Kami nganggo spéktroskopi photoemission anu direngsekeun ku waktos sareng sudut (tr-ARPES) pikeun nalungtik transfer muatan ultra gancang dina heterostruktur epitaksial anu didamel tina monolayer WS2 sareng graphene. Heterostruktur ieu ngagabungkeun kauntungan tina semikonduktor celah langsung kalayan gandéngan spin-orbit anu kuat sareng interaksi materi cahaya anu kuat sareng semimetal anu nampung operator tanpa massa kalayan mobilitas anu luhur pisan sareng umur spin anu panjang. Kami mendakan yén, saatos photoexcitation dina résonansi ka A-exciton dina WS2, liang anu di-photoexcited gancang pindah kana lapisan graphene sedengkeun éléktron anu di-photoexcited tetep aya dina lapisan WS2. Kaayaan transien anu dipisahkeun ku muatan anu dihasilkeun kapendak gaduh umur ~1 ps. Kami ngaitkeun panemuan kami kana bédana dina rohangan fase hamburan anu disababkeun ku alignment relatif pita WS2 sareng graphene sakumaha anu diungkabkeun ku ARPES résolusi tinggi. Dikombinasikeun sareng eksitasi optik spin-selektif, heterostruktur WS2/graphene anu ditalungtik tiasa nyayogikeun platform pikeun injeksi spin optik anu efisien kana graphene.
Kasadiaan seueur bahan dua diménsi anu béda-béda parantos muka kamungkinan pikeun nyiptakeun heterostruktur ipis anu anyar kalayan fungsi anu énggal dumasar kana panyaringan dielektrik anu disaluyukeun sareng rupa-rupa épék anu diinduksi ku jarak (1–3). Alat bukti-prinsip pikeun aplikasi ka hareup dina widang éléktronika sareng optoéléktronik parantos direalisasikeun (4–6).
Di dieu, urang fokus kana heterostruktur epitaksial van der Waals anu diwangun ku monolayer WS2, semikonduktor celah langsung kalayan gandéngan spin-orbit anu kuat sareng pamisahan spin anu ageung tina struktur pita kusabab simétri inversi anu rusak (7), sareng monolayer graphene, semimetal kalayan struktur pita kerucut sareng mobilitas pamawa anu luhur pisan (8), anu dipelak dina SiC (0001) anu diakhiri ku hidrogén. Indikasi munggaran pikeun transfer muatan ultrafast (9–15) sareng épék gandéngan spin-orbit anu diinduksi ku jarak (16–18) ngajantenkeun WS2/graphene sareng heterostruktur anu sami janten calon anu ngajangjikeun pikeun aplikasi optoelektronik (19) sareng optospintronik (20) ka hareup.
Kami ngarencanakeun pikeun ngungkabkeun jalur relaksasi pasangan éléktron-liang fotogenerasi dina WS2/graphene nganggo spéktroskopi fotoémisi anu direngsekeun ku waktos sareng sudut (tr-ARPES). Pikeun tujuan éta, kami ngaéksitasi heterostruktur nganggo pulsa pompa 2-eV anu résonansi kana A-exciton dina WS2 (21, 12) sareng ngaluarkeun fotoéléktron nganggo pulsa probe anu ditunda waktos kadua dina énergi foton 26-eV. Kami nangtukeun énergi kinétik sareng sudut émisi fotoéléktron nganggo penganalisis hemisferik salaku fungsi tina reureuh pompa-probe pikeun kéngingkeun aksés kana dinamika pamawa anu direngsekeun ku momentum, énergi, sareng waktos. Résolusi énergi sareng waktos masing-masing nyaéta 240 meV sareng 200 fs.
