Adupremu a spettroscopia di fotoemissione risolta in tempu è angulu (tr-ARPES) per investigà u trasferimentu di carica ultraveloce in una eterostruttura epitassiale fatta di monostratu WS2 è grafene. Questa eterostruttura combina i benefici di un semiconduttore à gap direttu cù un forte accoppiamentu spin-orbita è una forte interazione luce-materia cù quelli di un semimetallu chì ospita portatori senza massa cù una mobilità estremamente alta è lunghe durate di spin. Truvemu chì, dopu a fotoeccitazione à risonanza à l'eccitone A in WS2, i lacune fotoeccitate si trasferiscenu rapidamente in u stratu di grafene mentre l'elettroni fotoeccitate restanu in u stratu WS2. U statu transitoriu di carica separata risultante hà una durata di vita di ~1 ps. Attribuemu i nostri risultati à e differenze in u spaziu di fase di scattering causate da l'allineamentu relativu di e bande WS2 è di grafene cum'è rivelatu da ARPES ad alta risoluzione. In cumbinazione cù l'eccitazione ottica selettiva per spin, l'eterostruttura WS2/grafene investigata puderia furnisce una piattaforma per una iniezione di spin otticu efficiente in u grafene.
A dispunibilità di parechji materiali bidimensionali diffirenti hà apertu a pussibilità di creà novi eterostrutture fine cù funziunalità cumpletamente nove basate nantu à u screening dielettricu persunalizatu è diversi effetti indotti da a prossimità (1-3). Dispositivi di prova di principiu per applicazioni future in u campu di l'elettronica è di l'optoelettronica sò stati realizati (4-6).
Quì, ci concentremu nantu à l'eterostrutture epitassiali di van der Waals custituite da un monostratu WS2, un semiconduttore à gap direttu cù un forte accoppiamentu spin-orbita è una divisione di spin considerable di a struttura di banda per via di a simmetria d'inversione rotta (7), è un monostratu di grafene, un semimetallu cù una struttura di banda conica è una mobilità di trasportatori estremamente alta (8), cresciutu nantu à SiC(0001) terminatu da l'idrogenu. E prime indicazioni per u trasferimentu di carica ultraveloce (9-15) è l'effetti di accoppiamentu spin-orbita indutti da a prossimità (16-18) rendenu WS2/grafene è eterostrutture simili candidati promettenti per future applicazioni optoelettroniche (19) è optospintroniche (20).
Avemu decisu di revelà i percorsi di rilassamentu di e coppie elettrone-lacuna fotogenerate in WS2/grafene cù a spettroscopia di fotoemissione risolta in u tempu è in l'angulu (tr-ARPES). Per questu scopu, eccitemu l'eterostruttura cù impulsi di pompa di 2 eV risonanti à l'eccitone A in WS2 (21, 12) è espellemu fotoelettroni cù un secondu impulsu di sonda ritardatu in u tempu à una energia di fotoni di 26 eV. Determinemu l'energia cinetica è l'angulu di emissione di i fotoelettroni cù un analizzatore emisfericu cum'è una funzione di u ritardu pompa-sonda per accede à a dinamica di i purtatori risolta in u mumentu, l'energia è u tempu. A risoluzione di l'energia è di u tempu hè rispettivamente di 240 meV è 200 fs.
I nostri risultati furniscenu evidenze dirette di un trasferimentu di carica ultraveloce trà i strati allineati epitaxialmente, cunfirmendu e prime indicazioni basate nantu à tecniche tutte ottiche in eterostrutture simili assemblate manualmente cù un allineamentu azimutale arbitrariu di i strati (9-15). Inoltre, mostremu chì questu trasferimentu di carica hè altamente asimmetricu. E nostre misurazioni rivelanu un statu transitoriu separatu da carica prima inosservatu cù elettroni è lacune fotoeccitati situati rispettivamente in u stratu WS2 è di grafene, chì dura circa 1 ps. Interpretemu i nostri risultati in termini di differenze in u spaziu di fase di scattering per u trasferimentu di elettroni è lacune causatu da l'allineamentu relativu di e bande WS2 è di grafene cum'è rivelatu da ARPES ad alta risoluzione. Cumbinatu cù l'eccitazione ottica selettiva per spin è valle (22-25), l'eterostrutture WS2/grafene puderanu furnisce una nova piattaforma per una iniezione di spin otticu ultraveloce efficiente in u grafene.
