Gigamit namo ang time- ug angle-resolved photoemission spectroscopy (tr-ARPES) aron imbestigahan ang ultrafast charge transfer sa usa ka epitaxial heterostructure nga hinimo sa monolayer WS2 ug graphene. Kini nga heterostructure naghiusa sa mga benepisyo sa usa ka direct-gap semiconductor nga adunay kusog nga spin-orbit coupling ug kusog nga light-matter interaction uban sa mga benepisyo sa usa ka semimetal nga nag-host sa mga massless carrier nga adunay taas kaayo nga mobility ug taas nga spin lifetimes. Nakita namo nga, human sa photoexcitation sa resonance sa A-exciton sa WS2, ang mga photoexcited hole paspas nga mobalhin ngadto sa graphene layer samtang ang mga photoexcited electrons magpabilin sa WS2 layer. Ang resulta nga charge-separated transient state nakit-an nga adunay lifetime nga ~1 ps. Gipahinungod namo ang among mga nahibal-an sa mga kalainan sa scattering phase space nga gipahinabo sa relatibong alignment sa WS2 ug graphene bands sama sa gipadayag sa high-resolution ARPES. Inubanan sa spin-selective optical excitation, ang gisusi nga WS2/graphene heterostructure mahimong maghatag og plataporma alang sa episyente nga optical spin injection ngadto sa graphene.
Ang pagkaanaa sa daghang lain-laing two-dimensional nga mga materyales nagbukas sa posibilidad sa paghimo og bag-o ug nipis nga mga heterostructure nga adunay hingpit nga bag-ong mga gimbuhaton base sa gipahaom nga dielectric screening ug lain-laing mga epekto nga gipahinabo sa proximity (1–3). Ang mga proof-of-principle device alang sa umaabot nga mga aplikasyon sa natad sa electronics ug optoelectronics natuman na (4–6).
Dinhi, among gipunting ang epitaxial van der Waals heterostructures nga gilangkoban sa monolayer WS2, usa ka direct-gap semiconductor nga adunay kusog nga spin-orbit coupling ug usa ka dako nga spin splitting sa band structure tungod sa nabungkag nga inversion symmetry (7), ug monolayer graphene, usa ka semimetal nga adunay conical band structure ug taas kaayo nga carrier mobility (8), nga gipatubo sa hydrogen-terminated SiC(0001). Ang unang mga indikasyon alang sa ultrafast charge transfer (9–15) ug proximity-induced spin-orbit coupling effects (16–18) naghimo sa WS2/graphene ug susamang heterostructures nga mga kandidato alang sa umaabot nga optoelectronic (19) ug optospintronic (20) nga mga aplikasyon.
Among gitinguha nga ipadayag ang mga relaxation pathway sa photogenerated electron-hole pairs sa WS2/graphene gamit ang time- ug angle-resolved photoemission spectroscopy (tr-ARPES). Alang niana nga katuyoan, among gi-excite ang heterostructure gamit ang 2-eV pump pulses nga resonant sa A-exciton sa WS2 (21, 12) ug gi-eject ang mga photoelectron gamit ang ikaduhang time-delayed probe pulse sa 26-eV photon energy. Among gitino ang kinetic energy ug emission angle sa mga photoelectron gamit ang hemispherical analyzer isip function sa pump-probe delay aron makakuha og access sa momentum-, energy-, ug time-resolved carrier dynamics. Ang energy ug time resolution kay 240 meV ug 200 fs, matag usa.
Ang among mga resulta naghatag og direktang ebidensya alang sa ultrafast charge transfer tali sa epitaxially aligned layers, nga nagpamatuod sa unang mga indikasyon base sa all-optical techniques sa susamang manually assembled heterostructures nga adunay arbitrary azimuthal alignment sa mga layer (9–15). Dugang pa, among gipakita nga kini nga charge transfer kay asymmetric kaayo. Ang among mga sukod nagpadayag sa usa ka wala pa maobserbahan nga charge-separated transient state nga adunay photoexcited electrons ug holes nga nahimutang sa WS2 ug graphene layer, matag usa, nga mabuhi sulod sa ~1 ps. Among gihubad ang among mga nahibal-an sa mga termino sa mga kalainan sa scattering phase space alang sa electron ug hole transfer nga gipahinabo sa relatibong alignment sa WS2 ug graphene bands sama sa gipadayag sa high-resolution ARPES. Inubanan sa spin- ug valley-selective optical excitation (22–25) ang WS2/graphene heterostructures mahimong maghatag og bag-ong plataporma alang sa episyente nga ultrafast optical spin injection ngadto sa graphene.
