Akụkụ ọkara ọnwa nke SiC nke e ji ákwà kpuchie maka Silicon Carbide Epitaxial Furnace

Akụkụ ọkara ọnwa nke SiC e ji ekpuchi acha anụnụ anụnụ maka Silicon Carbide Epitaxial Furnace

Nkọwa Dị Mkpirikpi:

VET Energy bụ ọkachamara n'ịmepụta ma na-ebunye ihe ndị bụ isi nke ọkụ silicon carbide epitaxial. Akụkụ halfmoon graphite anyị nke SiC kpuchiri na-eji graphite dị ọcha nke ukwuu yana teknụzụ mkpuchi CVD dị elu. Emebere ya maka gburugburu epitaxial dị elu na nke na-emebi emebi nke ukwuu. Graphite dị ọcha nke ukwuu na-enye ihe mejupụtara ya ezigbo iguzogide okpomọkụ dị elu (>1600℃) na nkwụsi ike okpomọkụ, na-eme ka ikuku okpomọkụ dị n'otu; mkpuchi CVD na-emepụta oyi akwa nchekwa dị oke n'elu site na teknụzụ CVD, na-eme ka njirimara mgbochi oxidation na mgbochi etching dịkwuo mma, ma na-agbatị ndụ ọrụ ihe karịrị ugboro atọ.

Ihe:Graphite dị ọcha nke ukwuu

Nchacha:≤5ppm

Mkpuchi:CVD-SiC ma ọ bụ CVD-TaC

Nhazi:Ọkụ ọkụ ma ọ bụ OEM

Zitere anyị ozi-e Budata ya dị ka PDF

Nkọwa Ngwaahịa

Akara Ngwaahịa

Akụkụ ọkara ọnwa nke SiC graphite a kpụchara akpụbụ isi ihe eji eme ihe na usoro mmepụta semiconductor, ọkachasị maka ngwa epitaxial SiC. Anyị na-eji teknụzụ anyị nwere patent iji mee akụkụ halfmoon nwere ịdị ọcha dị elu, ịdị mma nke mkpuchi na ndụ ọrụ dị mma, yana nnukwu iguzogide kemịkalụ na ihe ndị na-eme ka okpomọkụ sie ike.

Isi ihe: graphite dị ọcha nke ukwuu
Ihe achọrọ maka ịdị ọcha:ọdịnaya carbon ≥99.99%, ọdịnaya ntụ ≤5ppm, iji hụ na ọ dịghị ihe ruru unyi ọ bụla na-eme ka ọ merụọ oyi akwa epitaxial n'oge okpomọkụ dị elu.
Uru arụmọrụ:
Oke okpomọkụ na-achịkwa nke ọma:Ọkwa okpomọkụ n'ime ụlọ na-eru 150W/(m・K), nke dị nso na ọkwa ọla kọpa ma nwee ike ibufe okpomọkụ ngwa ngwa.
Ọnụọgụ mgbasawanye dị ala:5 × 10^-6/℃ (25-1000℃), nke kwekọrọ na ihe mkpuchi silicon carbide (4.2×10)^-6/℃), na-ebelata mgbawa nke mkpuchi ahụ nke nrụgide okpomọkụ kpatara.
Nhazi izi ezi:A na-enweta ndidi nha nke ±0.05mm site na igwe CNC iji hụ na e mechiri ụlọ ahụ.

Ngwa dị iche iche nke CVD SiC na CVD TaC

Mkpuchi	Usoro	Ntụnyere	Ngwa nkịtị
CVD-SiC	Okpomọkụ: 1000-1200℃Nrụgide: 10-100 Torr	Ike HV2500, ọkpụrụkpụ 50-100um, ezigbo nguzogide oxidation (kwụsiri ike n'okpuru 1600℃)	Ọkụ epitaxial zuru ụwa ọnụ, nke dabara adaba maka ikuku nkịtị dịka hydrogen na silane
CVD-TaC	Okpomọkụ: 1600-1800℃Nrụgide: 1-10 Torr	Ike HV3000, ọkpụrụkpụ ya bụ 20-50um, ọ na-eguzogide nchara nke ukwuu (nwere ike iguzogide gas ndị na-emebi emebi dịka HCl, NH₃, wdg.)	Gburugburu ebe siri ike nke ukwuu (dịka ngwa GaN epitaxy na ihe etching), ma ọ bụ usoro pụrụ iche nke chọrọ oke okpomọkụ dị elu nke 2600°C

Nnyocha ịdị mma

Ọkpụrụkpụ mkpuchi: nha ọkpụrụkpụ laser (izizi ± 1um) ma ọ bụ nyocha nkebi SEM.
Ike njikọ: nnwale ọkọ (ibu dị oke mkpa > 50N) ma ọ bụ nnwale ultrasonic (ọsọ ụda > 5000m/s).
Nguzogide nrụrụ aka: ọnụego mfu oke (<0.1 mg/cm²・h) a nwalere na ikuku HCl (5 vol%, 1600℃).

VET Energy bụ ọkachamara na-emepụta ihe na-elekwasị anya na R&D na mmepụta nke ihe ndị dị elu dị ka graphite, silicon carbide, quartz, yana ọgwụgwọ ihe dịka mkpuchi SiC, mkpuchi TaC, mkpuchi carbon iko, mkpuchi carbon pyrolytic, wdg. A na-eji ngwaahịa ndị a eme ihe n'ọtụtụ ebe na fotovoltaic, semiconductor, ike ọhụrụ, metallurgy, wdg.

Ndị otu teknụzụ anyị sitere na ụlọ ọrụ nyocha kacha elu n'ime obodo, ha nwere ike inye gị azịza ihe ọkachamara karịa.

Uru ike VET gụnyere:
• Ụlọ ọrụ mmepụta ihe na ụlọ nyocha ọkachamara nke ya;
• Ọkwa na ịdị ọcha nke ụlọ ọrụ mmepụta ihe na-eduga n'ịdị ọcha;
• Ọnụ ahịa asọmpi & Oge nnyefe ngwa ngwa;
• Mmekọrịta dị iche iche n'etiti ụlọ ọrụ n'ụwa niile;

Anyị na-anabata gị ka ị gaa leta ụlọ ọrụ mmepụta ihe na ụlọ nyocha anyị n'oge ọ bụla!