उच्च-शुद्धतेचे ग्रॅफाइट घटक अत्यावश्यक आहेतसेमीकंडक्टर, एलईडी आणि सौर उद्योगातील प्रक्रिया. आमची उत्पादने क्रिस्टल वाढवणाऱ्या हॉट झोनसाठी लागणाऱ्या ग्रॅफाइट उपभोग्य वस्तूंपासून (हीटर्स, क्रुसिबल ससेप्टर्स, इन्सुलेशन) ते वेफर प्रोसेसिंग उपकरणांसाठी लागणाऱ्या उच्च-सुस्पष्टता ग्रॅफाइट घटकांपर्यंत, जसे की एपिटॅक्सी किंवा एमओसीव्हीडीसाठी सिलिकॉन कार्बाइड लेपित ग्रॅफाइट ससेप्टर्सपर्यंत उपलब्ध आहेत. येथेच आमच्या विशेष ग्रॅफाइटची भूमिका येते: कंपाऊंड सेमीकंडक्टर थरांच्या उत्पादनासाठी आयसोस्टॅटिक ग्रॅफाइट मूलभूत आहे. हे थर तथाकथित एपिटॅक्सी किंवा एमओसीव्हीडी प्रक्रियेदरम्यान "हॉट झोन" मध्ये अत्यंत तापमानात तयार केले जातात. रिॲक्टरमध्ये ज्या फिरत्या वाहकावर वेफर्सचे कोटिंग केले जाते, तो सिलिकॉन कार्बाइड-लेपित आयसोस्टॅटिक ग्रॅफाइटचा बनलेला असतो. केवळ हे अत्यंत शुद्ध, एकसंध ग्रॅफाइटच कोटिंग प्रक्रियेतील उच्च आवश्यकता पूर्ण करते.
Tएलईडी एपिटॅक्सियल वेफर वाढीचे मूलभूत तत्व आहेयोग्य तापमानापर्यंत गरम केलेल्या सब्सट्रेटवर (मुख्यतः सफायर, SiC आणि Si), InGaAlP हा वायुरूप पदार्थ नियंत्रित पद्धतीने सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर वाहून नेला जातो, ज्यामुळे एक विशिष्ट एकल क्रिस्टल फिल्म वाढते. सध्या, LED एपिटॅक्सियल वेफरच्या वाढीसाठी प्रामुख्याने ऑरगॅनिक मेटल केमिकल व्हेपर डिपॉझिशन (organic metal chemical vapor deposition) या तंत्रज्ञानाचा अवलंब केला जातो.
एलईडी एपिटॅक्सियल सबस्ट्रेट मटेरियलसेमीकंडक्टर लाइटिंग उद्योगाच्या तांत्रिक विकासाचा हा आधारस्तंभ आहे. वेगवेगळ्या सबस्ट्रेट मटेरियलसाठी वेगवेगळे एलईडी एपिटॅक्सियल वेफर ग्रोथ तंत्रज्ञान, चिप प्रोसेसिंग तंत्रज्ञान आणि डिव्हाइस पॅकेजिंग तंत्रज्ञान आवश्यक असते. सबस्ट्रेट मटेरियल सेमीकंडक्टर लाइटिंग तंत्रज्ञानाच्या विकासाची दिशा ठरवतात.
एलईडी एपिटॅक्सियल वेफर सबस्ट्रेट मटेरियल निवडीची वैशिष्ट्ये:
१. एपिटॅक्सियल पदार्थाची स्फटिक रचना सबस्ट्रेटच्या समान किंवा तत्सम असते, लॅटिस कॉन्स्टंटमधील तफावत कमी असते, स्फटिकता चांगली असते आणि दोषांची घनता कमी असते.
२. उत्तम इंटरफेस वैशिष्ट्ये, जी एपिटॅक्सियल सामग्रीच्या निर्मितीसाठी आणि मजबूत आसंजनासाठी अनुकूल असतात.
३. यात चांगली रासायनिक स्थिरता आहे आणि एपिटॅक्सियल वाढीच्या तापमानात व वातावरणात त्याचे सहज विघटन किंवा क्षरण होत नाही.
४. उत्तम औष्णिक कार्यक्षमता, ज्यामध्ये उत्तम औष्णिक वाहकता आणि कमी औष्णिक विसंगती यांचा समावेश आहे.
५. चांगली वाहकता, वरच्या आणि खालच्या रचनेत बनवता येते ६, चांगली ऑप्टिकल कार्यक्षमता, आणि तयार केलेल्या उपकरणातून उत्सर्जित होणारा प्रकाश सब्सट्रेटद्वारे कमी शोषला जातो
७. उत्तम यांत्रिक गुणधर्म आणि पातळ करणे, पॉलिश करणे व कापणे यांसारख्या प्रक्रियांसह उपकरणांवर सहज प्रक्रिया करण्याची सोय.
८. कमी किंमत.
९. मोठा आकार. साधारणपणे, व्यास २ इंचांपेक्षा कमी नसावा.
१०. नियमित आकाराचे सबस्ट्रेट मिळवणे सोपे आहे (इतर विशेष आवश्यकता नसल्यास), आणि एपिटॅक्सियल उपकरणाच्या ट्रे होलसारख्या आकाराच्या सबस्ट्रेटवर अनियमित एडी करंट तयार होणे सोपे नसते, ज्यामुळे एपिटॅक्सियल गुणवत्तेवर परिणाम होतो.
११. एपिटॅक्सियल गुणवत्तेवर परिणाम होणार नाही या अटीवर, सबस्ट्रेटची मशिनिबिलिटी त्यानंतरच्या चिप आणि पॅकेजिंग प्रक्रियेच्या आवश्यकता पूर्ण करणारी असावी.
सब्सट्रेटच्या निवडीमध्ये वरील अकरा बाबी एकाच वेळी पूर्ण होणे खूप अवघड आहे.त्यामुळे, सध्या, आपण केवळ एपिटॅक्सियल ग्रोथ तंत्रज्ञानातील बदल आणि डिव्हाइस प्रोसेसिंग तंत्रज्ञानातील समायोजनाद्वारेच वेगवेगळ्या सबस्ट्रेट्सवरील सेमीकंडक्टर प्रकाश-उत्सर्जक उपकरणांच्या संशोधन आणि विकास (R&D) आणि उत्पादनाशी जुळवून घेऊ शकतो. गॅलियम नायट्राइड संशोधनासाठी अनेक सबस्ट्रेट मटेरियल आहेत, परंतु उत्पादनासाठी फक्त दोनच सबस्ट्रेट्स वापरले जाऊ शकतात, ते म्हणजे सफायर Al2O3 आणि सिलिकॉन कार्बाइड.एसआयसी सब्सट्रेट्स.
पोस्ट करण्याची वेळ: २८ फेब्रुवारी २०२२