Технологияи фотолитография асосан ба истифодаи системаҳои оптикӣ барои ошкор кардани нақшҳои схемаҳо дар пластинаҳои кремний нигаронида шудааст. Дақиқии ин раванд мустақиман ба самаранокӣ ва ҳосилнокии схемаҳои интегралӣ таъсир мерасонад. Ҳамчун яке аз таҷҳизоти беҳтарин барои истеҳсоли чип, мошини литография то садҳо ҳазор ҷузъро дар бар мегирад. Ҳам ҷузъҳои оптикӣ ва ҳам ҷузъҳои дохили системаи литография барои таъмини самаранокӣ ва дақиқии схема ба дақиқии бениҳоят баланд ниёз доранд.сафолҳои SiCдар истифода шудаандвафли патронҳова оинаҳои чоркунҷаи сафолӣ.
Чаки вафлиПатрони пластина дар дастгоҳи литография ҳангоми раванди экспозиция пластинаро бардошта, ҳаракат медиҳад. Ҳамоҳангсозии дақиқи байни пластина ва патрон барои такрори дақиқи нақш дар сатҳи пластина муҳим аст.лавҳаи SiCПатронҳо бо сабукӣ, устувории баланди андоза ва коэффисиенти пасти васеъшавии гармӣ маълуманд, ки метавонанд сарбориҳои инерсиалиро кам кунанд ва самаранокии ҳаракат, дақиқии мавқеъгирӣ ва устувориро беҳтар созанд.
Оинаи чоркунҷаи керамикӣ Дар мошини литография, ҳамоҳангсозии ҳаракат байни патрони вафлӣ ва марҳилаи ниқоб муҳим аст, ки мустақиман ба дақиқӣ ва ҳосилнокии литография таъсир мерасонад. Инъикоскунандаи чоркунҷа ҷузъи калидии системаи андозагирии фикру мулоҳизаи ҷойгиркунии патрони вафлӣ мебошад ва талаботи маводи он сабук ва қатъӣ мебошанд. Гарчанде ки сафолҳои карбиди кремний хосиятҳои сабуки идеалӣ доранд, истеҳсоли чунин ҷузъҳо душвор аст. Дар айни замон, истеҳсолкунандагони пешбари байналмилалии таҷҳизоти схемаҳои интегралӣ асосан аз маводҳое ба монанди кремнийи гудохта ва кордиерит истифода мебаранд. Аммо, бо пешрафти технология, мутахассисони чинӣ ба истеҳсоли оинаҳои чоркунҷаи керамикии карбиди кремнийи андозаи калон, шакли мураккаб, хеле сабук, пурра пӯшида ва дигар ҷузъҳои оптикии функсионалӣ барои мошинҳои фотолитография ноил шудаанд. Фотониқоб, ки бо номи диафрагма низ маълум аст, нурро тавассути ниқоб интиқол медиҳад, то дар маводи ҳассоси фотониқоб нақш ба вуҷуд орад. Аммо, вақте ки нури EUV ниқобро нур медиҳад, он гармӣ мебарорад ва ҳароратро то 600 то 1000 дараҷа гармӣ баланд мекунад, ки метавонад ба зарари гармӣ оварда расонад. Аз ин рӯ, одатан як қабати плёнкаи SiC дар фотониқоб гузошта мешавад. Бисёре аз ширкатҳои хориҷӣ, ба монанди ASML, ҳоло плёнкаҳоеро бо гузариши беш аз 90% пешниҳод мекунанд, то тозакунӣ ва санҷишро ҳангоми истифодаи ниқоб кам кунанд ва самаранокӣ ва ҳосилнокии мошинҳои фотолитографияи EUV-ро беҳтар созанд.
