SiC Coated Graphite Half Moon Vaega ma Fonotaga mo SiC Epitaxy

SiC Coated Graphite Halfmoon Vaegao se vaega autu o loʻo faʻaaogaina i le gaosiga o gaosiga semiconductor, aemaise lava mo masini epitaxial SiC. O lona fausaga fausaga ma meafaitino o lo'o fuafua sa'o ai le lelei ma le gaosiga lelei o le epitaxial wafers.

Fausia le potu tali:
O le afa masina e aofia ai vaega e lua, o le pito i luga ma le pito i lalo, o loʻo faʻapipiʻi faʻatasi e fausia ai se potu tuputupu aʻe tapuni, lea e faʻaogaina ai le carbide substrate (e masani lava 4H-SiC poʻo 6H-SiC) ma ausia ai le tuputupu aʻe o le epitaxial e ala i le pulea tonu o le kesi tafe fanua (e pei o le faʻafefiloi o SiH₄₄₄, H₄).
Fa'atonuga o le vevela:
O le maualuga o le mama graphite faʻapipiʻi faʻatasi ma le faʻaogaina o le faʻavevelaina e mafai ona faʻatumauina le faʻaogaina o le vevela o le potu (i totonu o le ± 5 ° C) i le maualuga o le vevela o le 1500-1700 ° C e faʻamautinoa ai le tutusa o le mafiafia o le epitaxial layer.
Fa'atonuga o le ea:
E ala i le fuafuaina o le tulaga o le ea inlet ma fafo (e pei o le itu ea inlet ma luga o le ea fafo o le ogaumu faalava tino), o le tali kasa e tafe laminar e taialaina i luga o le substrate e faaitiitia faaletonu tuputupu ae e mafua mai le vevesi.

Mea fa'avae: graphite maualuga-mama
Manaoga mama:kaponi anotusi ≥99.99%, lefulefu anotusi ≤5ppm, ina ia mautinoa e leai ni mea eleelea e precipitated e faaleagaina ai le vaega epitaxial i le vevela maualuga.
Fa'amanuiaga fa'atinoga:
Fa'avevela vevela maualuga:O le fa'avevela vevela ile vevela ole potu e o'o ile 150W/(m・K), lea e latalata ile maualuga ole kopa ma e mafai ona vave fa'afefe le vevela.
Fa'asili fa'alautele maualalo:5×10^-6/ ℃ (25-1000 ℃), fa'afetaui le mea fa'apipi'i carbide silicon (4.2×10).^-6/ ℃), faʻaitiitia le taʻe o le ufiufi e mafua mai i le vevela vevela.
Fa'atonuga sa'o:O le faʻapalepale o le ± 0.05mm e maua e ala ile masini CNC e faʻamautinoa ai le faʻamaufaʻailogaina o le potu.

Talosaga eseese o CVD SiC ma CVD TaC