Ang Figure 1A nagpakita sa usa ka high-resolution nga pagsukod sa ARPES nga nakuha gamit ang helium lamp sa band structure subay sa ΓK-direction sa epitaxial WS2/graphene heterostructure. Ang Dirac cone nakit-an nga adunay hole-doped diin ang Dirac point nahimutang ∼0.3 eV ibabaw sa equilibrium chemical potential. Ang ibabaw sa spin-split WS2 valence band nakit-an nga ∼1.2 eV ubos sa equilibrium chemical potential.
(A) Equilibrium photocurrent nga gisukod subay sa ΓK-direksyon gamit ang unpolarized helium lamp. (B) Photocurrent para sa negatibong pump-probe delay nga gisukod gamit ang p-polarized extreme ultraviolet pulses sa 26-eV photon energy. Ang mga linya nga giputol-putol nga abohon ug pula nagtimaan sa posisyon sa mga line profile nga gigamit sa pagkuha sa transient peak positions sa Fig. 2. (C) Mga pagbag-o sa photocurrent nga gipahinabo sa bomba nga 200 fs human sa photoexcitation sa pump photon energy nga 2 eV nga adunay pump fluence nga 2 mJ/cm2. Ang gain ug loss sa mga photoelectron gipakita sa pula ug asul, matag usa. Ang mga kahon nagpakita sa area of integration para sa pump-probe traces nga gipakita sa Fig. 3.
Ang Figure 1B nagpakita sa usa ka tr-ARPES snapshot sa band structure nga duol sa WS2 ug graphene K-points nga gisukod gamit ang 100-fs extreme ultraviolet pulses sa 26-eV photon energy sa negatibo nga pump-probe delay sa wala pa ang pag-abot sa pump pulse. Dinhi, ang spin splitting wala masulbad tungod sa sample degradation ug ang presensya sa 2-eV pump pulse nga hinungdan sa space charge broadening sa spectral features. Ang Figure 1C nagpakita sa pump-induced nga mga pagbag-o sa photocurrent kalabot sa Fig. 1B sa usa ka pump-probe delay nga 200 fs diin ang pump-probe signal nakaabot sa maximum niini. Ang pula ug asul nga mga kolor nagpakita sa gain ug loss sa mga photoelectron, matag usa.
Aron masusi kini nga dato nga dinamika sa mas detalyado, una natong mahibal-an ang transient peak positions sa WS2 valence band ug ang graphene π-band subay sa dashed lines sa Fig. 1B sama sa gipasabot sa Supplementary Materials. Atong nakita nga ang WS2 valence band mo-shift pataas og 90 meV (Fig. 2A) ug ang graphene π-band mo-shift paubos og 50 meV (Fig. 2B). Ang exponential lifetime niining mga shift kay 1.2 ± 0.1 ps para sa valence band sa WS2 ug 1.7 ± 0.3 ps para sa graphene π-band. Kining mga peak shift naghatag og unang ebidensya sa transient charging sa duha ka layer, diin ang dugang nga positibo (negatibo) nga charge modugang (mokunhod) sa binding energy sa electronic states. Timan-i nga ang upshift sa WS2 valence band maoy responsable sa prominenteng pump-probe signal sa area nga gimarkahan sa black box sa Fig. 1C.
Pagbag-o sa kinatas-ang posisyon sa WS2 valence band (A) ug graphene π-band (B) isip function sa pump-probe delay uban sa exponential fits (baga nga mga linya). Ang tibuok kinabuhi sa WS2 shift sa (A) kay 1.2 ± 0.1 ps. Ang tibuok kinabuhi sa graphene shift sa (B) kay 1.7 ± 0.3 ps.
Sunod, among gi-integrate ang pump-probe signal ibabaw sa mga lugar nga gipakita sa mga kolor nga kahon sa Fig. 1C ug gi-plot ang resulta nga mga ihap isip function sa pump-probe delay sa Fig. 3. Ang Curve 1 sa Fig. 3 nagpakita sa dynamics sa mga photoexcited carriers nga duol sa ubos sa conduction band sa WS2 layer nga adunay lifetime nga 1.1 ± 0.1 ps nga nakuha gikan sa exponential fit sa data (tan-awa ang Supplementary Materials).
