Nan 21yèm syèk la, avèk devlopman syans ak teknoloji, enfòmasyon, enèji, materyèl, jeni byolojik te vin kat poto devlopman pwodiktivite sosyal jodi a, carbure Silisyòm akòz pwopriyete chimik ki estab, konduktivite tèmik segondè, koyefisyan ekspansyon tèmik ki piti, dansite ki ba, bon rezistans mete, dite segondè, fòs mekanik segondè, rezistans korozyon chimik ak lòt karakteristik, devlopman rapid nan domèn materyèl yo, lajman itilize nan woulo bi seramik, tiyo, materyèl semi-kondiktè, jiroskop, enstriman mezi, ayewospasyal ak lòt jaden.
Yo devlope seramik carbure Silisyòm depi ane 1960 yo. Anvan sa, yo te sitou itilize carbure Silisyòm nan materyèl pou fanm mekanik ak materyèl refraktè. Peyi toupatou nan mond lan bay anpil enpòtans a endistriyalizasyon seramik avanse yo, e kounye a yo pa sèlman satisfè ak preparasyon seramik carbure Silisyòm tradisyonèl yo, pwodiksyon antrepriz seramik gwo teknoloji yo devlope pi vit, espesyalman nan peyi devlope yo. Nan dènye ane yo, seramik milti-faz ki baze sou seramik SIC yo te parèt youn apre lòt, amelyore rezistans ak fòs materyèl monomè yo. Kat prensipal domèn aplikasyon carbure Silisyòm yo, sa vle di seramik fonksyonèl, materyèl refraktè avanse, abrazif ak matyè premyè metaliji.
Seramik carbure Silisyòm gen ekselan rezistans mete
Yo etidye epi detèmine pwodui seramik Silisyòm karbid sa a. Rezistans usure seramik Silisyòm karbid sa a ekivalan a 266 fwa asye Manganèz, ekivalan a 1741 fwa fè jete ki gen anpil chromium. Rezistans usure a trè bon. Li ka toujou fè nou ekonomize anpil lajan. Yo ka itilize seramik Silisyòm karbid kontinyèlman pou plis pase dis ane.
Seramik carbure Silisyòm yo gen gwo fòs, gwo dite ak pwa lejè.
Kòm yon nouvo kalite materyèl, lè l sèvi avèk seramik Silisyòm carbure, pwodui sa a gen yon fòs trè wo, yon dite wo, epi li trè lejè tou. Sa fè seramik Silisyòm carbure sa yo pi fasil pou itilize, epi pou enstale epi ranplase yo.
Miray enteryè seramik carbure Silisyòm lan lis epi li pa bloke poud lan.
Seramik carbure Silisyòm sa a kuit apre yon tanperati ki wo, kidonk estrikti seramik carbure Silisyòm lan relativman dans, sifas la lis, bote itilizasyon an ap pi bon, kidonk itilize nan fanmi an, bote a ap pi bon.
Pri seramik carbure Silisyòm lan ba
Pri fabrikasyon seramik Silisyòm carbure a li menm relativman pi ba, kidonk nou pa bezwen achte seramik Silisyòm carbure a twò chè, kidonk li ka ekonomize anpil lajan pou fanmi nou tou.
Aplikasyon seramik carbure Silisyòm:
Boul seramik carbure Silisyòm
Boul seramik Silisyòm karbid la gen ekselan pwopriyete mekanik, ekselan rezistans oksidasyon, gwo rezistans fwotman ak koyefisyan friksyon ki ba. Boul seramik Silisyòm karbid la gen yon rezistans tanperati ki wo, materyèl seramik òdinè a ap diminye anpil nan yon rezistans 1200 ~ 1400 degre Sèlsiyis, epi rezistans koube Silisyòm karbid la toujou kenbe nan yon nivo ki pi wo, 500 ~ 600MPa, kidonk tanperati travay li ka rive nan 1600 ~ 1700 degre Sèlsiyis.
Materyèl konpoze Silisyòm carbure
Konpoze matris Silisyòm kabid (SiC-CMC) yo te lajman itilize nan domèn ayewospasyal pou estrikti tèmik tanperati ki wo yo akòz gwo rezistans yo, gwo fòs yo ak ekselan rezistans oksidasyon. Pwosesis preparasyon SiC-CMC a gen ladan preformaj fib, tretman tanperati ki wo, kouch mezofaz, dansifikasyon matris ak pòs-tretman. Fib kabòn ki gen gwo fòs gen gwo fòs ak bon rezistans, epi kò prefabrike ki fèt avèk li a gen bon pwopriyete mekanik.
Kouch mezofaz (sa vle di, teknoloji koòdone) se teknoloji kle nan pwosesis preparasyon an, metòd preparasyon kouch mezofaz yo gen ladan osmoz vapè chimik (CVI), depo vapè chimik (CVD), metòd sol-sol (Sol-gcl), metòd krakman enpregnasyon polymère (PLP), ki pi apwopriye pou preparasyon konpoze matris carbure Silisyòm yo se metòd CVI ak metòd PIP.
Materyèl kouch entèfasyal yo enkli kabòn pirolitik, nitrid bor ak carbure bor, pami yo carbure bor kòm yon kalite kouch entèfasyal rezistans oksidasyon ap resevwa plis atansyon. SiC-CMC, ki anjeneral itilize nan kondisyon oksidasyon pou yon tan long, bezwen sibi tou tretman rezistans oksidasyon, sa vle di, yon kouch carbure Silisyòm dans ak yon epesè anviwon 100 μm depoze sou sifas pwodwi a pa pwosesis CVD pou amelyore rezistans oksidasyon tanperati ki wo li.
Dat piblikasyon: 14 Fevriye 2023