Кандакорӣ дар плазмава Фотониқобҳои Чопкунӣ, ки бо номи салибҳои сунъӣ низ маълуманд, вазифаи асосии интиқоли нур тавассути ниқоб ва ташаккули нақш дар маводи ҳассоси фотоҳассосро доранд. Аммо, вақте ки нури ултрабунафши шадиди EUV (нури ултрабунафш) фотониқобро шуоъ медиҳад, он гармӣ мебарорад ва ҳароратро то 600 ва 1000 дараҷа гармӣ баланд мекунад, ки метавонад боиси зарари гармӣ гардад. Аз ин рӯ, одатан қабати плёнкаи карбиди кремний (SiC) барои рафъи ин мушкилот ба фотониқоб гузошта мешавад. Дар айни замон, бисёр ширкатҳои хориҷӣ, ба монанди ASML, барои кам кардани ниёз ба тозакунӣ ва санҷиш ҳангоми истифодаи фотониқоб, ба пешниҳоди плёнкаҳо бо шаффофияти беш аз 90% шурӯъ кардаанд, то самаранокӣ ва ҳосилнокии мошинҳои литографияи EUV-ро беҳтар созанд. Кандакорӣ дар плазма ваҲалқаи фокусии ҷойгиркунӣва дигарон Дар истеҳсоли нимноқилҳо, раванди кандакорӣ аз кандакориҳои моеъ ё газӣ (масалан, газҳои дорои фтор), ки ба плазма ионизатсия шудаанд, барои бомбаборон кардани пластина ва тоза кардани маводҳои номатлуб интихобан то он даме, ки намунаи схемаи дилхоҳ дар он боқӣ монад, истифода мебарад.вафлисатҳ. Баръакс, гузоштани плёнкаи тунук ба тарафи дигари кандакорӣ монанд аст, ки бо истифода аз усули гузоштан маводҳои изолятсиониро байни қабатҳои металлӣ ҷамъ карда, плёнкаи тунукро ташкил медиҳад. Азбаски ҳарду раванд аз технологияи плазма истифода мебаранд, онҳо ба таъсири зангзананда ба камераҳо ва ҷузъҳо майл доранд. Аз ин рӯ, ҷузъҳои дохили таҷҳизот бояд муқовимати хуби плазма, реаксияи паст ба газҳои кандакории фтор ва гузаронандагии паст дошта бошанд. Ҷузъҳои анъанавии таҷҳизоти кандакорӣ ва гузоштан, ба монанди ҳалқаҳои фокусӣ, одатан аз маводҳое ба монанди кремний ё кварц сохта мешаванд. Аммо, бо пешрафти миниатюризатсияи схемаҳои интегралӣ, талабот ва аҳамияти равандҳои кандакорӣ дар истеҳсоли схемаҳои интегралӣ афзоиш меёбанд. Дар сатҳи микроскопӣ, кандакории дақиқи вафлии кремний барои ноил шудан ба паҳнои хатҳои хурдтар ва сохторҳои мураккабтари дастгоҳҳо плазмаи баландэнергияро талаб мекунад. Аз ин рӯ, карбиди кремнийи гузоштани буғи кимиёвӣ (CVD) бо хосиятҳои аълои физикӣ ва химиявӣ, покии баланд ва якрангии худ тадриҷан ба маводи рӯйпӯши афзалиятнок барои таҷҳизоти кандакорӣ ва гузоштан табдил ёфтааст. Дар айни замон, ҷузъҳои карбиди кремнийи CVD дар таҷҳизоти кандакорӣ ҳалқаҳои фокусӣ, сарҳои души газӣ, табақчаҳо ва ҳалқаҳои канорӣ мебошанд. Дар таҷҳизоти таҳшинкунӣ, сарпӯшҳои камера, лайнерҳои камера ваСубстратҳои графити бо SIC пӯшонидашуда.
Аз сабаби реактивияти паст ва гузаронандагии он ба газҳои кандакории хлор ва фтор,Карбиди кремнийи CVDба маводи беҳтарин барои ҷузъҳо ба монанди ҳалқаҳои фокусӣ дар таҷҳизоти кандакории плазма табдил ёфтааст.Карбиди кремнийи CVDҶузъҳои таҷҳизоти кандакорӣ ҳалқаҳои фокусӣ, сарҳои души газӣ, табақчаҳо, ҳалқаҳои канорӣ ва ғайраро дар бар мегиранд. Ҳалқаҳои фокусиро мисол гиред, онҳо ҷузъҳои калидӣ мебошанд, ки дар беруни пластина ҷойгир карда шудаанд ва мустақиман бо пластина тамос мегиранд. Бо истифода аз шиддат ба ҳалқа, плазма тавассути ҳалқа ба пластина фокус карда мешавад ва якрангии равандро беҳтар мекунад. Анъанавӣ, ҳалқаҳои фокусӣ аз кремний ё кварс сохта мешаванд. Аммо, бо пешрафти миниатюризатсияи схемаҳои интегралӣ, талабот ва аҳамияти равандҳои кандакорӣ дар истеҳсоли схемаҳои интегралӣ афзоиш меёбад. Қувва ва талаботи энергияи кандакорӣ дар плазма, махсусан дар таҷҳизоти кандакорӣ дар плазмаи иқтидор (CCP), ки энергияи баланди плазмаро талаб мекунад, афзоиш меёбад. Дар натиҷа, истифодаи ҳалқаҳои фокусӣ, ки аз маводҳои карбиди кремний сохта шудаанд, афзоиш меёбад.
Вақти нашр: 29 октябри соли 2024