Hasil panilitian kami nyayogikeun bukti langsung pikeun transfer muatan ultra gancang antara lapisan anu dijajarkeun sacara epitaksial, mastikeun indikasi munggaran dumasar kana téknik sadaya-optik dina heterostruktur anu dirakit sacara manual anu sami kalayan panyelarasan azimuthal lapisan anu teu dihaja (9–15). Salian ti éta, kami nunjukkeun yén transfer muatan ieu asimetris pisan. Pangukuran kami ngungkabkeun kaayaan transien anu dipisahkeun ku muatan anu sateuacanna teu katingali kalayan éléktron sareng liang anu difotoeksitasi anu aya dina lapisan WS2 sareng graphene, masing-masing, anu hirup salami ~1 ps. Kami napsirkeun panemuan kami dina hal bédana dina rohangan fase panyebaran pikeun transfer éléktron sareng liang anu disababkeun ku panyelarasan relatif pita WS2 sareng graphene sakumaha anu diungkabkeun ku ARPES résolusi tinggi. Digabungkeun sareng eksitasi optik spin- sareng valley-selective (22–25) heterostruktur WS2/graphene tiasa nyayogikeun platform énggal pikeun injeksi spin optik ultra gancang anu efisien kana graphene.
Gambar 1A nunjukkeun pangukuran ARPES résolusi luhur anu diala ku lampu hélium tina struktur pita sapanjang arah ΓK tina heterostruktur WS2/grafén épitaksial. Kerucut Dirac kapanggih didoping liang kalayan titik Dirac anu ayana ∼0,3 eV di luhur poténsial kimiawi kasaimbangan. Luhur pita valénsi WS2 anu dipisahkeun ku spin kapanggih ∼1,2 eV di handap poténsial kimiawi kasaimbangan.
(A) Arus foto kasatimbangan diukur sapanjang arah ΓK nganggo lampu hélium anu teu terpolarisasi. (B) Arus foto pikeun reureuh pompa-probe négatif diukur nganggo pulsa ultraviolét ekstrim terpolarisasi-p dina énergi foton 26-eV. Garis abu-abu sareng beureum putus-putus nandakeun posisi profil garis anu dianggo pikeun ngekstrak posisi puncak transien dina Gambar 2. (C) Parobahan anu diinduksi ku pompa tina arus foto 200 fs saatos fotoéksitasi dina énergi foton pompa 2 eV kalayan fluks pompa 2 mJ/cm2. Gain sareng leungitna fotoéléktron dipidangkeun dina warna beureum sareng biru, masing-masing. Kotak-kotak nunjukkeun daérah integrasi pikeun tilas pompa-probe anu dipidangkeun dina Gambar 3.
Gambar 1B nunjukkeun snapshot tr-ARPES tina struktur pita anu caket kana titik-K WS2 sareng graphene anu diukur nganggo pulsa ultraviolet ekstrim 100-fs dina énergi foton 26-eV dina reureuh pompa-probe négatip sateuacan datangna pulsa pompa. Di dieu, pamisahan spin henteu direngsekeun kusabab degradasi sampel sareng ayana pulsa pompa 2-eV anu nyababkeun pelebaran muatan rohangan tina fitur spéktral. Gambar 1C nunjukkeun parobahan anu diinduksi pompa tina arus foto dibandingkeun sareng Gambar 1B dina reureuh pompa-probe 200 fs dimana sinyal pompa-probe ngahontal maksimumna. Warna beureum sareng biru nunjukkeun gain sareng leungitna fotoéléktron, masing-masing.
