उच्च-शुद्धता असलेले ग्रेफाइट घटक महत्वाचे आहेतसेमीकंडक्टर, एलईडी आणि सौर उद्योगातील प्रक्रिया. आमच्या ऑफरमध्ये क्रिस्टल ग्रोइंग हॉट झोन (हीटर्स, क्रूसिबल ससेप्टर्स, इन्सुलेशन) साठी ग्रेफाइट उपभोग्य वस्तूंपासून ते वेफर प्रोसेसिंग उपकरणांसाठी उच्च-परिशुद्धता ग्रेफाइट घटकांपर्यंत, जसे की एपिटॅक्सी किंवा एमओसीव्हीडीसाठी सिलिकॉन कार्बाइड लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर्स. येथेच आमचे विशेष ग्रेफाइट कामात येते: कंपाऊंड सेमीकंडक्टर थरांच्या उत्पादनासाठी आयसोस्टॅटिक ग्रेफाइट मूलभूत आहे. हे तथाकथित एपिटॅक्सी किंवा एमओसीव्हीडी प्रक्रियेदरम्यान अत्यंत तापमानात "हॉट झोन" मध्ये तयार केले जातात. रिअॅक्टरमध्ये वेफर्स ज्या फिरत्या वाहकावर लेपित केले जातात त्यामध्ये सिलिकॉन कार्बाइड-लेपित आयसोस्टॅटिक ग्रेफाइट असते. फक्त हे अतिशय शुद्ध, एकसंध ग्रेफाइट कोटिंग प्रक्रियेतील उच्च आवश्यकता पूर्ण करते.
Tएलईडी एपिटॅक्सियल वेफर वाढीचे मूलभूत तत्व आहे: योग्य तापमानाला गरम केलेल्या सब्सट्रेटवर (प्रामुख्याने नीलमणी, SiC आणि Si) वायूयुक्त पदार्थ InGaAlP नियंत्रित पद्धतीने सब्सट्रेट पृष्ठभागावर वाहून नेला जातो जेणेकरून विशिष्ट सिंगल क्रिस्टल फिल्म वाढेल. सध्या, LED एपिटॅक्सियल वेफरची वाढ तंत्रज्ञान प्रामुख्याने सेंद्रिय धातू रासायनिक वाष्प निक्षेपणाचा अवलंब करते.
एलईडी एपिटॅक्सियल सब्सट्रेट मटेरियलसेमीकंडक्टर लाइटिंग उद्योगाच्या तांत्रिक विकासाचा हा कोनशिला आहे. वेगवेगळ्या सब्सट्रेट मटेरियलना वेगवेगळ्या एलईडी एपिटॅक्सियल वेफर ग्रोथ टेक्नॉलॉजी, चिप प्रोसेसिंग टेक्नॉलॉजी आणि डिव्हाइस पॅकेजिंग टेक्नॉलॉजीची आवश्यकता असते. सब्सट्रेट मटेरियल सेमीकंडक्टर लाइटिंग टेक्नॉलॉजीचा विकास मार्ग ठरवतात.
एलईडी एपिटॅक्सियल वेफर सब्सट्रेट मटेरियल निवडीची वैशिष्ट्ये:
१. एपिटॅक्सियल मटेरियलमध्ये सब्सट्रेटसारखेच किंवा समान क्रिस्टल स्ट्रक्चर असते, लहान जाळी सतत जुळत नाही, चांगली क्रिस्टलीयता आणि कमी दोष घनता असते.
२. चांगली इंटरफेस वैशिष्ट्ये, एपिटॅक्सियल पदार्थांच्या केंद्रकीकरणासाठी अनुकूल आणि मजबूत आसंजन
३. त्याची रासायनिक स्थिरता चांगली आहे आणि एपिटॅक्सियल वाढीच्या तापमानात आणि वातावरणात त्याचे विघटन आणि गंज होणे सोपे नाही.
४. चांगली थर्मल कामगिरी, चांगली थर्मल चालकता आणि कमी थर्मल विसंगतीसह
५. चांगली चालकता, वरच्या आणि खालच्या रचनेत बनवता येते ६, चांगली ऑप्टिकल कामगिरी, आणि बनवलेल्या उपकरणाद्वारे उत्सर्जित होणारा प्रकाश सब्सट्रेटद्वारे कमी शोषला जातो.
७. चांगले यांत्रिक गुणधर्म आणि पातळ करणे, पॉलिश करणे आणि कापणे यासह उपकरणांची सोपी प्रक्रिया
८. कमी किंमत.
९. मोठा आकार. साधारणपणे, व्यास २ इंचांपेक्षा कमी नसावा.
१०. नियमित आकाराचा सब्सट्रेट मिळवणे सोपे आहे (इतर विशेष आवश्यकता असल्याशिवाय), आणि एपिटॅक्सियल उपकरणांच्या ट्रे होल सारख्या सब्सट्रेटच्या आकारामुळे अनियमित एडी करंट तयार करणे सोपे नाही, ज्यामुळे एपिटॅक्सियल गुणवत्तेवर परिणाम होतो.
११. एपिटॅक्सियल गुणवत्तेवर परिणाम होत नाही या आधारावर, सब्सट्रेटची मशीनिबिलिटी शक्य तितक्या नंतरच्या चिप आणि पॅकेजिंग प्रक्रियेच्या आवश्यकता पूर्ण करेल.
सब्सट्रेट निवडताना वरील अकरा पैलू एकाच वेळी पूर्ण करणे खूप कठीण आहे.. म्हणूनच, सध्या, आपण एपिटॅक्सियल ग्रोथ तंत्रज्ञानातील बदल आणि उपकरण प्रक्रिया तंत्रज्ञानाच्या समायोजनाद्वारे वेगवेगळ्या सब्सट्रेट्सवर अर्धसंवाहक प्रकाश-उत्सर्जक उपकरणांच्या संशोधन आणि विकास आणि उत्पादनाशी जुळवून घेऊ शकतो. गॅलियम नायट्राइड संशोधनासाठी अनेक सब्सट्रेट साहित्य आहेत, परंतु उत्पादनासाठी फक्त दोन सब्सट्रेट्स वापरले जाऊ शकतात, म्हणजे नीलमणी Al2O3 आणि सिलिकॉन कार्बाइड.SiC सब्सट्रेट्स.
पोस्ट वेळ: फेब्रुवारी-२८-२०२२