LED epitaksial plastina ösüş materialy bolan SiC substratlary, SiC bilen örtülen grafit daşaýjylary

Ýokary arassa grafit komponentleri örän möhümdirýarymgeçirijiler, LED we gün senagatyndaky prosesler. Biziň tekliplerimiz kristal ösdürip ýetişdirmek üçin gyzgyn zolaklar üçin grafit sarp ediji materiallardan (gyzdyryjylar, tigel susseptorlary, izolýasiýa) başlap, Epitaksiýa ýa-da MOCVD üçin kremniý karbid bilen örtülen grafit susseptorlary ýaly wafer işläp bejeriş enjamlary üçin ýokary takyklykly grafit böleklerine çenli dürli-dürli. Bu ýerde biziň ýörite grafitimiz rol oýnaýar: izostatik grafit birleşme ýarymgeçiriji gatlaklaryny öndürmek üçin esasydyr. Bular "gyzgyn zolakda" epitaksiya ýa-da MOCVD prosesi diýilýän mahalynda ekstremal temperatura şertlerinde döredilýär. Reaktorda waferleriň örtülen aýlanýan daşaýjysy kremniý karbid bilen örtülen izostatik grafitden ybarat. Diňe şu örän arassa, birmeňzeş grafit örtük prosesinde ýokary talaplara laýyk gelýär.

TLED epitaksial plastinka ösüşiniň esasy prinsipi şudur: degişli temperatura çenli gyzdyrylan substratda (esasan sapfir, SiC we Si), InGaAlP gaz görnüşli materialy substratyň ýüzüne gözegçilikli usulda daşalyp, belli bir kristal plýonkany ösdürip ýetişdirýär. Häzirki wagtda LED epitaksial plastinkanyň ösüş tehnologiýasy esasan organiki metal himiki bug çökündisini ulanýar.
LED epitaksial substrat materialyýarymgeçiriji yşyklandyryş senagatynyň tehnologik ösüşiniň esasydyr. Dürli substrat materiallary dürli LED epitaksial plastinka ösüş tehnologiýasyna, çip gaýtadan işlemek tehnologiýasyna we enjam gaplama tehnologiýasyna mätäç. Substrat materiallary ýarymgeçiriji yşyklandyryş tehnologiýasynyň ösüş ýoluny kesgitleýär.

7 3 9

LED epitaksial plastinka substrat materialyny saýlamagyň aýratynlyklary:

1. Epitaksial material substrat bilen birmeňzeş ýa-da meňzeş kristal gurluşyna, kiçi torlu üýtgeşikligine, gowy kristallyk derejesine we pes kemçilik dykyzlygyna eýedir.

2. Epitaksial materiallaryň ýadrolanmagyna we güýçli ýelmeşmegine ýardam edýän gowy interfeýs häsiýetnamalary

3. Onuň himiki durnuklylygy gowy we epitaksial ösüşiň temperaturasynda we atmosferasynda çüýremegi we poslamagy aňsat däl

4. Gowy ýylylyk geçirijiligi we pes ýylylyk gabat gelmezligi bilen birlikde gowy ýylylyk görkezijileri

5. Gowy geçirijilik, ýokarky we aşaky gurluşa öwrülip bilner 6, gowy optiki iş görkeziji we öndürilen enjam tarapyndan çykarylýan ýagtylyk substrat tarapyndan az siňdirilýär

7. Inçeltmek, jylamak we kesmek ýaly enjamlaryň gowy mehaniki häsiýetleri we aňsat işlenilmegi

8. Arzan baha.

9. Uly ölçeg. Umuman, diametri 2 dýuýmdan az bolmaly däl.

10. Adaty görnüşli substraty almak aňsat (başga ýörite talaplar bolmasa) we epitaksial enjamlaryň tagta deşigine meňzeş substrat görnüşi epitaksial hiline täsir etmek üçin düzgünsiz burulma akymyny emele getirmek aňsat däl.

11. Epitaksial hiline täsir etmezligi şerti bilen, substratyň işleniş ukyby mümkin boldugyça soňraky çipleri we gaplamalary gaýtadan işlemegiň talaplaryna laýyk gelmelidir.

Substratyň saýlanmagynyň ýokardaky on bir aspekte bir wagtyň özünde laýyk gelmegi örän kyn.Şonuň üçin häzirki wagtda biz dürli substratlarda ýarymgeçirijili ýagtylyk çykaryjy enjamlaryň ylmy-barlag işlerine we önümçiligine diňe epitaksial ösüş tehnologiýasyny üýtgetmek we enjam işleme tehnologiýasyny sazlamak arkaly uýgunlaşyp bilýäris. Galliý nitridini öwrenmek üçin köp substrat materiallary bar, ýöne önümçilik üçin ulanylyp bilinýän diňe iki substrat bar, ýagny sapfir Al2O3 we kremniý karbidi.SiC substratlary.


Ýerleşdirilen wagty: 2022-nji ýylyň 28-nji fewraly
WhatsApp-da onlaýn söhbetdeşlik!