سب سے پہلے، ہمیں جاننا ضروری ہےپی ای سی وی ڈی(پلازما بڑھا ہوا کیمیائی بخارات کا ذخیرہ)۔ پلازما مادی مالیکیولز کی تھرمل حرکت کی شدت ہے۔ ان کے درمیان ٹکراؤ سے گیس کے مالیکیولز آئنائز ہو جائیں گے، اور مواد آزادانہ طور پر حرکت پذیر مثبت آئنوں، الیکٹرانوں اور غیر جانبدار ذرات کا مرکب بن جائے گا جو ایک دوسرے کے ساتھ تعامل کرتے ہیں۔
یہ اندازہ لگایا گیا ہے کہ سلیکون کی سطح پر روشنی کے انعکاس کے نقصان کی شرح تقریباً 35 فیصد ہے۔ اینٹی ریفلیکشن فلم بیٹری سیل کے ذریعہ شمسی روشنی کے استعمال کی شرح کو بہت بہتر بنا سکتی ہے، جو فوٹو جنریٹڈ کرنٹ کثافت کو بڑھانے میں مدد کرتی ہے اور اس طرح تبادلوں کی کارکردگی کو بہتر بناتی ہے۔ ایک ہی وقت میں، فلم میں موجود ہائیڈروجن بیٹری سیل کی سطح کو غیر فعال کرتا ہے، ایمیٹر جنکشن کی سطح کے دوبارہ ملاپ کی شرح کو کم کرتا ہے، تاریک کرنٹ کو کم کرتا ہے، اوپن سرکٹ وولٹیج کو بڑھاتا ہے، اور فوٹو الیکٹرک کنورژن کی کارکردگی کو بہتر بناتا ہے۔ برن تھرو کے عمل میں اعلی درجہ حرارت کی فوری اینیلنگ کچھ Si-H اور NH بانڈز کو توڑ دیتی ہے، اور آزاد H بیٹری کے جذب کو مزید مضبوط کرتا ہے۔
چونکہ فوٹو وولٹک گریڈ کے سلکان مواد میں ناگزیر طور پر بڑی مقدار میں نجاست اور نقائص ہوتے ہیں، اس لیے سلکان میں اقلیتی کیریئر کی زندگی بھر اور پھیلاؤ کی لمبائی کم ہو جاتی ہے، جس کے نتیجے میں بیٹری کی تبدیلی کی کارکردگی میں کمی واقع ہوتی ہے۔ H سلیکون میں نقائص یا نجاست کے ساتھ رد عمل ظاہر کر سکتا ہے، اس طرح بینڈ گیپ میں موجود انرجی بینڈ کو والینس بینڈ یا کنڈکشن بینڈ میں منتقل کر سکتا ہے۔
1. PECVD اصول
پی ای سی وی ڈی سسٹم جنریٹرز کا ایک سلسلہ ہے۔پی ای سی وی ڈی گریفائٹ کشتی اور اعلی تعدد پلازما ایکسائٹرز۔ پلازما جنریٹر براہ راست کوٹنگ پلیٹ کے وسط میں نصب کیا جاتا ہے تاکہ کم دباؤ اور بلند درجہ حرارت میں رد عمل ظاہر کیا جا سکے۔ استعمال شدہ فعال گیسیں سائلین SiH4 اور امونیا NH3 ہیں۔ یہ گیسیں سلکان ویفر پر محفوظ سلکان نائٹرائڈ پر کام کرتی ہیں۔ سائلین اور امونیا کے تناسب کو تبدیل کرکے مختلف اضطراری اشاریے حاصل کیے جاسکتے ہیں۔ جمع کرنے کے عمل کے دوران، ہائیڈروجن ایٹموں اور ہائیڈروجن آئنوں کی ایک بڑی مقدار پیدا ہوتی ہے، جس سے ویفر کا ہائیڈروجن گزرنا بہت اچھا ہوتا ہے۔ خلا میں اور 480 ڈگری سیلسیس کے محیط درجہ حرارت میں، SixNy کی ایک تہہ سلکان ویفر کی سطح پر لیپت ہوتی ہے۔پی ای سی وی ڈی گریفائٹ کشتی.