Ang mga pagsubay sa pump-probe isip function sa delay nga nakuha pinaagi sa pag-integrate sa photocurrent ibabaw sa area nga gipakita sa mga kahon sa Fig. 1C. Ang baga nga mga linya kay exponential fits sa data. Kurba (1) Transient carrier population sa conduction band sa WS2. Kurba (2) Pump-probe signal sa π-band sa graphene ibabaw sa equilibrium chemical potential. Kurba (3) Pump-probe signal sa π-band sa graphene ubos sa equilibrium chemical potential. Kurba (4) Net pump-probe signal sa valence band sa WS2. Ang mga lifetime makita nga 1.2 ± 0.1 ps sa (1), 180 ± 20 fs (gain) ug ~2 ps (loss) sa (2), ug 1.8 ± 0.2 ps sa (3).
Sa mga kurba 2 ug 3 sa Fig. 3, among gipakita ang pump-probe signal sa graphene π-band. Among nakita nga ang gain sa mga electron nga labaw sa equilibrium chemical potential (curve 2 sa Fig. 3) adunay mas mubo nga lifetime (180 ± 20 fs) kon itandi sa pagkawala sa mga electron nga ubos sa equilibrium chemical potential (1.8 ± 0.2 ps sa curve 3 Fig. 3). Dugang pa, ang inisyal nga gain sa photocurrent sa curve 2 sa Fig. 3 nakit-an nga nahimo nga loss sa t = 400 fs nga adunay lifetime nga ~2 ps. Ang asymmetry tali sa gain ug loss nakit-an nga wala sa pump-probe signal sa uncovered monolayer graphene (tan-awa ang fig. S5 sa Supplementary Materials), nga nagpakita nga ang asymmetry usa ka sangputanan sa interlayer coupling sa WS2/graphene heterostructure. Ang obserbasyon sa mubo nga kinabuhi nga gain ug taas nga kinabuhi nga loss sa ibabaw ug ubos sa equilibrium chemical potential, matag usa, nagpakita nga ang mga electron episyente nga natangtang gikan sa graphene layer sa photoexcitation sa heterostructure. Ingon usa ka resulta, ang graphene layer mahimong positibo nga nakarga, nga nahiuyon sa pagtaas sa binding energy sa π-band nga makita sa Fig. 2B. Ang downshift sa π-band nagtangtang sa high-energy tail sa equilibrium Fermi-Dirac distribution gikan sa ibabaw sa equilibrium chemical potential, nga bahin nga nagpatin-aw sa pagbag-o sa timaan sa pump-probe signal sa curve 2 sa Fig. 3. Atong ipakita sa ubos nga kini nga epekto labi pa nga gipalambo sa transient loss sa mga electron sa π-band.
Kini nga senaryo gisuportahan sa net pump-probe signal sa WS2 valence band sa curve 4 sa Fig. 3. Kini nga datos nakuha pinaagi sa pag-integrate sa mga ihap sa ibabaw sa area nga gihatag sa black box sa Fig. 1B nga nagdakop sa mga electron nga gi-photoemitt gikan sa valence band sa tanang pump-probe delays. Sulod sa experimental error bars, wala kami makakita og indikasyon sa presensya sa mga lungag sa valence band sa WS2 alang sa bisan unsang pump-probe delay. Kini nagpakita nga, human sa photoexcitation, kini nga mga lungag dali nga mapuno pag-usab sa mubo nga time scale kon itandi sa among temporal resolution.
Aron makahatag og katapusang pruweba sa among hypothesis sa ultrafast charge separation sa WS2/graphene heterostructure, among gitino ang gidaghanon sa mga lungag nga gibalhin ngadto sa graphene layer sama sa gihulagway sa detalye sa Supplementary Materials. Sa laktod nga pagkasulti, ang transient electronic distribution sa π-band gi-fit sa Fermi-Dirac distribution. Ang gidaghanon sa mga lungag gikalkulo dayon gikan sa resulta nga mga kantidad para sa transient chemical potential ug electronic temperature. Ang resulta gipakita sa Fig. 4. Nakita namo nga ang kinatibuk-ang gidaghanon nga ∼5 × 1012 ka mga lungag/cm2 gibalhin gikan sa WS2 ngadto sa graphene nga adunay exponential lifetime nga 1.5 ± 0.2 ps.
Pag-usab sa gidaghanon sa mga lungag sa π-band isip function sa pump-probe delay uban sa exponential fit nga moresulta sa lifetime nga 1.5 ± 0.2 ps.