A figura 1A mostra una misurazione ARPES à alta risoluzione ottenuta cù una lampada à eliu di a struttura di banda longu a direzzione ΓK di l'eterostruttura epitassiale WS2/grafene. U conu di Dirac hè statu dopatu da fori cù u puntu di Dirac situatu à circa 0,3 eV sopra u putenziale chimicu d'equilibriu. A cima di a banda di valenza WS2 divisu in spin hè stata trovata à circa 1,2 eV sottu à u putenziale chimicu d'equilibriu.
(A) Fotocorrente d'equilibriu misurata longu a direzzione ΓK cù una lampada à eliu micca polarizzata. (B) Fotocorrente per u ritardu pompa-sonda negativu misuratu cù impulsi ultravioletti estremi polarizzati p à un'energia di fotoni di 26 eV. E linee grigie è rosse tratteggiate marcanu a pusizione di i profili di linea utilizati per estrarre e pusizioni di piccu transitori in a Fig. 2. (C) Cambiamenti di a fotocorrente indotta da a pompa 200 fs dopu a fotoeccitazione à un'energia di fotoni di pompa di 2 eV cù una fluenza di pompa di 2 mJ/cm2. U guadagnu è a perdita di fotoelettroni sò mostrati rispettivamente in rossu è blu. E caselle indicanu l'area d'integrazione per e tracce pompa-sonda visualizzate in a Fig. 3.
A Figura 1B mostra una istantanea tr-ARPES di a struttura di banda vicinu à i punti K di WS2 è di grafene misurati cù impulsi ultravioletti estremi di 100 fs à energia di fotoni di 26 eV cù un ritardu negativu di a pompa-sonda prima di l'arrivu di l'impulsu di pompa. Quì, a scissione di spin ùn hè micca risolta per via di a degradazione di u campione è di a presenza di l'impulsu di pompa di 2 eV chì provoca l'allargamentu di a carica spaziale di e caratteristiche spettrali. A Figura 1C mostra i cambiamenti di a fotocorrente indotti da a pompa in rispettu à a Fig. 1B cù un ritardu di a pompa-sonda di 200 fs induve u signale di a pompa-sonda righjunghje u so massimu. I culori rossi è blu indicanu rispettivamente u guadagnu è a perdita di fotoelettroni.
Per analizà sta ricca dinamica in più dettagliu, determinemu prima e pusizioni di piccu transitorie di a banda di valenza WS2 è di a banda π di u grafene longu e linee tratteggiate in a Fig. 1B cum'è spiegatu in dettagliu in i Materiali Supplementari. Truvemu chì a banda di valenza WS2 si sposta in su di 90 meV (Fig. 2A) è a banda π di u grafene si sposta in giù di 50 meV (Fig. 2B). A durata di vita esponenziale di sti cambiamenti hè di 1,2 ± 0,1 ps per a banda di valenza di WS2 è 1,7 ± 0,3 ps per a banda π di u grafene. Sti cambiamenti di piccu furniscenu a prima prova di una carica transitoria di i dui strati, induve a carica positiva (negativa) supplementaria aumenta (diminuisce) l'energia di legame di i stati elettronichi. Nutate bè chì u cambiamentu in su di a banda di valenza WS2 hè rispunsevule di u signale prominente di a pompa-sonda in l'area marcata da a scatula nera in a Fig. 1C.
Cambiamentu in a pusizione di u piccu di a banda di valenza WS2 (A) è di a banda π di u grafene (B) in funzione di u ritardu pompa-sonda inseme cù adattamenti esponenziali (linee spesse). A durata di u spostamentu WS2 in (A) hè 1,2 ± 0,1 ps. A durata di u spostamentu di u grafene in (B) hè 1,7 ± 0,3 ps.
Dopu, integremu u signale pompa-sonda sopra e zone indicate da e caselle culurite in a Fig. 1C è tracciamu i conti risultanti in funzione di u ritardu pompa-sonda in a Fig. 3. A curva 1 in a Fig. 3 mostra a dinamica di i purtatori fotoeccitati vicinu à u fondu di a banda di conduzione di u stratu WS2 cù una durata di vita di 1,1 ± 0,1 ps ottenuta da un adattamentu esponenziale à i dati (vede i Materiali Supplementari).
