ silicon carbide tí a ń lò, fífi sori ẹrọ àti rọ́pò àwọn ohun tí a mẹ́nu kàn lókè yìí yóò rọrùn jù.
Ògiri inú ti seramiki silikoni carbide jẹ́ dídán, kò sì dí lulú
Àwọn ohun èlò amọ̀ silikoni carbide ni a máa ń ta ọjà yìí lẹ́yìn tí ooru bá pọ̀, nítorí náà, ìṣètò àwọn ohun èlò amọ̀ silikoni carbide jẹ́ kíkún, ojú rẹ̀ mọ́lẹ̀, ẹwà lílò yóò dára sí i, nítorí náà, tí a bá lò ó nínú ìdílé, ẹwà náà yóò dára sí i.
Iye owo awọn seramiki silikoni carbide kekere
Iye owo ti a fi n ṣe awọn ohun elo seramiki silikoni carbide funrarẹ kere pupọ, nitorinaa a ko nilo lati ra iye owo awọn ohun elo seramiki silikoni carbide ti o gbowolori pupọ, nitorinaa fun idile wa, o tun le fi owo pamọ pupọ.
Ohun elo seramiki silikoni carbide:
Bọ́ọ̀lù seramiki silikoni carbide
Bọ́ọ̀lù seramiki silikoni carbide ní àwọn ànímọ́ ẹ̀rọ tó dára, resistance oxidation tó dára, resistance gíga sí ìfọ́ àti iye ìfọ́ra díẹ̀. Bọ́ọ̀lù seramiki silikoni carbide agbára ìgbóná gíga, ohun èlò seramiki lásán ní 1200 ~ 1400 degrees Celsius agbára ìtẹ̀sí yóò dínkù gidigidi, àti agbara ìtẹ̀sí silikoni carbide ní 1400 degrees Celsius ṣì wà ní ìpele gíga ti 500 ~ 600MPa, nítorí náà iwọ̀n otútù rẹ̀ lè dé 1600 ~ 1700 degrees Celsius.
Ohun elo akojọpọ silikoni carbide
Àwọn àkópọ̀ matrix silicon carbide (SiC-CMC) ni a ti lò ní gbogbogbòò ní ẹ̀ka afẹ́fẹ́ fún àwọn ìṣètò ooru wọn nítorí agbára gíga wọn, agbára gíga wọn àti agbára ìdènà oxidation tó dára. Ìlànà ìmúrasílẹ̀ SiC-CMC ní fiber preforming, ìtọ́jú otutu gíga, ìbòrí mesophase, ìfúnpọ̀ matrix àti lẹ́yìn ìtọ́jú. Okùn carbon alágbára gíga ní agbára gíga àti agbára gíga, ara tí a ti ṣe tẹ́lẹ̀ tí a fi ṣe é ní àwọn ànímọ́ ẹ̀rọ tó dára.
Ibora Mesophase (ìyẹn ni, ìmọ̀ ẹ̀rọ ìbánisọ̀rọ̀) ni ìmọ̀ ẹ̀rọ pàtàkì nínú ìlànà ìpèsè, ìpèsè àwọn ọ̀nà ìbòrí mesophase pẹ̀lú osmosis chemical vapor osmosis (CVI), chemical vapor deposition (CVD), sol-sol method (Sol-gcl), polymer impregnation cracking method (PLP), èyí tó dára jùlọ fún ìpèsè àwọn composites silicon carbide matrix ni ọ̀nà CVI àti ọ̀nà PIP.
Àwọn ohun èlò ìbòjú ojú ní erogba pyrolytic, boron nitride àti boron carbide, lára èyí tí boron carbide gẹ́gẹ́ bí irú ìbòjú ojú ojú ti a ti ń fiyèsí sí i. SiC-CMC, èyí tí a sábà máa ń lò ní àwọn ipò ìgbóná fún ìgbà pípẹ́, tún nílò láti ṣe ìtọ́jú ìgbóná oxidation resistance, ìyẹn ni pé, a máa ń fi ipele ti silikoni carbide dídín tí ó ní ìwọ̀n tó tó 100μm sí ojú ọjà náà nípasẹ̀ ìlànà CVD láti mú kí ìgbóná oxidation rẹ̀ sunwọ̀n sí i ní ìwọ̀n otútù gíga.
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Feb-14-2023