Vétérinaire-ChineCéramique en carbure de siliciumLe revêtement est un revêtement protecteur haute performance composé de matériaux extrêmement durs et résistants à l'usure.carbure de silicium (SiC)Ce matériau offre une excellente résistance à la corrosion chimique et une grande stabilité à haute température. Ces caractéristiques sont essentielles à la production de semi-conducteurs.Revêtement céramique en carbure de siliciumest largement utilisé dans les composants clés des équipements de fabrication de semi-conducteurs.
Le rôle spécifique de Vet-ChinaCéramique en carbure de siliciumLe revêtement dans la production de semi-conducteurs est le suivant :
Améliorer la durabilité des équipements :Le revêtement céramique en carbure de silicium offre une excellente protection de surface aux équipements de fabrication de semi-conducteurs grâce à son extrême dureté et sa résistance à l'usure. Particulièrement efficace dans les environnements de procédés à haute température et fortement corrosifs, tels que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et la gravure plasma, ce revêtement prévient l'érosion chimique et l'usure physique de la surface des équipements, prolongeant ainsi considérablement leur durée de vie et réduisant les temps d'arrêt liés aux réparations et remplacements fréquents.
Améliorer la pureté du processus :Dans le processus de fabrication des semi-conducteurs, une contamination infime peut engendrer des défauts. L'inertie chimique du revêtement céramique en carbure de silicium lui confère une stabilité même dans des conditions extrêmes, empêchant la libération de particules ou d'impuretés et garantissant ainsi la pureté environnementale du procédé. Ceci est particulièrement important pour les étapes de fabrication exigeant une grande précision et une propreté irréprochable, telles que le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) et l'implantation ionique.
Optimiser la gestion thermique :Dans les procédés de fabrication de semi-conducteurs à haute température, tels que le traitement thermique rapide (RTP) et les procédés d'oxydation, la conductivité thermique élevée du revêtement céramique en carbure de silicium assure une répartition uniforme de la température à l'intérieur de l'équipement. Ceci contribue à réduire les contraintes thermiques et les déformations du matériau dues aux fluctuations de température, améliorant ainsi la précision et la régularité de la fabrication.
Prendre en charge les environnements de processus complexes :Dans les procédés nécessitant un contrôle complexe de l'atmosphère, tels que la gravure ICP et la gravure PSS, la stabilité et la résistance à l'oxydation du revêtement céramique en carbure de silicium garantissent que l'équipement conserve des performances stables en fonctionnement à long terme, réduisant ainsi le risque de dégradation des matériaux ou d'endommagement de l'équipement dû aux changements environnementaux.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Propriétés physiques fondamentales du SiC CVDrevêtement | |
| 性质 / Propriété | 典型数值 / Valeur typique |
| 晶体结构 / Structure cristalline | Phase β de la structure cubique à faces centrées (CFC)多晶,主要为(111) |
| 密度 / Densité | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureté | 2 500 维氏硬度 (charge de 500 g) |
| 晶粒大小 / Taille des grains | 2~10 μm |
| 纯度 / Pureté chimique | 99,99995% |
| 热容 / Capacité thermique | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Température de sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Résistance à la flexion | 415 MPa RT 4 points |
| 杨氏模量 Module de Young | 430 Gpa flexion 4 points, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermielConductivité | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Dilatation thermique (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
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