Tracce di pompa-sonda in funzione di u ritardu ottenute integrandu a fotocorrente sopra l'area indicata da e caselle in Fig. 1C. E linee spesse sò adattamenti esponenziali à i dati. Curva (1) Pupulazione di portatori transitori in a banda di conduzione di WS2. Curva (2) Segnale di pompa-sonda di a banda π di grafene sopra u putenziale chimicu d'equilibriu. Curva (3) Segnale di pompa-sonda di a banda π di grafene sottu à u putenziale chimicu d'equilibriu. Curva (4) Segnale nettu di pompa-sonda in a banda di valenza di WS2. I tempi di vita sò 1,2 ± 0,1 ps in (1), 180 ± 20 fs (guadagnu) è ~2 ps (perdita) in (2), è 1,8 ± 0,2 ps in (3).
In e curve 2 è 3 di a Fig. 3, mostremu u signale pump-probe di a banda π di u grafene. Truvemu chì u guadagnu di l'elettroni sopra u putenziale chimicu d'equilibriu (curva 2 in Fig. 3) hà una durata di vita assai più corta (180 ± 20 fs) paragunatu à a perdita di l'elettroni sottu à u putenziale chimicu d'equilibriu (1,8 ± 0,2 ps in a curva 3 Fig. 3). Inoltre, u guadagnu iniziale di a fotocorrente in a curva 2 di a Fig. 3 si trasforma in perdita à t = 400 fs cù una durata di vita di ~2 ps. L'asimmetria trà u guadagnu è a perdita hè assente in u signale pump-probe di u grafene monostrato scupertu (vede a fig. S5 in i Materiali Supplementari), chì indica chì l'asimmetria hè una cunsequenza di l'accoppiamentu interstratu in l'eterostruttura WS2/grafene. L'osservazione di un guadagnu di corta durata è di una perdita di longa durata sopra è sottu à u putenziale chimicu d'equilibriu, rispettivamente, indica chì l'elettroni sò rimossi efficacemente da u stratu di grafene dopu a fotoeccitazione di l'eterostruttura. Di cunsiguenza, u stratu di grafene diventa caricatu pusitivamente, ciò chì hè coerente cù l'aumentu di l'energia di legame di a banda π truvata in a Fig. 2B. U spostamentu in calata di a banda π rimuove a coda d'alta energia di a distribuzione di Fermi-Dirac d'equilibriu da sopra à u putenziale chimicu d'equilibriu, ciò chì spiega in parte u cambiamentu di segnu di u signale di a pompa-sonda in a curva 2 di a Fig. 3. Mostreremu quì sottu chì questu effettu hè ulteriormente rinfurzatu da a perdita transitoria di elettroni in a banda π.
Stu scenariu hè sustinutu da u signale nettu di a pompa-sonda di a banda di valenza WS2 in a curva 4 di a Fig. 3. Quessi dati sò stati ottenuti integrandu i conti annantu à l'area data da a scatula nera in a Fig. 1B chì cattura l'elettroni fotoemessi da a banda di valenza à tutti i ritardi di a pompa-sonda. Dentru à e barre d'errore sperimentali, ùn truvemu alcuna indicazione per a presenza di buchi in a banda di valenza di WS2 per qualsiasi ritardu di a pompa-sonda. Questu indica chì, dopu a fotoeccitazione, sti buchi sò rapidamente riempiti nantu à una scala di tempu corta paragunata à a nostra risoluzione temporale.
Per furnisce una prova finale di a nostra ipotesi di separazione di carica ultraveloce in l'eterostruttura WS2/grafene, determinemu u numeru di buchi trasferiti à u stratu di grafene cum'è descrittu in dettagliu in i Materiali Supplementari. In breve, a distribuzione elettronica transitoria di a banda π hè stata adattata cù una distribuzione Fermi-Dirac. U numeru di buchi hè statu dopu calculatu da i valori risultanti per u putenziale chimicu transitoriu è a temperatura elettronica. U risultatu hè mostratu in a Fig. 4. Truvemu chì un numeru tutale di ~5 × 1012 buchi/cm2 sò trasferiti da WS2 à u grafene cù una durata di vita esponenziale di 1,5 ± 0,2 ps.
Cambiamentu di u numeru di buchi in a banda π in funzione di u ritardu pompa-sonda inseme cù un adattamentu esponenziale chì dà una durata di vita di 1,5 ± 0,2 ps.