Pikeun nganalisis dinamika anu beunghar ieu sacara langkung rinci, urang mimitina nangtukeun posisi puncak transien tina pita valensi WS2 sareng pita-π graphene sapanjang garis putus-putus dina Gambar 1B sakumaha anu dijelaskeun sacara rinci dina Bahan Tambahan. Urang mendakan yén pita valensi WS2 ngageser ka luhur ku 90 meV (Gambar 2A) sareng pita-π graphene ngageser ka handap ku 50 meV (Gambar 2B). Umur éksponénsial tina pergeseran ieu kapanggih 1,2 ± 0,1 ps pikeun pita valensi WS2 sareng 1,7 ± 0,3 ps pikeun pita-π graphene. Pergeseran puncak ieu nyayogikeun bukti munggaran ngeunaan ngecas transien tina dua lapisan, dimana muatan positif (negatif) tambahan ningkatkeun (ngurangan) énergi pangiket tina kaayaan éléktronik. Catet yén pergeseran ka luhur pita valensi WS2 tanggung jawab pikeun sinyal pompa-probe anu nonjol di daérah anu ditandaan ku kotak hideung dina Gambar 1C.
Parobahan dina posisi puncak pita valénsi WS2 (A) sareng pita-π graphene (B) salaku fungsi tina reureuh pompa-probe babarengan sareng cocog éksponénsial (garis kandel). Umur pergeseran WS2 dina (A) nyaéta 1,2 ± 0,1 ps. Umur pergeseran graphene dina (B) nyaéta 1,7 ± 0,3 ps.
Salajengna, urang ngahijikeun sinyal pompa-probe kana daérah anu dituduhkeun ku kotak berwarna dina Gambar 1C sareng ngaplot jumlah anu dihasilkeun salaku fungsi tina reureuh pompa-probe dina Gambar 3. Kurva 1 dina Gambar 3 nunjukkeun dinamika pamawa fotoeksitasi caket handapeun pita konduksi lapisan WS2 kalayan umur 1,1 ± 0,1 ps anu diala tina pas éksponénsial kana data (tingali Bahan Tambahan).
Lacak pompa-probe salaku fungsi reureuh anu diala ku cara ngahijikeun arus foto di luhur daérah anu dituduhkeun ku kotak dina Gambar 1C. Garis kandelna cocog sacara éksponénsial kana data. Kurva (1) Populasi pamawa samentawis dina pita konduksi WS2. Kurva (2) Sinyal pompa-probe tina pita-π graphene di luhur poténsi kimia kasaimbangan. Kurva (3) Sinyal pompa-probe tina pita-π graphene di handap poténsi kimia kasaimbangan. Kurva (4) Sinyal pompa-probe bersih dina pita valénsi WS2. Umur kapanggih 1,2 ± 0,1 ps dina (1), 180 ± 20 fs (gain) sareng ~2 ps (loss) dina (2), sareng 1,8 ± 0,2 ps dina (3).
Dina kurva 2 sareng 3 Gambar 3, urang nunjukkeun sinyal pompa-probe tina pita-π graphene. Urang mendakan yén gain éléktron di luhur poténsi kimia kasaimbangan (kurva 2 dina Gambar 3) gaduh umur anu langkung pondok (180 ± 20 fs) dibandingkeun sareng leungitna éléktron di handap poténsi kimia kasaimbangan (1,8 ± 0,2 ps dina kurva 3 Gambar 3). Salajengna, gain awal tina photocurrent dina kurva 2 Gambar 3 kapendak janten rugi dina t = 400 fs kalayan umur ~2 ps. Asimetri antara gain sareng rugi kapendak teu aya dina sinyal pompa-probe tina graphene monolayer anu teu katutup (tingali gambar S5 dina Bahan Tambahan), nunjukkeun yén asimetri mangrupikeun akibat tina gandeng antar lapisan dina heterostruktur WS2/graphene. Observasi gain jangka pondok sareng karugian jangka panjang di luhur sareng di handap poténsial kimiawi kasaimbangan, masing-masing, nunjukkeun yén éléktron dipiceun sacara efisien tina lapisan graphene nalika fotoeksitasi heterostruktur. Hasilna, lapisan graphene janten muatan positif, anu saluyu sareng paningkatan énergi pangiket pita-π anu aya dina Gambar 2B. Downshift pita-π ngaleungitkeun buntut énergi tinggi tina distribusi Fermi-Dirac kasaimbangan ti luhur poténsial kimiawi kasaimbangan, anu sabagian ngajelaskeun parobahan tanda sinyal pompa-probe dina kurva 2 Gambar 3. Kami bakal nunjukkeun di handap yén pangaruh ieu langkung ditingkatkeun ku karugian éléktron samentawis dina pita-π.
