Югары сафлыклы графит компонентлары бик мөһимярымүткәргечләр, LED һәм кояш сәнәгатендәге процесслар. Безнең тәкъдимнәр кристалл үстерү өчен кайнар зоналар өчен графит чыгым материалларыннан (җылыткычлар, тигель сусепторлары, изоляция) алып, пластина эшкәртү җиһазлары өчен югары төгәллекле графит компонентларына кадәр, мәсәлән, Эпитаксия яки MOCVD өчен кремний карбиды белән капланган графит сусепторлары. Монда безнең махсус графит роль уйный: изостатик графит кушылма ярымүткәргеч катламнар җитештерү өчен төп нигез булып тора. Алар "кайнар зонада" экстремаль температураларда эпитаксия яки MOCVD процессы вакытында барлыкка килә. Реакторда пластиналар капланган әйләнүче йөртүче кремний карбиды белән капланган изостатик графиттан тора. Каплау процессында югары таләпләргә туры килә торган бу бик саф, гомоген графит кына.
TLED эпитаксиаль пластина үсешенең төп принцибы: тиешле температурага кадәр җылытылган субстратта (нигездә, сапфир, SiC һәм Si), InGaAlP газсыман материалы контрольдә тотылган ысул белән субстрат өслегенә күчерелә, шул рәвешле билгеле бер монокристалл пленка үстерелә. Хәзерге вакытта LED эпитаксиаль пластиналарны үстерү технологиясе, нигездә, органик металл химик пар утыртуны куллана.
LED эпитаксиаль субстрат материалыярымүткәргеч яктырту сәнәгатенең технологик үсешенең нигез ташы булып тора. Төрле субстрат материаллары төрле LED эпитаксиаль пластина үстерү технологиясен, чип эшкәртү технологиясен һәм җайланмаларны төрү технологиясен таләп итә. Субстрат материаллары ярымүткәргеч яктырту технологиясенең үсеш юлын билгели.
LED эпитаксиаль пластина субстрат материалын сайлау үзенчәлекләре:
1. Эпитаксиаль материал субстрат белән бер үк яки охшаш кристалл структурасына ия, кечкенә рәшәткә даими туры килми, яхшы кристалллык һәм түбән кимчелек тыгызлыгы.
2. Эпитаксиаль материалларның барлыкка килүенә һәм нык адгезиягә уңай йогынты ясаучы яхшы интерфейс үзенчәлекләре
3. Аның химик тотрыклылыгы яхшы һәм эпитаксиаль үсеш температурасында һәм атмосферасында таркалуы һәм коррозиягә бирелүе җиңел түгел
4. Яхшы җылылык үткәрүчәнлеге һәм түбән җылылык туры килмәүчәнлеге кебек яхшы җылылык күрсәткечләре
5. Яхшы үткәрүчәнлек, өске һәм аскы структурага әйләндереп була 6, оптик күрсәткечләре яхшы, һәм ясалган җайланма чыгарган яктылык субстрат тарафыннан азрак сеңдерелә.
7. Җайланмаларның яхшы механик үзлекләре һәм җиңел эшкәртү, шул исәптән нечкәләштерү, ялтырату һәм кисү
8. Түбән бәя.
9. Зур размер. Гадәттә, диаметры 2 дюймнан ким булмаска тиеш.
10. Гадәти формадагы субстрат алу җиңел (башка махсус таләпләр булмаса), һәм эпитаксиаль җиһазларның табак тишегенә охшаш субстрат формасы эпитаксиаль сыйфатка тәэсир итәрлек итеп, тәртипсез дулкын агымы барлыкка китерүе җиңел түгел.
11. Эпитаксиаль сыйфатка тәэсир итмәү шарты белән, субстратның эшкәртүчәнлеге мөмкин кадәр аннан соңгы чип һәм төргәк эшкәртү таләпләренә туры килергә тиеш.
Субстрат сайлау өчен югарыда күрсәтелгән унбер аспектны бер үк вакытта канәгатьләндерү бик авыр.Шуңа күрә, хәзерге вакытта без төрле субстратларда ярымүткәргеч яктылык чыгаручы җайланмаларны фәнни-тикшеренү һәм эшкәртүгә һәм җитештерүгә эпитаксиаль үсеш технологиясен үзгәртү һәм җайланмаларны эшкәртү технологиясен көйләү аша гына җайлаша алабыз. Галлий нитридын тикшерү өчен күп субстрат материаллары бар, ләкин җитештерү өчен кулланыла алырлык ике генә субстрат бар, атап әйткәндә, сапфир Al2O3 һәм кремний карбиды.SiC субстратлары.
Бастырылган вакыты: 2022 елның 28 феврале