Da i risultati in e Fig. 2 à 4, emerge a seguente maghjina microscopica per u trasferimentu di carica ultraveloce in l'eterostruttura WS2/grafene (Fig. 5). A fotoeccitazione di l'eterostruttura WS2/grafene à 2 eV pupula dominantemente l'eccitone A in WS2 (Fig. 5A). Eccitazioni elettroniche supplementari attraversu u puntu di Dirac in u grafene è ancu trà WS2 è e bande di grafene sò energeticamente pussibuli ma considerablemente menu efficienti. I lacune fotoeccitate in a banda di valenza di WS2 sò riempite da elettroni chì originanu da a banda π di grafene in una scala di tempu corta paragunata à a nostra risoluzione temporale (Fig. 5A). L'elettroni fotoeccitate in a banda di conduzione di WS2 anu una durata di vita di ∼1 ps (Fig. 5B). Tuttavia, ci vole ∼2 ps per riempie i lacune in a banda π di grafene (Fig. 5B). Questu indica chì, oltre à u trasferimentu direttu di elettroni trà a banda di conduzione WS2 è a banda π di grafene, devenu esse cunsiderate altre vie di rilassamentu - forse via stati difettosi (26) - per capisce a dinamica cumpleta.
(A) A fotoeccitazione à risonanza cù l'A-eccitone WS2 à 2 eV inietta elettroni in a banda di conduzione di WS2. I lacune currispondenti in a banda di valenza di WS2 sò istantaneamente riempite da elettroni da a banda π di grafene. (B) I portatori fotoeccitati in a banda di conduzione di WS2 anu una durata di vita di ~1 ps. I lacune in a banda π di grafene campanu per ~2 ps, ciò chì indica l'impurtanza di canali di scattering supplementari indicati da frecce tratteggiate. E linee nere tratteggiate in (A) è (B) indicanu spostamenti di banda è cambiamenti in u putenziale chimicu. (C) In u statu transitoriu, u stratu WS2 hè caricatu negativamente mentre u stratu di grafene hè caricatu pusitivamente. Per l'eccitazione selettiva di spin cù luce polarizzata circularmente, si prevede chì l'elettroni fotoeccitati in WS2 è i lacune currispondenti in u grafene mostranu una polarizazione di spin opposta.
In u statu transitoriu, l'elettroni fotoeccitati residenu in a banda di conduzione di WS2 mentre chì i lacune fotoeccitate sò situate in a banda π di u grafene (Fig. 5C). Questu significa chì u stratu di WS2 hè caricatu negativamente è u stratu di grafene hè caricatu pusitivamente. Questu spiega i spostamenti di piccu transitori (Fig. 2), l'asimmetria di u signale di a pompa-sonda di grafene (curve 2 è 3 di Fig. 3), l'assenza di lacune in a banda di valenza di WS2 (curva 4 Fig. 3), è ancu i lacune supplementari in a banda π di grafene (Fig. 4). A durata di vita di questu statu separatu da carica hè di circa 1 ps (curva 1 Fig. 3).
Stati transitori simili separati da carica sò stati osservati in eterostrutture di van der Waals correlate fatte di dui semiconduttori à gap direttu cù allineamentu di banda di tipu II è bandgap sfalsatu (27-32). Dopu a fotoeccitazione, hè statu trovu chì l'elettroni è i lacune si movenu rapidamente versu u fondu di a banda di conduzione è versu a cima di a banda di valenza, rispettivamente, chì si trovanu in diversi strati di l'eterostruttura (27-32).
In u casu di a nostra eterostruttura WS2/grafene, a situazione energeticamente più favurevule per l'elettroni è i buchi hè à u livellu di Fermi in u stratu di grafene metallicu. Dunque, ci si aspetterebbe chì sia l'elettroni sia i buchi si trasferiscenu rapidamente à a banda π di u grafene. Tuttavia, e nostre misurazioni mostranu chjaramente chì u trasferimentu di buchi (<200 fs) hè assai più efficiente chè u trasferimentu di elettroni (∼1 ps). Attribuemu questu à l'allineamentu energeticu relativu di e bande WS2 è di grafene cum'è rivelatu in a Fig. 1A chì offre un numeru più grande di stati finali dispunibili per u trasferimentu di buchi paragunatu à u trasferimentu di elettroni cum'è anticipatu recentemente da (14, 15). In u casu presente, assumendu un bandgap WS2 di ~2 eV, u puntu di Dirac di u grafene è u putenziale chimicu d'equilibriu sò situati rispettivamente à ~0,5 è ~0,2 eV sopra à a mità di u bandgap WS2, rumpendu a simmetria elettrone-bucu. Truvemu chì u numeru di stati finali dispunibili per u trasferimentu di lacune hè circa 6 volte più grande chè per u trasferimentu di elettroni (vede i Materiali Supplementari), per quessa si prevede chì u trasferimentu di lacune sia più veloce di u trasferimentu di elettroni.
