élément chauffant à revêtement céramique en carbure de silicium

Brève description :

En tant que fabricant et fournisseur professionnel de revêtements céramiques en carbure de silicium en Chine, Vet-China utilise largement ses revêtements céramiques en carbure de silicium sur les composants clés des équipements de fabrication de semi-conducteurs, notamment lors des procédés CVD et PECVD. Spécialisé dans la fabrication et la fourniture de revêtements céramiques en carbure de silicium haute performance, Vet-China s'engage à fournir des technologies et des solutions de pointe pour l'industrie des semi-conducteurs. N'hésitez pas à nous contacter.


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Vétérinaire-ChineCéramique en carbure de siliciumLe revêtement est un revêtement protecteur haute performance composé d'un matériau extrêmement dur et résistant à l'usurecarbure de silicium (SiC)Matériau offrant une excellente résistance à la corrosion chimique et une stabilité à haute température. Ces caractéristiques sont cruciales pour la production de semi-conducteurs.Revêtement céramique en carbure de siliciumest largement utilisé dans les composants clés des équipements de fabrication de semi-conducteurs.

Le rôle spécifique de Vet-ChinaCéramique en carbure de siliciumLe revêtement dans la production de semi-conducteurs est le suivant :

Améliorer la durabilité de l'équipement :Revêtement céramique en carbure de silicium. Grâce à sa dureté et sa résistance à l'usure extrêmement élevées, le revêtement céramique en carbure de silicium offre une excellente protection de surface pour les équipements de fabrication de semi-conducteurs. Particulièrement adapté aux environnements de production à haute température et hautement corrosifs, tels que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et la gravure plasma, ce revêtement protège efficacement la surface des équipements contre l'érosion chimique ou l'usure physique, prolongeant ainsi considérablement leur durée de vie et réduisant les temps d'arrêt liés aux remplacements et réparations fréquents.

Améliorer la pureté du processus :Dans le processus de fabrication des semi-conducteurs, une contamination minime peut entraîner des défauts de produit. L'inertie chimique du revêtement céramique en carbure de silicium lui permet de rester stable dans des conditions extrêmes, empêchant ainsi la libération de particules ou d'impuretés, garantissant ainsi la pureté environnementale du processus. Ceci est particulièrement important pour les étapes de fabrication exigeant une précision et une propreté élevées, telles que le dépôt chimique en phase vapeur (PECVD) et l'implantation ionique.

Optimiser la gestion thermique :Dans le traitement des semi-conducteurs à haute température, comme le traitement thermique rapide (RTP) et les procédés d'oxydation, la conductivité thermique élevée du revêtement céramique en carbure de silicium assure une répartition uniforme de la température à l'intérieur de l'équipement. Cela contribue à réduire les contraintes thermiques et la déformation des matériaux causées par les fluctuations de température, améliorant ainsi la précision et la régularité de la fabrication des produits.

Prise en charge des environnements de processus complexes :Dans les processus qui nécessitent un contrôle complexe de l'atmosphère, tels que les processus de gravure ICP et de gravure PSS, la stabilité et la résistance à l'oxydation du revêtement en céramique au carbure de silicium garantissent que l'équipement maintient des performances stables en fonctionnement à long terme, réduisant ainsi le risque de dégradation des matériaux ou de dommages à l'équipement en raison de changements environnementaux.

revêtement céramique en carbure de silicium
Réchauffeur en graphite (4)

maladies cardiovasculaires SiC薄膜基本物理性能

Propriétés physiques de base du SiC CVDrevêtement

性质 / Propriété

典型数值 / Valeur typique

晶体结构 / Structure cristalline

Phase β du FCC多晶,主要为(111)

密度 / Densité

3,21 g/cm³

硬度 / Dureté

2 500 维氏硬度 (charge de 500 g)

晶粒大小 / Granulométrie

2 à 10 μm

纯度 / Pureté chimique

99,99995%

热容 / Capacité thermique

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Température de sublimation

2700℃

抗弯强度 / Résistance à la flexion

415 MPa RT 4 points

杨氏模量 / Module de Young

430 Gpa 4pt courbé, 1300℃

导热系数 / ThermalConductivité

300 W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Dilatation thermique (CTE)

4,5 × 10-6K-1

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