Skenario ieu dirojong ku sinyal pompa-probe bersih tina pita valensi WS2 dina kurva 4 Gambar 3. Data ieu diala ku cara ngahijikeun cacahan dina daérah anu dipasihkeun ku kotak hideung dina Gambar 1B anu néwak éléktron anu dipancarkeun tina pita valensi dina sadaya reureuh pompa-probe. Dina bilah kasalahan ékspériméntal, urang henteu mendakan indikasi ayana liang dina pita valensi WS2 pikeun reureuh pompa-probe. Ieu nunjukkeun yén, saatos fotoéksitasi, liang ieu gancang dieusi deui dina skala waktos anu pondok dibandingkeun sareng résolusi temporal urang.
Pikeun nyadiakeun bukti ahir pikeun hipotesis kami ngeunaan pamisahan muatan ultra gancang dina heterostruktur WS2/graphene, kami nangtukeun jumlah liang anu ditransfer ka lapisan graphene sakumaha anu dijelaskeun sacara rinci dina Bahan Tambahan. Singkatna, distribusi éléktronik transien tina pita-π dipasangan ku distribusi Fermi-Dirac. Jumlah liang teras diitung tina nilai anu dihasilkeun pikeun poténsial kimia transien sareng suhu éléktronik. Hasilna dipidangkeun dina Gambar 4. Kami mendakan yén jumlah total ~5 × 1012 liang/cm2 ditransfer tina WS2 ka graphene kalayan umur éksponénsial 1,5 ± 0,2 ps.
Parobahan jumlah liang dina pita-π salaku fungsi tina reureuh pompa-probe babarengan jeung pas éksponénsial anu ngahasilkeun umur 1,5 ± 0,2 ps.
Tina panemuan dina Gambar 2 dugi ka 4, gambar mikroskopis ieu pikeun transfer muatan ultra gancang dina heterostruktur WS2/graphene muncul (Gambar 5). Fotoeksitasi heterostruktur WS2/graphene dina 2 eV dominan ngeusian A-exciton dina WS2 (Gambar 5A). Eksitasi éléktronik tambahan di sakuliah titik Dirac dina graphene ogé antara pita WS2 sareng graphene sacara énergi mungkin tapi kirang efisien. Liang fotoeksitasi dina pita valensi WS2 dieusi deui ku éléktron anu asalna tina pita π graphene dina skala waktos anu pondok dibandingkeun sareng résolusi temporal urang (Gambar 5A). Éléktron fotoeksitasi dina pita konduksi WS2 gaduh umur hirup ~1 ps (Gambar 5B). Nanging, peryogi ~2 ps pikeun ngeusian deui liang dina pita π graphene (Gambar 5B). Ieu nunjukkeun yén, sajaba ti transfer éléktron langsung antara pita konduksi WS2 sareng pita-π graphene, jalur relaksasi tambahan—kamungkinan ngalangkungan kaayaan cacad (26)—perlu dipertimbangkeun pikeun ngartos dinamika lengkepna.
(A) Fotoéksitasi dina résonansi ka WS2 A-éksiton dina 2 eV nyuntikkeun éléktron kana pita konduksi WS2. Liang anu saluyu dina pita valénsi WS2 langsung dieusi deui ku éléktron tina pita-π graphene. (B) Pamawa fotoéksitasi dina pita konduksi WS2 gaduh umur hirup ~1 ps. Liang dina pita-π graphene hirup salami ~2 ps, nunjukkeun pentingna saluran hamburan tambahan anu dituduhkeun ku panah putus-putus. Garis putus-putus hideung dina (A) sareng (B) nunjukkeun pergeseran pita sareng parobahan poténsial kimia. (C) Dina kaayaan transien, lapisan WS2 dicas négatif sedengkeun lapisan graphene dicas positif. Pikeun eksitasi spin-selektif kalayan cahaya anu terpolarisasi sirkular, éléktron fotoéksitasi dina WS2 sareng liang anu saluyu dina graphene diperkirakeun nunjukkeun polarisasi spin anu sabalikna.
