Фотолитография технологиясе, нигездә, кремний пластиналарындагы схема үрнәкләрен ачу өчен оптик системалар куллануга юнәлтелгән. Бу процессның төгәллеге интеграль схемаларның эшчәнлегенә һәм нәтиҗәлелегенә турыдан-туры тәэсир итә. Чип җитештерү өчен иң яхшы җиһазларның берсе буларак, литография машинасы йөзләрчә меңгә кадәр компонентны үз эченә ала. Схеманың эшләвен һәм төгәллеген тәэмин итү өчен оптик компонентлар да, литография системасы эчендәге компонентлар да бик югары төгәллек таләп итә.SiC керамикасыкулланылганвафли патроннарыһәм керамик квадрат көзгеләр.
Вафли патронЛитография машинасындагы пластина патрон экспозиция процессында пластинаны күтәрә һәм хәрәкәтләндерә. Пластинаның өслегендә рәсемне төгәл кабатлау өчен пластина һәм патрон арасындагы төгәл тигезләү бик мөһим.SiC пластинасыПатроннар җиңел авырлыгы, югары үлчәмле тотрыклылыгы һәм түбән җылылык киңәю коэффициенты белән билгеле, бу инерция йөкләнешләрен киметергә һәм хәрәкәт нәтиҗәлелеген, позицияләү төгәллеген һәм тотрыклылыгын яхшыртырга мөмкин.
Керамик квадрат көзге Литография машинасында пластина патроны һәм битлек этабы арасындагы хәрәкәт синхронизациясе бик мөһим, бу литография төгәллегенә һәм нәтиҗәсенә турыдан-туры тәэсир итә. Квадрат рефлектор пластина патронын сканерлау позицияләү кире элемтәсен үлчәү системасының төп компоненты булып тора, һәм аның материал таләпләре җиңел һәм катгый. Кремний карбиды керамикасы идеаль җиңел үзлекләргә ия булса да, мондый компонентларны җитештерү катлаулы. Хәзерге вакытта әйдәп баручы халыкара интеграль схема җиһазлары җитештерүчеләре, нигездә, эретелгән кремний диоксиды һәм кордиерит кебек материалларны кулланалар. Ләкин, технологиянең алга китүе белән, Кытай белгечләре фотолитография машиналары өчен зур күләмле, катлаулы формадагы, бик җиңел, тулысынча ябылган кремний карбиды керамик квадрат көзгеләр һәм башка функциональ оптик компонентлар җитештерүгә ирештеләр. Фотомаска, шулай ук диафрагма буларак та билгеле, фотосизгер материалда үрнәк формалаштыру өчен маска аша яктылык үткәрә. Ләкин, EUV яктылык битлекне нурландырганда, ул җылылык чыгара, температураны 600-1000 градус Цельсийга кадәр күтәрә, бу термик зыян китерергә мөмкин. Шуңа күрә, гадәттә фотомаскага SiC пленкасы катламы салына. ASML кебек күп кенә чит ил компанияләре хәзер фотомаска куллану вакытында чистарту һәм тикшерү чыгымнарын киметү һәм EUV фотолитография машиналарының нәтиҗәлелеген һәм продукт чыгаруын яхшырту өчен 90% тан артык үткәрүчәнлекле пленкалар тәкъдим итәләр.
