Héichreine Grafitkomponenten si wichteg firProzesser an der Hallefleeder-, LED- a Solarindustrie. Eis Offer reecht vu Graphit-Verbrauchsmaterialien fir Kristallwuesstumszonen (Heizungen, Tichelsusceptoren, Isolatioun) bis hin zu héichpräzise Graphitkomponenten fir Wafer-Veraarbechtungsausrüstung, wéi z. B. Siliziumcarbid-beschichtete Graphitsusceptoren fir Epitaxie oder MOCVD. Hei kënnt eise Spezialgrafit an d'Spill: isostatesche Graphit ass fundamental fir d'Produktioun vu Verbindungs-Hallefleederschichten. Dës ginn an der "Hot Zone" ënner extremen Temperaturen während dem sougenannten Epitaxie- oder MOCVD-Prozess generéiert. Den rotéierende Träger, op deem d'Waferen am Reaktor beschichtet sinn, besteet aus Siliziumcarbid-beschichtetem isostatesche Graphit. Nëmmen dëse ganz reine, homogene Graphit erfëllt déi héich Ufuerderungen am Beschichtungsprozess.
TDe Grondprinzip vum LED-Epitaxialwaferwuesstem assOp engem Substrat (haaptsächlech Saphir, SiC a Si), dat op eng passend Temperatur erhëtzt gëtt, gëtt dat gasfërmegt Material InGaAlP kontrolléiert op d'Substratoberfläche transportéiert, fir e spezifeschen Eenkristallfilm ze wuessen. Am Moment benotzt d'Wuesstechnologie vun LED-Epitaxialwaferen haaptsächlech chemesch Dampfablagerung vun organesche Metaller.
LED epitaxial Substratmaterialass de Grondstee vun der technologescher Entwécklung vun der Hallefleederbeliichtungindustrie. Verschidde Substratmaterialien brauchen ënnerschiddlech epitaxial Wafer-Wuesstumstechnologien fir LED, Chipveraarbechtungstechnologien an Apparatverpackungstechnologien. Substratmaterialien bestëmmen den Entwécklungswee vun der Hallefleederbeliichtungtechnologie.
Charakteristike vun der Auswiel vun LED-Epitaxialwafer-Substratmaterial:
1. Dat epitaktesch Material huet déiselwecht oder ähnlech Kristallstruktur wéi de Substrat, eng kleng Gitterkonstant-Feeler, eng gutt Kristallinitéit an eng niddreg Defektdicht.
2. Gutt Grenzflächencharakteristiken, förderlech fir d'Keimbildung vun epitaktischen Materialien a staark Haftung
3. Et huet eng gutt chemesch Stabilitéit an ass net einfach ze zersetzen a korrodéieren an der Temperatur an Atmosphär vum epitaktischen Wuesstum
4. Gud thermesch Leeschtung, dorënner gutt thermesch Konduktivitéit a geréng thermesch Ofwäichungen
5. Gudde Konduktivitéit, kann an iewescht an ënnescht Struktur gemaach ginn 6, gutt optesch Leeschtung, an d'Liicht, dat vum fabrizéierten Apparat emittéiert gëtt, gëtt manner vum Substrat absorbéiert.
7. Gutt mechanesch Eegeschaften a einfach Veraarbechtung vun Apparater, dorënner Verdënnung, Polieren a Schnëtt
8. Niddrege Präis.
9. Grouss Gréisst. Am Allgemengen däerf den Duerchmiesser net manner wéi 2 Zoll sinn.
10. Et ass einfach, e Substrat mat enger regulärer Form ze kréien (ausser et gëtt aner speziell Ufuerderungen), an d'Substratform, ähnlech wéi d'Lach an der epitaktischer Ausrüstung, bildt net einfach onregelméissege Wirbelstroum, sou datt d'epitaxial Qualitéit beaflosst gëtt.
11. Ënner der Viraussetzung, datt d'epitaxial Qualitéit net beaflosst gëtt, soll d'Veraarbechtbarkeet vum Substrat sou wäit wéi méiglech den Ufuerderunge vun der spéiderer Chip- a Verpackungsveraarbechtung entspriechen.
Et ass ganz schwéier fir d'Auswiel vum Substrat, déi uewe genannten eelef Aspekter gläichzäiteg ze erfëllen.Dofir kënne mir eis de Moment nëmmen duerch d'Ännerung vun der epitaktischer Wuesstechnologie an d'Upassung vun der Veraarbechtungstechnologie vun den Apparater un d'Fuerschung an Entwécklung a Produktioun vu liichtemittéierende Hallefleederkomponenten op verschiddene Substrater upassen. Et gi vill Substratmaterialien fir d'Galliumnitridfuerschung, awer et ginn nëmmen zwee Substrater, déi fir d'Produktioun kënne benotzt ginn, nämlech Saphir Al2O3 a Siliziumcarbid.SiC-Substrater.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 28. Februar 2022