SiC pārklāta grafīta pusmēness daļair galvenā sastāvdaļa, ko izmanto pusvadītāju ražošanas procesos, īpaši SiC epitaksiālajās iekārtās. Tās konstrukcijas dizains un materiāla īpašības tieši nosaka epitaksiālo vafeļu kvalitāti un ražošanas efektivitāti.
Reakcijas kameras konstrukcija:
Pusmēness daļa sastāv no divām daļām — augšējās un apakšējās —, kas ir savienotas kopā, veidojot slēgtu augšanas kameru, kurā atrodas silīcija karbīda substrāts (parasti 4H-SiC vai 6H-SiC) un kurā, precīzi kontrolējot gāzes plūsmas lauku (piemēram, SiH₄, C₃H₈ un H₂ maisījumu), tiek panākta epitaksiālā slāņa augšana.
Temperatūras lauka regulēšana:
Augstas tīrības grafīta pamatne apvienojumā ar indukcijas sildīšanas spoli var uzturēt kameras temperatūras vienmērīgumu (±5°C robežās) augstā temperatūrā 1500–1700°C, lai nodrošinātu epitaksiālā slāņa biezuma vienmērīgumu.
Gaisa plūsmas vadība:
Projektējot gaisa ieplūdes un izplūdes atveres pozīciju (piemēram, horizontālās krāsns korpusa sānu gaisa ieplūdi un augšējo gaisa izplūdi), reakcijas gāzes laminārā plūsma tiek virzīta caur substrāta virsmu, lai samazinātu turbulences izraisītos augšanas defektus.
Pamatmateriāls: augstas tīrības pakāpes grafīts
Tīrības prasības:oglekļa saturs ≥99,99%, pelnu saturs ≤5 ppm, lai nodrošinātu, ka augstā temperatūrā neveidojas piemaisījumi, kas varētu piesārņot epitaksiālo slāni.
Veiktspējas priekšrocības:
Augsta siltumvadītspēja:Siltumvadītspēja istabas temperatūrā sasniedz 150 W/(m·K), kas ir tuvu vara līmenim un var ātri pārnest siltumu.
Zems izplešanās koeficients:5×10-6/℃ (25–1000℃), kas atbilst silīcija karbīda substrātam (4,2 × 10-6/℃), samazinot pārklājuma plaisāšanu, ko izraisa termiskais spriegums.
Apstrādes precizitāte:Ar CNC apstrādes palīdzību tiek panākta izmēru pielaide ±0,05 mm, lai nodrošinātu kameras blīvējumu.
CVD SiC un CVD TaC diferencēti pielietojumi
| Pārklājums | Process | Salīdzinājums | Tipisks pielietojums |
| CVD-SiC | Temperatūra: 1000–1200 ℃ Spiediens: 10–100 Torr | Cietība HV2500, biezums 50–100 μm, lieliska oksidēšanās izturība (stabils zem 1600 °C) | Universālas epitaksiālās krāsnis, kas piemērotas parastajām atmosfērām, piemēram, ūdeņradim un silānam |
| CVD-TaC | Temperatūra: 1600–1800 ℃ Spiediens: 1–10 torri | Cietība HV3000, biezums 20–50 µm, ārkārtīgi izturīgs pret koroziju (var izturēt kodīgas gāzes, piemēram, HCl, NH₃ utt.) | Ļoti korozīvas vides (piemēram, GaN epitaksijas un kodināšanas iekārtas) vai īpaši procesi, kam nepieciešama īpaši augsta temperatūra 2600 °C |
VET Energy ir profesionāls ražotājs, kas koncentrējas uz augstas klases progresīvu materiālu, piemēram, grafīta, silīcija karbīda, kvarca, pētniecību un attīstību, kā arī ražošanu, kā arī uz materiālu apstrādi, piemēram, SiC pārklājumu, TaC pārklājumu, stiklveida oglekļa pārklājumu, pirolītiskās oglekļa pārklājumu utt. Produktus plaši izmanto fotoelektriskajā, pusvadītāju, jaunās enerģijas, metalurģijas u.c. jomā.
Mūsu tehniskā komanda nāk no labākajām vietējām pētniecības iestādēm, var sniegt jums profesionālākus materiālu risinājumus.
VET Energy priekšrocības ietver:
• Pašu rūpnīcu un profesionālu laboratoriju;
• Nozarē vadošie tīrības līmeņi un kvalitāte;
• Konkurētspējīga cena un ātrs piegādes laiks;
• Vairākas nozares partnerības visā pasaulē;
Laipni lūdzam apmeklēt mūsu rūpnīcu un laboratoriju jebkurā laikā!