Un quadru microscopicu cumpletu di u trasferimentu di carica asimmetricu ultraveloce osservatu deve, però, ancu cunsiderà a sovrapposizione trà l'orbitali chì custituiscenu a funzione d'onda A-eccitone in WS2 è a banda π di u grafene, rispettivamente, diversi canali di scattering elettrone-elettrone è elettrone-fonone, cumpresi i vincoli imposti da a cunservazione di u momentum, l'energia, u spin è u pseudospin, l'influenza di l'oscillazioni di u plasma (33), è ancu u rolu di una pussibile eccitazione displactiva di oscillazioni di fononi coerenti chì puderanu medià u trasferimentu di carica (34, 35). Inoltre, si puderebbe speculà se u statu di trasferimentu di carica osservatu hè custituitu da eccitoni di trasferimentu di carica o coppie elettrone-lacunu libere (vede i Materiali Supplementari). Ulteriori investigazioni teoriche chì vanu oltre u scopu di u presente articulu sò necessarie per chiarificà queste questioni.
In riassuntu, avemu utilizatu tr-ARPES per studià u trasferimentu di carica interstratu ultraveloce in una eterostruttura epitassiale di WS2/grafene. Avemu trovu chì, quandu sò eccitati à risonanza à l'eccitone A di WS2 à 2 eV, i lacune fotoeccitate si trasferiscenu rapidamente in u stratu di grafene mentre l'elettroni fotoeccitate restanu in u stratu di WS2. Avemu attribuitu questu à u fattu chì u numeru di stati finali dispunibili per u trasferimentu di lacune hè più grande chè per u trasferimentu di elettroni. A durata di vita di u statu transitoriu separatu da carica hè stata trovata esse di circa 1 ps. In cumbinazione cù l'eccitazione ottica selettiva di spin chì usa luce polarizzata circularmente (22-25), u trasferimentu di carica ultraveloce osservatu puderia esse accumpagnatu da un trasferimentu di spin. In questu casu, l'eterostruttura di WS2/grafene investigata puderia esse aduprata per una iniezione efficiente di spin otticu in u grafene, risultendu in novi dispositivi optospintronici.
I campioni di grafene sò stati cultivati nantu à wafer cummerciali semiconduttori 6H-SiC(0001) di SiCrystal GmbH. I wafer dopati cù N eranu in asse cù un errore di taglio sottu à 0,5°. U substratu SiC hè statu incisu à l'idrogenu per rimuovere i graffi è ottene terrazze piane regulari. A superficia pulita è atomicamente piana terminata in Si hè stata poi grafitizzata ricottendu u campione in atmosfera di Ar à 1300°C per 8 minuti (36). In questu modu, avemu ottenutu un unicu stratu di carbone induve ogni terzu atomu di carbone hà furmatu un ligame covalente cù u substratu SiC (37). Questu stratu hè statu poi trasfurmatu in grafene dopatu cù fori quasi freestanding cumpletamente ibridatu cù sp2 via intercalazione di l'idrogenu (38). Quessi campioni sò chjamati grafene/H-SiC(0001). Tuttu u prucessu hè statu realizatu in una camera di crescita cummerciale Black Magic di Aixtron. A crescita di WS2 hè stata realizata in un reattore standard à parete calda per deposizione chimica di vapore à bassa pressione (39, 40) utilizendu polveri WO3 è S cù un rapportu di massa di 1:100 cum'è precursori. E polveri WO3 è S sò state mantenute rispettivamente à 900 è 200 °C. A polvere WO3 hè stata piazzata vicinu à u substratu. L'argon hè statu utilizatu cum'è gas vettore cù un flussu di 8 sccm. A pressione in u reattore hè stata mantenuta à 0,5 mbar. I campioni sò stati caratterizati cù microscopia elettronica secundaria, microscopia à forza atomica, Raman è spettroscopia di fotoluminescenza, è ancu diffrazione elettronica à bassa energia. Queste misurazioni anu rivelatu dui diversi duminii monocristallini WS2 induve a direzzione ΓK o ΓK' hè allineata cù a direzzione ΓK di u stratu di grafene. E lunghezze laterali di u duminiu variavanu trà 300 è 700 nm, è a cupertura totale di WS2 hè stata approssimata à circa u 40%, adatta per l'analisi ARPES.
