Ang mga bahaging grapayt na may mataas na kadalisayan ay mahalaga samga proseso sa industriya ng semiconductor, LED at solar. Ang aming alok ay mula sa mga graphite consumable para sa mga crystal growing hot zone (mga heater, crucible susceptor, insulation), hanggang sa mga high-precision graphite component para sa wafer processing equipment, tulad ng silicon carbide coated graphite susceptor para sa Epitaxy o MOCVD. Dito pumapasok ang aming specialty graphite: ang isostatic graphite ay mahalaga para sa produksyon ng mga compound semiconductor layer. Ang mga ito ay nabubuo sa "hot zone" sa ilalim ng matinding temperatura sa panahon ng tinatawag na epitaxy, o MOCVD process. Ang umiikot na carrier kung saan pinahiran ang mga wafer sa reactor ay binubuo ng silicon carbide-coated isostatic graphite. Tanging ang napakadalisay at homogenous na graphite na ito ang nakakatugon sa mataas na kinakailangan sa proseso ng patong.
TAng pangunahing prinsipyo ng paglaki ng epitaxial wafer ng LED aySa isang substrate (pangunahing sapiro, SiC at Si) na pinainit sa naaangkop na temperatura, ang materyal na gas na InGaAlP ay dinadala sa ibabaw ng substrate sa isang kontroladong paraan upang mapalago ang isang partikular na single crystal film. Sa kasalukuyan, ang teknolohiya ng paglago ng LED epitaxial wafer ay pangunahing gumagamit ng organic metal chemical vapor deposition.
Materyal na substrate na epitaxial ng LEDay ang pundasyon ng teknolohikal na pag-unlad ng industriya ng semiconductor lighting. Ang iba't ibang materyales ng substrate ay nangangailangan ng iba't ibang teknolohiya sa paglaki ng LED epitaxial wafer, teknolohiya sa pagproseso ng chip at teknolohiya sa pag-iimpake ng device. Ang mga materyales ng substrate ang tumutukoy sa ruta ng pag-unlad ng teknolohiya ng semiconductor lighting.
Mga katangian ng pagpili ng materyal ng substrate ng LED epitaxial wafer:
1. Ang epitaxial na materyal ay may pareho o katulad na istrukturang kristal sa substrate, maliit na lattice constant mismatch, mahusay na crystallinity at mababang defect density
2. Magandang katangian ng interface, nakakatulong sa nucleation ng mga epitaxial na materyales at malakas na adhesion
3. Mayroon itong mahusay na kemikal na katatagan at hindi madaling mabulok at kalawangin sa temperatura at kapaligiran ng epitaxial growth
4. Magandang thermal performance, kabilang ang mahusay na thermal conductivity at mababang thermal mismatch
5. Magandang kondaktibiti, maaaring gawin sa itaas at ibabang istraktura 6, mahusay na pagganap ng optika, at ang liwanag na inilalabas ng ginawang aparato ay hindi gaanong nasisipsip ng substrate
7. Magagandang mekanikal na katangian at madaling pagproseso ng mga aparato, kabilang ang pagnipis, pagpapakintab at pagputol
8. Mababang presyo.
9. Malaking sukat. Sa pangkalahatan, ang diyametro ay hindi dapat mas mababa sa 2 pulgada.
10. Madaling makakuha ng substrate na may regular na hugis (maliban kung may iba pang mga espesyal na kinakailangan), at ang hugis ng substrate na katulad ng butas ng tray ng epitaxial equipment ay hindi madaling bumuo ng irregular eddy current, kaya makakaapekto sa kalidad ng epitaxial.
11. Sa prinsipyong hindi maaapektuhan ang kalidad ng epitaxial, ang kakayahang magamit sa makina ng substrate ay dapat matugunan ang mga kinakailangan ng kasunod na pagproseso ng chip at packaging hangga't maaari.
Napakahirap para sa pagpili ng substrate na matugunan ang labing-isang aspeto sa itaas nang sabay-sabay.Samakatuwid, sa kasalukuyan, maaari lamang tayong umangkop sa R&D at produksyon ng mga semiconductor light-emitting device sa iba't ibang substrate sa pamamagitan ng pagbabago ng teknolohiya ng epitaxial growth at pagsasaayos ng teknolohiya sa pagproseso ng device. Maraming materyales sa substrate para sa pananaliksik sa gallium nitride, ngunit mayroon lamang dalawang substrate na maaaring gamitin para sa produksyon, ang sapphire Al2O3 at silicon carbide.Mga substrate ng SiC.
Oras ng pag-post: Pebrero 28, 2022