Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungsheizung

Kurze Beschreibung:

Als professioneller Hersteller und Lieferant von Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungen in China wird die Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung von Vet-China häufig für Schlüsselkomponenten von Halbleiterfertigungsanlagen eingesetzt, insbesondere bei CVD- und PECVD-Prozessen. Vet-China ist auf die Herstellung und Lieferung von Hochleistungs-Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungen spezialisiert und bietet fortschrittliche Technologien und Produktlösungen für die Halbleiterindustrie. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.


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Tierarzt-ChinaSiliziumkarbid-KeramikCoating ist eine Hochleistungs-Schutzbeschichtung aus extrem hartem und verschleißfestemSiliziumkarbid (SiC)Material, das eine ausgezeichnete chemische Korrosionsbeständigkeit und Hochtemperaturstabilität bietet. Diese Eigenschaften sind in der Halbleiterproduktion von entscheidender Bedeutung, soSiliziumkarbid-Keramikbeschichtungwird häufig in Schlüsselkomponenten von Halbleiterfertigungsanlagen verwendet.

Die besondere Rolle von Vet-ChinaSiliziumkarbid-KeramikDie Beschichtung in der Halbleiterproduktion läuft wie folgt ab:

Verbessern Sie die Haltbarkeit der Ausrüstung:Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung Die Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung bietet dank ihrer extrem hohen Härte und Verschleißfestigkeit einen hervorragenden Oberflächenschutz für Halbleiterfertigungsanlagen. Insbesondere in Hochtemperatur- und stark korrosiven Prozessumgebungen wie der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und dem Plasmaätzen kann die Beschichtung die Oberflächenschäden der Anlage durch chemische Erosion oder physikalischen Verschleiß wirksam verhindern. Dadurch verlängert sich die Lebensdauer der Anlage deutlich und Ausfallzeiten durch häufigen Austausch und Reparaturen werden reduziert.

Verbessern Sie die Prozessreinheit:Im Halbleiterherstellungsprozess können winzige Verunreinigungen zu Produktfehlern führen. Die chemische Inertheit der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung sorgt dafür, dass sie auch unter extremen Bedingungen stabil bleibt. Sie verhindert die Freisetzung von Partikeln oder Verunreinigungen und gewährleistet so die Umweltverträglichkeit des Prozesses. Dies ist besonders wichtig für Fertigungsschritte, die hohe Präzision und Sauberkeit erfordern, wie z. B. PECVD und Ionenimplantation.

Optimieren Sie das Wärmemanagement:Bei der Hochtemperatur-Halbleiterverarbeitung, wie z. B. bei der schnellen thermischen Verarbeitung (RTP) und Oxidationsprozessen, ermöglicht die hohe Wärmeleitfähigkeit der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung eine gleichmäßige Temperaturverteilung innerhalb der Anlage. Dies trägt dazu bei, thermische Spannungen und Materialverformungen durch Temperaturschwankungen zu reduzieren und so die Genauigkeit und Konsistenz der Produktherstellung zu verbessern.

Unterstützung komplexer Prozessumgebungen:Bei Prozessen, die eine komplexe Atmosphärenkontrolle erfordern, wie etwa ICP-Ätzen und PSS-Ätzprozessen, gewährleisten die Stabilität und Oxidationsbeständigkeit der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung, dass die Geräte im Langzeitbetrieb eine stabile Leistung beibehalten und das Risiko einer Materialverschlechterung oder Gerätebeschädigung aufgrund von Umweltveränderungen verringert wird.

Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung
Graphitheizung (4)

Herz-Kreislauf-Erkrankungen SiC薄膜基本物理性能

Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung

性质 / Eigentum

典型数值 / Typischer Wert

晶体结构 / Kristallstruktur

FCC-β-Phase多晶, 主要为(111)取向

密度 / Dichte

3,21 g/cm³

硬度 / Härte

2500 U/min (500 g Ladung)

晶粒大小 / Korngröße

2 bis 10 μm

纯度 / Chemische Reinheit

99,99995 %

热容 / Wärmekapazität

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Sublimationstemperatur

2700℃

抗弯强度 / Biegefestigkeit

415 MPa RT 4-Punkt

杨氏模量 / Elastizitätsmodul

430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃

导热系数 / ThermalLeitfähigkeit

300 W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE)

4,5 × 10-6K-1

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