एसआयसी एपिटॅक्सीसाठी एसआयसी लेपित ग्रॅफाइट अर्धचंद्राकृती भाग आणि असेंब्ली

एसआयसी लेपित ग्राफाईट अर्धचंद्राकृती भागसेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियेत, विशेषतः SiC एपिटॅक्सियल उपकरणांसाठी वापरला जाणारा हा एक महत्त्वाचा घटक आहे. त्याची संरचनात्मक रचना आणि भौतिक गुणधर्म हे एपिटॅक्सियल वेफर्सची गुणवत्ता आणि उत्पादन कार्यक्षमता थेट ठरवतात.

प्रतिक्रिया कक्षाची रचना:
अर्धचंद्राकृती भाग हा वरचा आणि खालचा अशा दोन भागांनी बनलेला असतो, जे एकत्र जोडून एक बंद वाढ कक्ष तयार होतो, ज्यामध्ये सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट (सहसा 4H-SiC किंवा 6H-SiC) ठेवले जाते आणि वायू प्रवाह क्षेत्रावर (जसे की SiH₄, C₃H₈, आणि H₂ यांचे मिश्रण) अचूक नियंत्रण ठेवून एपिटॅक्सियल थराची वाढ साधली जाते.
तापमान क्षेत्राचे नियमन:
उच्च-शुद्धतेचा ग्रॅफाइट बेस इंडक्शन हीटिंग कॉइलसह एकत्रित केल्याने 1500-1700°C च्या उच्च तापमानावर चेंबरच्या तापमानाची एकसमानता (±5°C च्या आत) राखता येते, ज्यामुळे एपिटॅक्सियल लेयरच्या जाडीमध्ये सुसंगतता सुनिश्चित होते.
हवेच्या प्रवाहाचे मार्गदर्शन:
हवेच्या प्रवेशद्वाराची आणि निर्गमनाची जागा (जसे की आडव्या भट्टीच्या मुख्य भागाचे बाजूचे प्रवेशद्वार आणि वरचे निर्गमनद्वार) योग्य प्रकारे डिझाइन करून, अभिक्रिया वायूचा स्तरित प्रवाह सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागातून मार्गदर्शित केला जातो, ज्यामुळे प्रवाहातील गोंधळामुळे होणारे वाढीतील दोष कमी होतात.

मूळ सामग्री: उच्च-शुद्धता ग्रॅफाइट
शुद्धतेच्या आवश्यकता:कार्बनचे प्रमाण ≥९९.९९%, राखेचे प्रमाण ≤५ पीपीएम, जेणेकरून उच्च तापमानात एपिटॅक्सियल थराला दूषित करण्यासाठी कोणत्याही अशुद्धींचे अवक्षेपण होणार नाही.
कार्यक्षमतेचे फायदे:
उच्च औष्णिक वाहकता:सामान्य तापमानावर औष्णिक वाहकता 150W/(m・K) पर्यंत पोहोचते, जी तांब्याच्या पातळीच्या जवळपास आहे आणि उष्णता वेगाने हस्तांतरित करू शकते.
कमी प्रसरण गुणांक:५×१०^-6/℃ (25-1000℃), सिलिकॉन कार्बाइड सबस्ट्रेटशी जुळणारे (4.2×10^-6/℃), उष्णतेच्या ताणामुळे होणारे कोटिंगचे तडे जाणे कमी करते.
प्रक्रिया अचूकता:चेंबरचे सीलिंग सुनिश्चित करण्यासाठी सीएनसी मशीनिंगद्वारे ±0.05 मिमीची आयामी सहनशीलता साधली जाते.

CVD SiC आणि CVD TaC चे भिन्न अनुप्रयोग