3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2
2. Si3N4
Si3N4 فلم کا رنگ اس کی موٹائی کے ساتھ بدلتا ہے۔ عام طور پر، مثالی موٹائی 75 اور 80 nm کے درمیان ہوتی ہے، جو گہرے نیلے رنگ میں ظاہر ہوتی ہے۔ Si3N4 فلم کا ریفریکٹیو انڈیکس 2.0 اور 2.5 کے درمیان بہترین ہے۔ الکحل عام طور پر اس کے ریفریکٹیو انڈیکس کی پیمائش کے لیے استعمال ہوتا ہے۔
بہترین سطح کے غیر فعال ہونے کا اثر، موثر آپٹیکل اینٹی ریفلیکشن کارکردگی (موٹائی ریفریکٹیو انڈیکس میچنگ)، کم درجہ حرارت کا عمل (مؤثر طریقے سے لاگت کو کم کرنا)، اور پیدا ہونے والے H آئن سلیکون ویفر کی سطح کو غیر فعال کرتے ہیں۔
3. کوٹنگ ورکشاپ میں عام معاملات
فلم کی موٹائی:
مختلف فلموں کی موٹائیوں کے لیے جمع کرنے کا وقت مختلف ہوتا ہے۔ کوٹنگ کے رنگ کے مطابق جمع کرنے کا وقت مناسب طور پر بڑھا یا کم کیا جانا چاہئے۔ اگر فلم سفید ہے تو جمع کرنے کا وقت کم کر دینا چاہیے۔ اگر یہ سرخی مائل ہو تو اسے مناسب طریقے سے بڑھانا چاہیے۔ فلموں کی ہر کشتی کی مکمل تصدیق ہونی چاہیے، اور عیب دار مصنوعات کو اگلے عمل میں جانے کی اجازت نہیں ہے۔ مثال کے طور پر، اگر کوٹنگ ناقص ہے، جیسے رنگ کے دھبے اور واٹر مارکس، سب سے عام سطح کی سفیدی، رنگ کا فرق، اور پروڈکشن لائن پر سفید دھبوں کو بروقت نکال لینا چاہیے۔ سطح کی سفیدی بنیادی طور پر موٹی سلکان نائٹرائڈ فلم کی وجہ سے ہوتی ہے، جسے فلم جمع کرنے کے وقت کو ایڈجسٹ کرکے ایڈجسٹ کیا جاسکتا ہے۔ رنگین فرق کی فلم بنیادی طور پر گیس کے راستے میں رکاوٹ، کوارٹج ٹیوب کے رساو، مائکروویو کی ناکامی، وغیرہ کی وجہ سے ہوتی ہے۔ سفید دھبے بنیادی طور پر پچھلے عمل میں چھوٹے سیاہ دھبوں کی وجہ سے ہوتے ہیں۔ عکاسی کی نگرانی، ریفریکٹیو انڈیکس وغیرہ، خصوصی گیسوں کی حفاظت وغیرہ۔
سطح پر سفید دھبے:
PECVD شمسی خلیوں میں ایک نسبتاً اہم عمل ہے اور کمپنی کے شمسی خلیوں کی کارکردگی کا ایک اہم اشارہ ہے۔ PECVD عمل عام طور پر مصروف ہوتا ہے، اور خلیوں کے ہر بیچ کو مانیٹر کرنے کی ضرورت ہوتی ہے۔ بہت سے کوٹنگ فرنس ٹیوبیں ہیں، اور ہر ٹیوب میں عام طور پر سینکڑوں سیل ہوتے ہیں (سامان پر منحصر ہے)۔ عمل کے پیرامیٹرز کو تبدیل کرنے کے بعد، تصدیق کا دور طویل ہے۔ کوٹنگ ٹیکنالوجی ایک ایسی ٹیکنالوجی ہے جسے پوری فوٹوولٹک انڈسٹری بہت اہمیت دیتی ہے۔ کوٹنگ ٹیکنالوجی کو بہتر بنا کر شمسی خلیوں کی کارکردگی کو بہتر بنایا جا سکتا ہے۔ مستقبل میں، شمسی سیل کی سطح کی ٹیکنالوجی شمسی خلیوں کی نظریاتی کارکردگی میں ایک پیش رفت بن سکتی ہے.
پوسٹ ٹائم: دسمبر-23-2024