Плазма белән бизәүһәм Чүпләү Фотомаскалары, шулай ук кроссхерлар дип тә атала, битлек аша яктылык үткәрү һәм фотосизгер материалда рәсем ясау кебек төп функциягә ия. Ләкин, EUV (экстремаль ультрафиолет) яктылык фотомасканы нурландырганда, ул җылылык чыгара, температураны 600 дән 1000 градуска кадәр күтәрә, бу термик зыян китерергә мөмкин. Шуңа күрә, гадәттә, бу проблеманы хәл итү өчен фотомаскага кремний карбиды (SiC) пленкасы катламы урнаштырыла. Хәзерге вакытта күп кенә чит ил компанияләре, мәсәлән, ASML, фотомасканы куллану вакытында чистарту һәм тикшерү кирәклеген киметү өчен 90% тан артык үтә күренмәле пленкалар бирә башладылар, шуның белән EUV литография машиналарының нәтиҗәлелеген һәм продукт чыгаруын яхшырта. Плазма гравюрасы һәмФокус боҗрасын урнаштыруһәм башкалар Ярымүткәргечләр җитештерүдә, эшкәртү процессында плазмага ионлаштырылган сыек яки газлы эреткечләр (мәсәлән, фторлы газлар) кулланыла, алар пластинаны бомбага тоту һәм кирәкле схема үрнәге калганчы кирәкмәгән материалларны сайлап алу өчен кулланыла.вафлиөслек. Киресенчә, юка пленка урнаштыру гравюраның кире ягына охшаган, металл катламнар арасына изоляция материалларын өеп, юка пленка формалаштыру өчен гравюра ясау ысулы кулланыла. Ике процесс та плазма технологиясен кулланганлыктан, алар камераларга һәм компонентларга коррозия йогынтысына бирешәләр. Шуңа күрә җиһазлар эчендәге компонентларның яхшы плазмага каршы торучанлыгы, фтор гравюра газларына түбән реактивлыгы һәм түбән үткәрүчәнлеге булырга тиеш. Фокус боҗралары кебек традицион гравюра һәм гравюра җиһазлары компонентлары гадәттә кремний яки кварц кебек материаллардан ясала. Ләкин, интеграль схема миниатюризациясе алга китү белән, интеграль схема җитештерүдә гравюра процессларына ихтыяҗ һәм әһәмият арта бара. Микроскопик дәрәҗәдә, төгәл кремний пластина гравюрасы кечерәк сызык киңлекләренә һәм катлаулырак җайланма структураларына ирешү өчен югары энергияле плазма таләп итә. Шуңа күрә, химик пар гравюрасы (CVD) кремний карбиды (SiC) үзенең бик яхшы физик һәм химик үзлекләре, югары сафлыгы һәм бердәмлеге белән гравюра һәм гравюра җиһазлары өчен өстенлекле каплау материалына әйләнде. Хәзерге вакытта гравюра җиһазларындагы CVD кремний карбиды компонентларына фокус боҗралары, газ душ башлары, табалар һәм кырый боҗралар керә. Чөкмә җиһазларында камера каплагычлары, камера астарлары һәмSIC белән капланган графит субстратлары.
Хлор һәм фторны эшкәртү газларына карата түбән реактивлыгы һәм үткәрүчәнлеге аркасында,CVD кремний карбидыплазма белән эшкәртү җиһазларында фокус боҗралары кебек компонентлар өчен идеаль материалга әйләнде.CVD кремний карбидыГрафинг җиһазларындагы компонентларга фокус боҗралары, газ душ башлары, табакчалар, кырый боҗралар һ.б. керә. Мисал итеп фокус боҗраларын алыйк, алар пластина тышында урнашкан һәм пластина белән турыдан-туры бәйләнештә булган төп компонентлар. Боҗрага көчәнеш биреп, плазма боҗра аша пластинага фокуслана, бу процессның бердәмлеген яхшырта. Гадәттә, фокус боҗралары кремний яки кварцтан ясала. Ләкин, интеграль схемаларны миниатюрлаштыру алга киткән саен, интеграль схема җитештерүдә графинг процессларына ихтыяҗ һәм әһәмият арта бара. Плазма графинг көче һәм энергия таләпләре арта бара, бигрәк тә югарырак плазма энергиясен таләп итә торган сыйдырышлы бәйләнгән плазма (CCP) графинг җиһазларында. Нәтиҗәдә, кремний карбиды материалларыннан ясалган фокус боҗраларын куллану арта бара.
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 29 октябре