SiC કોટેડ ગ્રેફાઇટ હાફ મૂન પાર્ટ અને SiC એપિટાક્સી માટે એસેમ્બલી

SiC કોટેડ ગ્રેફાઇટ હાફમૂન ભાગસેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદન પ્રક્રિયાઓમાં વપરાતો મુખ્ય ઘટક છે, ખાસ કરીને SiC એપિટેક્સિયલ સાધનો માટે. તેની માળખાકીય ડિઝાઇન અને સામગ્રી ગુણધર્મો સીધા એપિટેક્સિયલ વેફર્સની ગુણવત્તા અને ઉત્પાદન કાર્યક્ષમતા નક્કી કરે છે.

પ્રતિક્રિયા ચેમ્બર બાંધકામ:
અર્ધ ચંદ્ર ભાગ બે ભાગોથી બનેલો છે, ઉપલા અને નીચેના ભાગો, જે એકસાથે બકલ કરીને બંધ વૃદ્ધિ ચેમ્બર બનાવે છે, જે સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ (સામાન્ય રીતે 4H-SiC અથવા 6H-SiC) ને સમાવે છે અને ગેસ પ્રવાહ ક્ષેત્ર (જેમ કે SiH₄, C₃H₈ અને H₂ નું મિશ્રણ) ને ચોક્કસ રીતે નિયંત્રિત કરીને એપિટેક્સિયલ સ્તર વૃદ્ધિ પ્રાપ્ત કરે છે.
તાપમાન ક્ષેત્ર નિયમન:
ઇન્ડક્શન હીટિંગ કોઇલ સાથે જોડાયેલ ઉચ્ચ-શુદ્ધતા ગ્રેફાઇટ બેઝ, એપિટેક્સિયલ સ્તરની જાડાઈની સુસંગતતા સુનિશ્ચિત કરવા માટે 1500-1700°C ના ઊંચા તાપમાને ચેમ્બર તાપમાન એકરૂપતા (±5°C ની અંદર) જાળવી શકે છે.
હવા પ્રવાહ માર્ગદર્શન:
એર ઇનલેટ અને આઉટલેટ (જેમ કે આડી ફર્નેસ બોડીના સાઇડ એર ઇનલેટ અને ટોપ એર આઉટલેટ) ની સ્થિતિ ડિઝાઇન કરીને, પ્રતિક્રિયા ગેસ લેમિનર પ્રવાહને સબસ્ટ્રેટ સપાટી દ્વારા માર્ગદર્શન આપવામાં આવે છે જેથી અશાંતિને કારણે થતી વૃદ્ધિ ખામીઓ ઓછી થાય.

બેઝ મટિરિયલ: ઉચ્ચ શુદ્ધતા ગ્રેફાઇટ
શુદ્ધતા જરૂરિયાતો:કાર્બનનું પ્રમાણ ≥99.99%, રાખનું પ્રમાણ ≤5ppm, જેથી ખાતરી કરી શકાય કે ઊંચા તાપમાને એપિટેક્સિયલ સ્તરને દૂષિત કરવા માટે કોઈ અશુદ્ધિઓનો અવક્ષેપ ન થાય.
કામગીરીના ફાયદા:
ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા:ઓરડાના તાપમાને થર્મલ વાહકતા 150W/(m・K) સુધી પહોંચે છે, જે તાંબાના સ્તરની નજીક છે અને ઝડપથી ગરમી ટ્રાન્સફર કરી શકે છે.
નીચા વિસ્તરણ ગુણાંક:૫×૧૦^-6/℃ (25-1000℃), સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ (4.2×10) સાથે મેળ ખાતી^-6/℃), થર્મલ તણાવને કારણે કોટિંગની તિરાડ ઘટાડે છે.
પ્રક્રિયા ચોકસાઈ:ચેમ્બરને સીલ કરવાની ખાતરી કરવા માટે CNC મશીનિંગ દ્વારા ±0.05mm ની પરિમાણીય સહિષ્ણુતા પ્રાપ્ત થાય છે.

CVD SiC અને CVD TaC ના વિભિન્ન ઉપયોગો