Gikan sa mga nakaplagan sa Figs. 2 hangtod 4, ang mosunod nga mikroskopikong hulagway alang sa ultrafast charge transfer sa WS2/graphene heterostructure migawas (Fig. 5). Ang photoexcitation sa WS2/graphene heterostructure sa 2 eV dominanteng nagpuno sa A-exciton sa WS2 (Fig. 5A). Ang dugang nga electronic excitations tabok sa Dirac point sa graphene ingon man tali sa WS2 ug graphene bands posible sa enerhiya apan dili kaayo episyente. Ang mga photoexcited holes sa valence band sa WS2 gipuno pag-usab sa mga electron nga naggikan sa graphene π-band sa usa ka time scale nga mubo kon itandi sa atong temporal resolution (Fig. 5A). Ang mga photoexcited electron sa conduction band sa WS2 adunay lifetime nga ∼1 ps (Fig. 5B). Bisan pa, mokabat ug ∼2 ps aron mapuno pag-usab ang mga hole sa graphene π-band (Fig. 5B). Kini nagpakita nga, gawas sa direktang pagbalhin sa electron tali sa WS2 conduction band ug sa graphene π-band, ang dugang nga mga agianan sa pagrelaks—posible pinaagi sa mga estado sa depekto (26)—kinahanglan nga tagdon aron masabtan ang tibuok dinamika.
(A) Ang photoexcitation sa resonance sa WS2 A-exciton sa 2 eV nag-inject og mga electron ngadto sa conduction band sa WS2. Ang katugbang nga mga lungag sa valence band sa WS2 diha-diha dayon nga mapuno pag-usab sa mga electron gikan sa graphene π-band. (B) Ang mga photoexcited carrier sa conduction band sa WS2 adunay lifetime nga ∼1 ps. Ang mga lungag sa graphene π-band mabuhi sulod sa ∼2 ps, nga nagpakita sa kamahinungdanon sa dugang nga scattering channels nga gipakita sa mga dashed arrow. Ang itom nga dashed lines sa (A) ug (B) nagpakita sa band shifts ug mga pagbag-o sa chemical potential. (C) Sa transient state, ang WS2 layer negatibo nga naka-charge samtang ang graphene layer positibo nga naka-charge. Para sa spin-selective excitation nga adunay circularly polarized nga kahayag, ang photoexcited electrons sa WS2 ug ang katugbang nga mga lungag sa graphene gilauman nga magpakita sa opposite spin polarization.
Sa transient state, ang mga photoexcited electrons nahimutang sa conduction band sa WS2 samtang ang mga photoexcited holes nahimutang sa π-band sa graphene (Fig. 5C). Kini nagpasabot nga ang WS2 layer kay negatively charged ug ang graphene layer kay positively charged. Kini ang hinungdan sa transient peak shifts (Fig. 2), ang asymmetry sa graphene pump-probe signal (curves 2 ug 3 sa Fig. 3), ang kawalay mga holes sa valence band sa WS2 (curve 4 Fig. 3), ingon man ang dugang nga mga holes sa graphene π-band (Fig. 4). Ang lifetime niining charge-separated state kay ~1 ps (curve 1 Fig. 3).
Parehas nga charge-separated transient states ang naobserbahan sa mga may kalabutan nga van der Waals heterostructures nga hinimo gikan sa duha ka direct-gap semiconductors nga adunay type II band alignment ug staggered bandgap (27–32). Human sa photoexcitation, ang mga electron ug holes nakit-an nga paspas nga mobalhin ngadto sa ubos sa conduction band ug ngadto sa ibabaw sa valence band, matag usa, nga nahimutang sa lain-laing mga layer sa heterostructure (27–32).
Sa kaso sa among WS2/graphene heterostructure, ang labing paborable nga lokasyon para sa mga electron ug hole sa enerhiya anaa sa Fermi level sa metallic graphene layer. Busa, gilauman nga ang mga electron ug hole dali nga mobalhin ngadto sa graphene π-band. Bisan pa, ang among mga sukod klaro nga nagpakita nga ang hole transfer (<200 fs) mas episyente kay sa electron transfer (∼1 ps). Among gipahinungod kini sa relatibong energetic alignment sa WS2 ug sa graphene bands sama sa gipakita sa Fig. 1A nga nagtanyag og mas daghang gidaghanon sa available nga final states para sa hole transfer kon itandi sa electron transfer sama sa bag-o lang gipaabot sa (14, 15). Sa pagkakaron nga kaso, kon i-assume ang ∼2 eV WS2 bandgap, ang graphene Dirac point ug equilibrium chemical potential nahimutang ∼0.5 ug ∼0.2 eV ibabaw sa tunga sa WS2 bandgap, matag usa, nga nagbungkag sa electron-hole symmetry. Among nakita nga ang gidaghanon sa magamit nga katapusang estado para sa pagbalhin sa lungag kay ∼6 ka pilo nga mas dako kay sa pagbalhin sa elektron (tan-awa ang Supplementary Materials), mao nga ang pagbalhin sa lungag gilauman nga mas paspas kay sa pagbalhin sa elektron.