Dina kaayaan transien, éléktron anu difotoeksitasi aya dina pita konduksi WS2 sedengkeun liang anu difotoeksitasi aya dina pita π graphene (Gambar 5C). Ieu ngandung harti yén lapisan WS2 boga muatan négatif sareng lapisan graphene boga muatan positif. Ieu ngajelaskeun pergeseran puncak transien (Gambar 2), asimetri sinyal pompa-probe graphene (kurva 2 sareng 3 tina Gambar 3), henteuna liang dina pita valénsi WS2 (kurva 4 Gambar 3), ogé liang tambahan dina pita π graphene (Gambar 4). Umur kaayaan anu dipisahkeun ku muatan ieu nyaéta ~1 ps (kurva 1 Gambar 3).
Kaayaan transien anu dipisahkeun ku muatan anu sami parantos dititénan dina heterostruktur van der Waals anu aya hubunganana anu didamel tina dua semikonduktor celah langsung kalayan panyelarasan pita tipe II sareng celah pita anu diulur (27–32). Saatos fotoeksitasi, éléktron sareng liang kapanggih gancang ngalih ka handapeun pita konduksi sareng ka luhur pita valensi, masing-masing, anu ayana dina lapisan heterostruktur anu béda (27–32).
Dina kasus heterostruktur WS2/graphene urang, lokasi anu paling nguntungkeun sacara énergi pikeun éléktron sareng liang nyaéta dina tingkat Fermi dina lapisan graphene logam. Ku kituna, urang bakal ngarepkeun yén éléktron sareng liang gancang pindah ka pita-π graphene. Nanging, pangukuran urang sacara jelas nunjukkeun yén transfer liang (<200 fs) langkung efisien tibatan transfer éléktron (∼1 ps). Urang ngaitkeun ieu kana panyelarasan énergi relatif tina pita WS2 sareng graphene sapertos anu diungkabkeun dina Gambar 1A anu nawiskeun jumlah anu langkung ageung tina kaayaan ahir anu sayogi pikeun transfer liang dibandingkeun sareng transfer éléktron sapertos anu diantisipasi ku (14, 15). Dina kasus ayeuna, kalayan nganggap celah pita WS2 ∼2 eV, titik Dirac graphene sareng poténsi kimia kasaimbangan ayana ∼0,5 sareng ∼0,2 eV di luhur tengah celah pita WS2, masing-masing, megatkeun simétri éléktron-liang. Kami mendakan yén jumlah kaayaan ahir anu sayogi pikeun transfer liang nyaéta ~6 kali langkung ageung tibatan transfer éléktron (tingali Bahan Tambahan), éta sababna transfer liang diperkirakeun langkung gancang tibatan transfer éléktron.
Gambaran mikroskopis lengkep ngeunaan transfer muatan asimetris ultra gancang anu dititénan, kumaha ogé, kedah mertimbangkeun tumpang tindih antara orbital anu ngawangun fungsi gelombang A-exciton dina WS2 sareng pita π graphene, masing-masing, saluran hamburan éléktron-éléktron sareng éléktron-phonon anu béda kalebet kendala anu ditumpukeun ku moméntum, énergi, spin, sareng konservasi pseudospin, pangaruh osilasi plasma (33), ogé peran tina kamungkinan éksitasi displacif tina osilasi fonon koheren anu tiasa ngamediasi transfer muatan (34, 35). Ogé, urang tiasa berspekulasi naha kaayaan transfer muatan anu dititénan diwangun ku éksiton transfer muatan atanapi pasangan éléktron-liang bébas (tingali Bahan Tambahan). Panilitian téoritis salajengna anu saluareun ruang lingkup makalah ieu diperyogikeun pikeun ngajelaskeun masalah ieu.
