Беренчедән, безгә белергә кирәкPECVD(Плазма белән көчәйтелгән химик пар утырту). Плазма - материал молекулаларының җылылык хәрәкәтенең көчәюе. Алар арасындагы бәрелеш газ молекулаларының ионлашуына китерәчәк, һәм материал бер-берсе белән үзара тәэсир итүче ирекле хәрәкәт итүче уңай ионнар, электроннар һәм нейтраль кисәкчәләр катнашмасына әйләнәчәк.
Кремний өслегендә яктылыкның чагылыш югалту тизлеге якынча 35% ка җитә дип исәпләнә. Чагылуга каршы пленка батарея элементы тарафыннан кояш нурын куллану тизлеген сизелерлек яхшырта ала, бу фотогенерацияләнгән ток тыгызлыгын арттырырга һәм шулай итеп конверсия нәтиҗәлелеген яхшыртырга ярдәм итә. Шул ук вакытта, пленкадагы водород батарея элементы өслеген пассивлаштыра, эмиттер тоташуының өслек рекомбинация тизлеген киметә, караңгы токны киметә, ачык схема көчәнешен арттыра һәм фотоэлектр конверсия нәтиҗәлелеген яхшырта. Яну процессында югары температуралы тиз яндыру кайбер Si-H һәм NH бәйләнешләрен өзә, ә азат ителгән H батареяның пассивлашуын тагын да көчәйтә.
Фотоэлектрик класслы кремний материаллары һичшиксез күп күләмдә катнашмалар һәм кимчелекләр булганлыктан, кремнийдагы азчылык йөртүчеләрнең гомер озынлыгы һәм диффузия озынлыгы кими, нәтиҗәдә батареяның конверсия нәтиҗәлелеге кими. H кремнийдагы кимчелекләр яки катнашмалар белән реакциягә керә ала, шуның белән зона аралыгындагы энергия зонасын валент зонасына яки үткәрү зонасына күчерә.
1. PECVD принцибы
PECVD системасы - кулланучы генераторлар сериясеPECVD графит көймәсе һәм югары ешлыклы плазма коздыргычлары. Плазма генераторы түбән басым һәм югары температура астында реакциягә керер өчен каплау пластинасының уртасына турыдан-туры урнаштырыла. Кулланылган актив газлар - силан SiH4 һәм аммиак NH3. Бу газлар кремний пластинасында сакланган кремний нитридына тәэсир итә. Силанның аммиакка нисбәтен үзгәртү юлы белән төрле сыну күрсәткечләрен алырга мөмкин. Чөкмә процессы вакытында күп күләмдә водород атомнары һәм водород ионнары барлыкка килә, бу пластинаның водород пассивлашуын бик яхшы итә. Вакуумда һәм 480 градус Цельсий тирә-юнь температурасында кремний пластинасы өслегенә SixNy катламы каплана, ул ... үткәрә.PECVD графит көймәсе.
3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2
2. Si3N4
Si3N4 пленкасының төсе аның калынлыгына карап үзгәрә. Гадәттә, идеаль калынлык 75-80 нм арасында, ул куе зәңгәрсу төстә күренә. Si3N4 пленкасының сыну күрсәткече иң яхшысы 2.0-2.5 арасында. Аның сыну күрсәткечен үлчәү өчен гадәттә спирт кулланыла.
Өслек пассивлаштыруның бик яхшы эффекты, оптик чагылышка каршы нәтиҗәлелек (калынлык сыну күрсәткечен туры китерү), түбән температуралы эшкәртү (чыгымнарны нәтиҗәле киметә), һәм барлыкка килгән H2 ионнары кремний пластинасы өслеген пассивлаштыра.
3. Каплау остаханәсендәге гомуми мәсьәләләр
Пленка калынлыгы:
Төрле пленка калынлыгы өчен урнаштыру вакыты төрлечә. урнаштыру вакыты каплау төсенә карап тиешенчә арттырылырга яки киметелергә тиеш. Әгәр пленка аксыл булса, урнаштыру вакыты киметелергә тиеш. Әгәр ул кызыл булса, тиешенчә арттырылырга тиеш. Пленкаларның һәр сериясе тулысынча расланырга тиеш, һәм кимчелекле продуктларның киләсе процесска агып керүенә юл куелмаска тиеш. Мәсәлән, каплау начар булса, мәсәлән, төс таплары һәм су билгеләре, җитештерү линиясендә иң еш очрый торган өслек агарту, төс аермасы һәм ак таплар вакытында ачыкланырга тиеш. Өслек агарту, нигездә, калын кремний нитриды пленкасы аркасында килеп чыга, аны пленка урнаштыру вакытын көйләп көйләргә мөмкин; төс аермасы пленкасы, нигездә, газ юлы тыгылу, кварц трубкасы агып чыгу, микродулкынлы мич эшләмәү һ.б. аркасында килеп чыга; ак таплар, нигездә, алдагы процесстагы кечкенә кара таплар аркасында килеп чыга. Чагылышны, сыну күрсәткечен һ.б., махсус газларның куркынычсызлыгын күзәтү һ.б.
Өслектә ак таплар:
PECVD кояш батареяларында чагыштырмача мөһим процесс һәм компаниянең кояш батареяларының нәтиҗәлелегенең мөһим күрсәткече. PECVD процессы, гадәттә, мәшгуль, һәм һәр батарея партиясен күзәтергә кирәк. Күп каплау мич торбалары бар, һәм һәр торбада, гадәттә, йөзләгән элемент бар (җиһазларга карап). Процесс параметрларын үзгәрткәннән соң, тикшерү циклы озын. Каплау технологиясе - бөтен фотоэлектрик сәнәгате зур әһәмият бирә торган технология. Кояш батареяларының нәтиҗәлелеген каплау технологиясен яхшырту юлы белән яхшыртырга мөмкин. Киләчәктә кояш батареялары өслеге технологиясе кояш батареяларының теоретик нәтиҗәлелегендә зур ачыш булырга мөмкин.
Бастырылган вакыты: 2024 елның 23 декабре