L'esperimenti ARPES statichi sò stati realizati cù un analizzatore emisfericu (SPECS PHOIBOS 150) utilizendu un sistema di rilevatore di dispositivi accoppiati à carica per a rilevazione bidimensionale di l'energia è di u momentum elettronicu. A radiazione He Iα monocromatica non polarizzata (21,2 eV) di una fonte di scarica He à flussu elevatu (VG Scienta VUV5000) hè stata utilizata per tutti l'esperimenti di fotoemissione. L'energia è a risoluzione angulare in i nostri esperimenti eranu megliu cà 30 meV è 0,3° (currispondenti à 0,01 Å−1), rispettivamente. Tutti l'esperimenti sò stati realizati à temperatura ambiente. ARPES hè una tecnica estremamente sensibile à a superficia. Per espulsà i fotoelettroni sia da u stratu WS2 sia da u stratu di grafene, sò stati utilizati campioni cù una cupertura WS2 incompleta di ~40%.
A cunfigurazione tr-ARPES era basata annantu à un amplificatore Titanium:Sapphire di 1 kHz (Coherent Legend Elite Duo). 2 mJ di putenza di uscita sò stati utilizati per a generazione di armoniche elevate in argon. A luce ultravioletta estrema risultante hè passata per un monocromatore à reticolo chì produce impulsi di sonda di 100 fs à un'energia di fotoni di 26 eV. 8 mJ di putenza di uscita di l'amplificatore sò stati mandati in un amplificatore parametricu otticu (HE-TOPAS da Light Conversion). U fasciu di signale à un'energia di fotoni di 1 eV hè statu radduppiatu in frequenza in un cristallu di boratu di bario beta per ottene l'impulsi di pompa di 2 eV. E misurazioni tr-ARPES sò state effettuate cù un analizzatore emisfericu (SPECS PHOIBOS 100). L'energia generale è a risoluzione temporale eranu rispettivamente di 240 meV è 200 fs.
U materiale supplementariu per questu articulu hè dispunibule à http://advances.sciencemag.org/cgi/content/full/6/20/eaay0761/DC1
Questu hè un articulu à accessu apertu distribuitu sottu i termini di a licenza Creative Commons Attribution-NonCommercial, chì permette l'usu, a distribuzione è a ripruduzzione in qualsiasi mezu, purché l'usu risultante ùn sia micca per un vantaghju cummerciale è purché l'opera originale sia citata currettamente.
NOTA: Vi dumandemu solu u vostru indirizzu email per chì a persona à quale ricumandate a pagina sappia chì vulete ch'ella a veda, è chì ùn hè micca posta indesiderata. Ùn catturemu micca alcun indirizzu email.
Sta quistione hè per verificà s'è vo site un visitatore umanu o micca è per impedisce l'invii automatichi di spam.
By Sven Aeschlimann, Antonio Rossi, Mariana Chávez-Cervantes, Razvan Krause, Benito Arnoldi, Benjamin Stadtmüller, Martin Aeschlimann, Stiven Forti, Filippo Fabbri, Camilla Coletti, Isabella Gierz
Rivelemu una separazione di carica ultrarapida in una eterostruttura WS2/grafene chì forse permette l'iniezione di spin otticu in u grafene.
By Sven Aeschlimann, Antonio Rossi, Mariana Chávez-Cervantes, Razvan Krause, Benito Arnoldi, Benjamin Stadtmüller, Martin Aeschlimann, Stiven Forti, Filippo Fabbri, Camilla Coletti, Isabella Gierz
Rivelemu una separazione di carica ultrarapida in una eterostruttura WS2/grafene chì forse permette l'iniezione di spin otticu in u grafene.
© 2020 Associazione Americana per l'Avanzamentu di a Scienza. Tutti i diritti riservati. AAAS hè un cumpagnu di HINARI, AGORA, OARE, CHORUS, CLOCKSS, CrossRef è COUNTER.Science Advances ISSN 2375-2548.
Data di publicazione: 25 di maghju 2020