Ang kompletong mikroskopikong hulagway sa naobserbahang ultrafast asymmetric charge transfer kinahanglan usab nga mokonsiderar sa overlap tali sa mga orbital nga naglangkob sa A-exciton wave function sa WS2 ug sa graphene π-band, matag usa, lain-laing electron-electron ug electron-phonon scattering channels lakip na ang mga limitasyon nga gipahamtang sa momentum, energy, spin, ug pseudospin conservation, ang impluwensya sa plasma oscillations (33), ingon man ang papel sa usa ka posible nga displacive excitation sa coherent phonon oscillations nga mahimong mopataliwala sa charge transfer (34, 35). Usab, mahimong hunahunaon kung ang naobserbahang charge transfer state naglangkob ba sa charge transfer excitons o free electron-hole pairs (tan-awa ang Supplementary Materials). Gikinahanglan ang dugang nga mga teoretikal nga imbestigasyon nga molapas sa gilapdon sa karon nga papel aron maklaro kini nga mga isyu.
Sa laktod nga pagkasulti, among gigamit ang tr-ARPES aron tun-an ang ultrafast interlayer charge transfer sa usa ka epitaxial WS2/graphene heterostructure. Among nakita nga, kung ma-excite sa resonance sa A-exciton sa WS2 sa 2 eV, ang mga photoexcited hole dali nga mobalhin ngadto sa graphene layer samtang ang mga photoexcited electrons magpabilin sa WS2 layer. Among gipahinungod kini sa kamatuoran nga ang gidaghanon sa magamit nga final states para sa hole transfer mas dako kaysa sa electron transfer. Ang lifetime sa charge-separated transient state nakit-an nga ~1 ps. Inubanan sa spin-selective optical excitation gamit ang circularly polarized light (22–25), ang naobserbahan nga ultrafast charge transfer mahimong ubanan sa spin transfer. Niini nga kaso, ang gisusi nga WS2/graphene heterostructure mahimong gamiton para sa episyente nga optical spin injection ngadto sa graphene nga moresulta sa nobela nga optospintronic devices.
Ang mga sample sa graphene gipatubo sa komersyal nga semiconducting 6H-SiC(0001) wafers gikan sa SiCrystal GmbH. Ang mga N-doped wafers naa sa axis nga adunay sayop nga pagputol nga ubos sa 0.5°. Ang SiC substrate gi-hydrogen-etched aron makuha ang mga garas ug makakuha og regular nga patag nga mga terrace. Ang limpyo ug atomically flat nga Si-terminated nga nawong gi-graphitize dayon pinaagi sa pag-annealing sa sample sa Ar atmosphere sa 1300°C sulod sa 8 min (36). Niining paagiha, nakakuha kami og usa ka carbon layer diin ang matag ikatulo nga carbon atom nagporma og covalent bond sa SiC substrate (37). Kini nga layer gihimo dayon nga hingpit nga sp2-hybridized quasi free-standing hole-doped graphene pinaagi sa hydrogen intercalation (38). Kini nga mga sample gitawag nga graphene/H-SiC(0001). Ang tibuok proseso gihimo sa usa ka komersyal nga Black Magic growth chamber gikan sa Aixtron. Ang pagtubo sa WS2 gihimo sa usa ka standard nga hot-wall reactor pinaagi sa low-pressure chemical vapor deposition (39, 40) gamit ang WO3 ug S powders nga adunay mass ratio nga 1:100 isip precursors. Ang WO3 ug S powders gipadayon sa 900 ug 200°C, matag usa. Ang WO3 powder gibutang duol sa substrate. Ang Argon gigamit isip carrier gas nga adunay flow nga 8 sccm. Ang pressure sa reactor gipadayon sa 0.5 mbar. Ang mga sample gi-characterize gamit ang secondary electron microscopy, atomic force microscopy, Raman, ug photoluminescence spectroscopy, ingon man low-energy electron diffraction. Kini nga mga sukod nagpadayag sa duha ka lain-laing WS2 single-crystalline domains diin ang ΓK- o ang ΓK'-direction nahiuyon sa ΓK-direction sa graphene layer. Ang gitas-on sa kilid sa domain nagkalainlain tali sa 300 ug 700 nm, ug ang kinatibuk-ang sakup sa WS2 gibanabana nga moabot sa ~40%, nga angay alang sa pag-analisa sa ARPES.
