Vet-ChinaSilikonkarbied KeramiekBedekking is 'n hoëprestasie-beskermende laag gemaak van uiters harde en slytbestande materiaal.silikonkarbied (SiC)materiaal, wat uitstekende chemiese korrosiebestandheid en hoëtemperatuurstabiliteit bied. Hierdie eienskappe is van kardinale belang in halfgeleierproduksie, soSilikonkarbied Keramieklaagword wyd gebruik in sleutelkomponente van halfgeleiervervaardigingstoerusting.
Die spesifieke rol van Vet-ChinaSilikonkarbied KeramiekBedekking in halfgeleierproduksie is soos volg:
Verbeter die duursaamheid van toerusting:Silikonkarbied Keramieklaag Silikonkarbied Keramieklaag bied uitstekende oppervlakbeskerming vir halfgeleiervervaardigingstoerusting met sy uiters hoë hardheid en slytasieweerstand. Veral in hoëtemperatuur- en hoogs korrosiewe prosesomgewings, soos chemiese dampafsetting (CVD) en plasma-etsing, kan die laag effektief voorkom dat die oppervlak van die toerusting deur chemiese erosie of fisiese slytasie beskadig word, waardeur die lewensduur van die toerusting aansienlik verleng word en stilstandtyd wat deur gereelde vervanging en herstel veroorsaak word, verminder word.
Verbeter proses suiwerheid:In die halfgeleiervervaardigingsproses kan klein kontaminasie produkdefekte veroorsaak. Die chemiese traagheid van Silikonkarbied Keramieklaag laat dit toe om stabiel te bly onder uiterste toestande, wat verhoed dat die materiaal deeltjies of onsuiwerhede vrystel, en sodoende die omgewingsuiwerheid van die proses verseker. Dit is veral belangrik vir vervaardigingstappe wat hoë presisie en hoë netheid vereis, soos PECVD en iooninplanting.
Optimaliseer termiese bestuur:In hoëtemperatuur-halfgeleierverwerking, soos vinnige termiese verwerking (RTP) en oksidasieprosesse, maak die hoë termiese geleidingsvermoë van silikonkarbied-keramiekbedekking eenvormige temperatuurverspreiding binne die toerusting moontlik. Dit help om termiese spanning en materiaalvervorming wat deur temperatuurskommelings veroorsaak word, te verminder, wat die akkuraatheid en konsekwentheid van produkvervaardiging verbeter.
Ondersteun komplekse prosesomgewings:In prosesse wat komplekse atmosfeerbeheer vereis, soos ICP-ets- en PSS-etsprosesse, verseker die stabiliteit en oksidasieweerstand van Silikonkarbied Keramiekbedekking dat die toerusting stabiele werkverrigting in langtermynwerking handhaaf, wat die risiko van materiaaldegradasie of toerustingskade as gevolg van omgewingsveranderinge verminder.
| KVS SiC薄膜基本物理性能 Basiese fisiese eienskappe van CVD SiCbedekking | |
| 性质 / Eiendom | 典型数值 / Tipiese Waarde |
| 晶体结构 / Kristalstruktuur | FCC β-fase多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Digtheid | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Hardheid | 2500 维氏硬度（500g vrag） |
| 晶粒大小 / Graangrootte | 2~10μm |
| 纯度 / Chemiese Suiwerheid | 99.99995% |
| 热容 / Hittekapasiteit | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimasie Temperatuur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Buigsterkte | 415 MPa RT 4-punt |
| 杨氏模量 / Young se Modulus | 430 Gpa 4pt buiging, 1300 ℃ |
| 导热系数 / TermalGeleidingsvermoë | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Termiese Uitbreiding (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Ons verwelkom u hartlik om ons fabriek te besoek, kom ons gesels verder!
