SiC potiahnutý grafitový polmesiac, diel a zostava pre SiC epitaxiu

Polmesiacový diel s povlakom SiC z grafituje kľúčovou súčasťou používanou v procesoch výroby polovodičov, najmä pre epitaxné zariadenia SiC. Jeho štrukturálny dizajn a materiálové vlastnosti priamo určujú kvalitu a efektivitu výroby epitaxných doštičiek.

Konštrukcia reakčnej komory:
Polmesiacová časť sa skladá z dvoch častí, hornej a spodnej časti, ktoré sú spojené do uzavretej rastovej komory, ktorá pojme substrát z karbidu kremíka (zvyčajne 4H-SiC alebo 6H-SiC) a dosahuje rast epitaxnej vrstvy presným riadením poľa prúdenia plynu (napríklad zmesi SiH₄, C₃H₈ a H₂).
Regulácia teplotného poľa:
Vysoko čistý grafitový základ v kombinácii s indukčnou vykurovacou cievkou dokáže udržiavať rovnomernosť teploty v komore (v rozmedzí ±5 °C) pri vysokej teplote 1500 – 1700 °C, čím sa zabezpečí konzistentnosť hrúbky epitaxnej vrstvy.
Pokyny na prúdenie vzduchu:
Navrhnutím polohy vstupu a výstupu vzduchu (ako je bočný vstup vzduchu a horný výstup vzduchu z telesa horizontálnej pece) je laminárny tok reakčného plynu vedený cez povrch substrátu, aby sa znížili rastové chyby spôsobené turbulenciou.

Základný materiál: vysoko čistý grafit
Požiadavky na čistotu:obsah uhlíka ≥99,99 %, obsah popola ≤5 ppm, aby sa zabezpečilo, že sa pri vysokých teplotách nevyzrážajú žiadne nečistoty, ktoré by mohli kontaminovať epitaxnú vrstvu.
Výhody výkonu:
Vysoká tepelná vodivosť:Tepelná vodivosť pri izbovej teplote dosahuje 150 W/(m·K), čo sa blíži úrovni medi a umožňuje rýchly prenos tepla.
Nízky koeficient rozťažnosti:5×10^-6/℃ (25 – 1 000 ℃), zodpovedajúci substrátu z karbidu kremíka (4,2 × 10^-6/℃), čo znižuje praskanie náteru spôsobené tepelným namáhaním.
Presnosť spracovania:Rozmerová tolerancia ±0,05 mm sa dosahuje CNC obrábaním, aby sa zabezpečilo utesnenie komory.

Diferencované aplikácie CVD SiC a CVD TaC