Ang mga static nga eksperimento sa ARPES gihimo gamit ang usa ka hemispherical analyzer (SPECS PHOIBOS 150) gamit ang usa ka charge-coupled device–detector system para sa two-dimensional detection sa electron energy ug momentum. Ang unpolarized, monochromatic He Iα radiation (21.2 eV) sa usa ka high-flux He discharge source (VG Scienta VUV5000) gigamit para sa tanang photoemission experiments. Ang energy ug angular resolution sa among mga eksperimento mas maayo kay sa 30 meV ug 0.3° (katumbas sa 0.01 Å−1), matag usa. Ang tanang eksperimento gihimo sa temperatura sa kwarto. Ang ARPES usa ka surface-sensitive nga teknik. Aron ma-eject ang mga photoelectron gikan sa WS2 ug sa graphene layer, gigamit ang mga sample nga adunay dili kompleto nga WS2 coverage nga ~40%.
Ang tr-ARPES setup gibase sa usa ka 1-kHz Titanium:Sapphire amplifier (Coherent Legend Elite Duo). 2 mJ nga output power ang gigamit para sa high harmonics generation sa argon. Ang resulta nga extreme ultraviolet light gipasa sa usa ka grating monochromator nga nagpatunghag 100-fs probe pulses sa 26-eV photon energy. 8mJ nga amplifier output power ang gipadala ngadto sa usa ka optical parametric amplifier (HE-TOPAS gikan sa Light Conversion). Ang signal beam sa 1-eV photon energy gi-frequency-double sa usa ka beta barium borate crystal aron makuha ang 2-eV pump pulses. Ang mga pagsukod sa tr-ARPES gihimo gamit ang usa ka hemispherical analyzer (SPECS PHOIBOS 100). Ang kinatibuk-ang enerhiya ug temporal resolution kay 240 meV ug 200 fs, matag usa.
Ang dugang nga materyal para niini nga artikulo anaa sa http://advances.sciencemag.org/cgi/content/full/6/20/eaay0761/DC1
Kini usa ka open-access nga artikulo nga giapod-apod ubos sa mga termino sa Creative Commons Attribution-NonCommercial license, nga nagtugot sa paggamit, pag-apod-apod, ug pagpatik pag-usab sa bisan unsang medium, basta ang resulta nga paggamit dili alang sa komersyal nga bentaha ug basta ang orihinal nga buhat gikutlo sa husto.
PAHINUMDOM: Among gipangayo lang ang imong email address aron ang tawo nga imong girekomendar sa panid mahibalo nga gusto nimo nga makita nila kini, ug nga dili kini junk mail. Wala kami magkuha og bisan unsang email address.
Kini nga pangutana para sa pagsulay kung ikaw ba usa ka tawo nga bisita ug aron malikayan ang awtomatikong mga spam nga pagsumite.
Ni Sven Aeschlimann, Antonio Rossi, Mariana Chávez-Cervantes, Razvan Krause, Benito Arnoldi, Benjamin Stadtmüller, Martin Aeschlimann, Stiven Forti, Filippo Fabbri, Camilla Coletti, Isabella Gierz
Among gibutyag ang ultrafast charge separation sa usa ka WS2/graphene heterostructure nga posibleng makapahimo sa optical spin injection ngadto sa graphene.
Ni Sven Aeschlimann, Antonio Rossi, Mariana Chávez-Cervantes, Razvan Krause, Benito Arnoldi, Benjamin Stadtmüller, Martin Aeschlimann, Stiven Forti, Filippo Fabbri, Camilla Coletti, Isabella Gierz
Among gibutyag ang ultrafast charge separation sa usa ka WS2/graphene heterostructure nga posibleng makapahimo sa optical spin injection ngadto sa graphene.
© 2020 American Association for the Advancement of Science. Tanang katungod gigahin. Ang AAAS kay partner sa HINARI, AGORA, OARE, CHORUS, CLOCKSS, CrossRef ug COUNTER.Science Advances ISSN 2375-2548.
Oras sa pag-post: Mayo-25-2020