Singkatna, urang parantos nganggo tr-ARPES pikeun nalungtik transfer muatan antar lapisan ultra gancang dina heterostruktur epitaksial WS2/graphene. Urang mendakan yén, nalika dieksitasi dina résonansi ka A-exciton WS2 dina 2 eV, liang anu difotoeksitasi gancang pindah kana lapisan graphene sedengkeun éléktron anu difotoeksitasi tetep aya dina lapisan WS2. Urang ngaitkeun ieu kana kanyataan yén jumlah kaayaan ahir anu sayogi pikeun transfer liang langkung ageung tibatan transfer éléktron. Umur kaayaan transien anu dipisahkeun ku muatan kapanggih ~1 ps. Digabungkeun sareng eksitasi optik spin-selektif nganggo cahaya terpolarisasi sirkular (22–25), transfer muatan ultra gancang anu dititénan tiasa dibarengan ku transfer spin. Dina hal ieu, heterostruktur WS2/graphene anu ditalungtik tiasa dianggo pikeun injeksi spin optik anu efisien kana graphene anu ngahasilkeun alat optospintronik anyar.
Sampel graphene dipelak dina wafer semikonduktor komérsial 6H-SiC (0001) ti SiCrystal GmbH. Wafer anu didoping N aya dina sumbu kalayan salah potong di handap 0,5°. Substrat SiC di-etch hidrogén pikeun miceun goresan sareng kéngingkeun teras datar anu teratur. Permukaan anu di-terminated Si anu bersih sareng rata sacara atom teras di-graphitize ku cara ngahaneal sampel dina atmosfir Ar dina suhu 1300°C salami 8 menit (36). Ku cara kieu, urang kéngingkeun lapisan karbon tunggal dimana unggal atom karbon katilu ngabentuk beungkeut kovalén kana substrat SiC (37). Lapisan ieu teras dirobih janten graphene anu didoping liang anu didoping ku liang anu di-sp2-hibridisasi lengkep ngalangkungan interkalasi hidrogén (38). Sampel ieu disebut graphene/H-SiC (0001). Sakabéh prosés dilaksanakeun dina kamar pertumbuhan Black Magic komérsial ti Aixtron. Tumuwuhna WS2 dilaksanakeun dina réaktor témbok panas standar ku cara déposisi uap kimia tekanan rendah (39, 40) nganggo bubuk WO3 sareng S kalayan babandingan massa 1:100 salaku prékursor. Bubuk WO3 sareng S dijaga dina suhu 900 sareng 200°C, masing-masing. Bubuk WO3 disimpen caket substrat. Argon dianggo salaku gas pembawa kalayan aliran 8 sccm. Tekanan dina réaktor dijaga dina 0,5 mbar. Sampel dicirikeun ku mikroskop éléktron sekundér, mikroskop gaya atom, Raman, sareng spéktroskopi photoluminescence, ogé difraksi éléktron énergi rendah. Pangukuran ieu ngungkabkeun dua domain kristal tunggal WS2 anu béda dimana boh arah ΓK- atanapi ΓK'-disaluyukeun sareng arah ΓK-lapisan graphene. Panjang sisi domain rupa-rupa antara 300 sareng 700 nm, sareng total cakupan WS2 diperkirakeun sakitar ~40%, cocog pikeun analisis ARPES.
