Pêşî divê em bizaninPECVD(Depozîsyona Buxara Kîmyayî ya Bi Zêdekirina Plazmayê). Plazma zêdebûna tevgera germî ya molekulên materyalê ye. Pevçûna di navbera wan de dê bibe sedema îyonîzekirina molekulên gazê, û materyal dê bibe tevlîheviyek ji îyonên erênî, elektron û perçeyên bêalî yên ku bi serbestî diçin û bi hev re têkilî datînin.
Tê texmînkirin ku rêjeya windabûna refleksê ya ronahiyê li ser rûyê silîkonê digihîje nêzîkî %35. Fîlma dij-refleksê dikare rêjeya bikaranîna ronahiya rojê ji hêla şaneya bateriyê ve pir baştir bike, ku dibe alîkar ku dendika herika fotoçêkirî zêde bibe û bi vî rengî karîgeriya veguherînê baştir bibe. Di heman demê de, hîdrojena di fîlmê de rûyê şaneya bateriyê pasîf dike, rêjeya ji nû ve kombînasyona rûyê girêdana emitter kêm dike, herika tarî kêm dike, voltaja devreya vekirî zêde dike, û karîgeriya veguherîna fotoelektrîkê baştir dike. Germkirina yekser a germahiya bilind di pêvajoya şewitandinê de hin girêdanên Si-H û NH dişkîne, û H2-ya azadkirî pasîfîzekirina bateriyê bêtir xurt dike.
Ji ber ku materyalên silîkonê yên asta fotovoltaîk bê guman gelek qirêjî û kêmasiyên dihewînin, temenê hilgirê kêmaniyê û dirêjahiya belavbûnê di silîkonê de kêm dibe, ku di encamê de karîgeriya veguherîna bateriyê kêm dibe. H dikare bi kêmasî an qirêjiyên di silîkonê de reaksiyonê bike, bi vî rengî benda enerjiyê ya di navbera bendê de vediguhezîne benda valansê an benda rêvebirinê.
1. Prensîba PECVD
Sîstema PECVD rêze jeneratoran e ku bikar tîninQeyika grafîtê ya PECVD û ajîtatorên plazmaya frekanseke bilind. Jeneratora plazmayê rasterast li nîvê plakaya pêçandinê tê sazkirin da ku di bin zexta nizm û germahiya bilind de reaksiyonê nîşan bide. Gazên çalak ên ku têne bikar anîn sîlan SiH4 û amonyak NH3 ne. Ev gaz li ser nîtrîda silîkonê ya ku li ser wafera silîkonê hatî hilanîn tevdigerin. Bi guhertina rêjeya sîlanê bi amonyakê re, îndeksên şikandina cûda dikarin werin bidestxistin. Di dema pêvajoya danînê de, hejmareke mezin ji atomên hîdrojenê û îyonên hîdrojenê têne çêkirin, ku pasîvasyona hîdrojenê ya waferê pir baş dike. Di valahiyek û germahiya hawîrdorê ya 480 pileya Celsius de, qatek SixNy li ser rûyê wafera silîkonê bi rêveçûnaQeyika grafîtê ya PECVD.
3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2
2. Si3N4
Rengê fîlma Si3N4 li gor qalindahiya wê diguhere. Bi gelemperî, qalindahiya îdeal di navbera 75 û 80 nm de ye, ku şînê tarî xuya dike. Îndeksa şikestinê ya fîlma Si3N4 di navbera 2.0 û 2.5 de çêtirîn e. Ji bo pîvandina îndeksa şikestinê bi gelemperî alkol tê bikar anîn.
Bandora pasîfîzekirina rûyê hêja, performansa dij-refleksa optîkî ya bi bandor (hevhatina endeksa şikestinê ya qalindahiyê), pêvajoya germahiya nizm (bi bandor lêçûnan kêm dike), û îyonên H2 yên çêkirî rûyê wafera silîkonê pasîf dikin.
3. Mijarên hevpar di atolyeya pêçandinê de
Qalindahiya fîlmê:
Dema danîna fîlmê ji bo qalindahiyên cûda yên fîlmê cuda ye. Divê dema danîna fîlmê li gorî rengê pêçanê bi awayekî guncaw were zêdekirin an kêmkirin. Ger fîlm spî be, divê dema danîna fîlmê were kêmkirin. Ger sor be, divê bi awayekî guncaw were zêdekirin. Divê her qeyikek fîlman bi tevahî were piştrastkirin, û destûr neyê dayîn ku berhemên xelet bikevin pêvajoya din. Mînakî, ger pêçan xirab be, wek lekeyên reng û nîşanên avê, divê spîkirina rûyê herî gelemperî, cûdahiya reng û lekeyên spî yên li ser xeta hilberînê di wextê xwe de werin hilbijartin. Spîkirina rûyê bi giranî ji ber fîlma nîtrîda silîkonê ya stûr çêdibe, ku dikare bi verastkirina dema danîna fîlmê were sererast kirin; cûdahiya reng a fîlmê bi giranî ji ber astengkirina rêya gazê, rijandina lûleya quartz, têkçûna mîkropêlê, hwd. çêdibe; lekeyên spî bi giranî ji ber lekeyên reş ên piçûk di pêvajoya berê de çêdibin. Çavdêriya refleksîfîteyê, endeksa şikestinê, hwd., ewlehiya gazên taybetî, hwd.
Xalên spî li ser rûyê:
PECVD pêvajoyek nisbeten girîng e di şaneyên rojê de û nîşaneyek girîng a karîgeriya şaneyên rojê yên pargîdaniyekê ye. Pêvajoya PECVD bi gelemperî mijûl e, û her komek şaneyan hewce dike ku were şopandin. Gelek lûleyên firna pêçandinê hene, û her lûle bi gelemperî bi sedan şaneyan hene (li gorî alavan). Piştî guhertina parametreyên pêvajoyê, çerxa verastkirinê dirêj e. Teknolojiya pêçandinê teknolojiyek e ku tevahiya pîşesaziya fotovoltaîk girîngiyek mezin dide wê. Karîgeriya şaneyên rojê dikare bi baştirkirina teknolojiya pêçandinê were baştir kirin. Di pêşerojê de, teknolojiya rûyê şaneyên rojê dibe ku di karîgeriya teorîk a şaneyên rojê de bibe pêşveçûnek.
Dema weşandinê: 23ê Kanûna Pêşîn a 2024an