Ékspérimén ARPES statik dilaksanakeun nganggo penganalisis hémisfér (SPECS PHOIBOS 150) nganggo sistem alat-detéktor anu digandeng muatan pikeun deteksi dua diménsi énergi sareng moméntum éléktron. Radiasi He Iα monokromatik anu teu terpolarisasi (21,2 eV) tina sumber debit He fluks tinggi (VG Scienta VUV5000) dianggo pikeun sadaya ékspérimén fotoémisi. Énergi sareng résolusi sudut dina ékspérimén kami langkung saé tibatan 30 meV sareng 0,3° (anu saluyu sareng 0,01 Å−1), masing-masing. Sadaya ékspérimén dilaksanakeun dina suhu kamar. ARPES mangrupikeun téknik anu sénsitip pisan kana permukaan. Pikeun ngaluarkeun fotoéléktron tina lapisan WS2 sareng graphene, sampel kalayan panutup WS2 anu teu lengkep ~40% dianggo.
Setelan tr-ARPES dumasar kana amplifier Titanium:Sapphire 1-kHz (Coherent Legend Elite Duo). Daya kaluaran 2 mJ dianggo pikeun ngahasilkeun harmonik anu luhur dina argon. Sinar ultraviolet ekstrim anu dihasilkeun dialirkeun ngaliwatan monokromator grating anu ngahasilkeun pulsa probe 100-fs dina énergi foton 26-eV. Daya kaluaran amplifier 8mJ dikirim kana amplifier parametrik optik (HE-TOPAS tina Konversi Cahaya). Sinar sinyal dina énergi foton 1-eV digandakeun frékuénsina dina kristal béta barium borat pikeun kéngingkeun pulsa pompa 2-eV. Pangukuran tr-ARPES dilakukeun nganggo penganalisis hemisferik (SPECS PHOIBOS 100). Énergi sakabéhna sareng résolusi temporal nyaéta 240 meV sareng 200 fs, masing-masing.
Bahan tambahan pikeun artikel ieu sayogi di http://advances.sciencemag.org/cgi/content/full/6/20/eaay0761/DC1
Ieu mangrupikeun artikel aksés kabuka anu disebarkeun dina istilah lisénsi Creative Commons Attribution-NonCommercial, anu ngawenangkeun panggunaan, distribusi, sareng réproduksi dina média naon waé, salami panggunaan anu dihasilkeun sanés pikeun kauntungan komérsial sareng salami karya aslina disitasi kalayan leres.
CATETAN: Kami ngan ukur nyuhunkeun alamat email anjeun supados jalmi anu anjeun rekomendasikeun halaman éta terang yén anjeun hoyong aranjeunna ningali éta, sareng éta sanés email sampah. Kami henteu ngarékam alamat email naon waé.
Patarosan ieu kanggo nguji naha anjeun pangunjung manusa atanapi henteu sareng pikeun nyegah kiriman spam otomatis.
Ku Sven Aeschlimann, Antonio Rossi, Mariana Chávez-Cervantes, Razvan Krause, Benito Arnoldi, Benjamin Stadtmüller, Martin Aeschlimann, Stiven Forti, Filippo Fabbri, Camilla Coletti, Isabella Gierz
Kami ngungkabkeun pamisahan muatan ultra gancang dina heterostruktur WS2/graphene anu kamungkinan ngamungkinkeun injeksi spin optik kana graphene.
Ku Sven Aeschlimann, Antonio Rossi, Mariana Chávez-Cervantes, Razvan Krause, Benito Arnoldi, Benjamin Stadtmüller, Martin Aeschlimann, Stiven Forti, Filippo Fabbri, Camilla Coletti, Isabella Gierz
Kami ngungkabkeun pamisahan muatan ultra gancang dina heterostruktur WS2/graphene anu kamungkinan ngamungkinkeun injeksi spin optik kana graphene.
© 2020 Asosiasi Amérika pikeun Kamajuan Élmu. Sadaya hak disimpen. AAAS mangrupikeun mitra HINARI, AGORA, OARE, CHORUS, CLOCKSS, CrossRef sareng COUNTER.Science Advances ISSN 2375-2548.
Waktos posting: 25-Méi-2020