Vet-ChinaSiliziumkarbid KeramikD'Beschichtung ass eng héich performant Schutzbeschichtung aus extrem haardem a verschleißbeständegem Material.Siliziumkarbid (SiC)Material, dat exzellent chemesch Korrosiounsbeständegkeet a Stabilitéit bei héijen Temperaturen bitt. Dës Eegeschafte si wichteg an der Hallefleederproduktioun, dofirSiliziumkarbid Keramikbeschichtunggëtt wäit verbreet a Schlësselkomponenten vun der Hallefleederproduktiounsausrüstung benotzt.
Déi spezifesch Roll vu Vet-ChinaSiliziumkarbid KeramikD'Beschichtung an der Hallefleederproduktioun ass wéi follegt:
Verbessert d'Haltbarkeet vun der Ausrüstung:Siliziumcarbid-Keramikbeschichtung Siliziumcarbid-Keramikbeschichtung bitt exzellenten Uewerflächenschutz fir Hallefleederproduktiounsausrüstung mat senger extrem héijer Häert a Verschleißbeständegkeet. Besonnesch an héichtemperaturegen an héich korrosive Prozessëmfeld, wéi chemesch Dampfoflagerung (CVD) a Plasmaätzen, kann d'Beschichtung effektiv verhënneren, datt d'Uewerfläch vun der Ausrüstung duerch chemesch Erosioun oder physesch Verschleiung beschiedegt gëtt, wouduerch d'Liewensdauer vun der Ausrüstung däitlech verlängert gëtt an d'Ausfallzäiten, déi duerch heefeg Ersatz a Reparatur verursaacht ginn, reduzéiert ginn.
Prozessreinheet verbesseren:Am Prozess vun der Hallefleederherstellung kann eng kleng Kontaminatioun Produktdefekter verursaachen. Déi chemesch Inertitéit vun der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung erlaabt et, ënner extremen Bedéngungen stabil ze bleiwen, wouduerch d'Material keng Partikelen oder Ongereinheeten fräisetzt, an doduerch d'Ëmweltreinheet vum Prozess garantéiert gëtt. Dëst ass besonnesch wichteg fir Fabrikatiounsschritte mat héijer Präzisioun a Rengheet, wéi z. B. PECVD an Ionenimplantatioun.
Optimiséiert d'Thermomanagement:Bei der Héichtemperatur-Halbleiterveraarbechtung, wéi z. B. beim Schnellthermveraarbechtungsprozess (RTP) an Oxidatiounsprozesser, erméiglecht déi héich Wärmeleitfäegkeet vun der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung eng gläichméisseg Temperaturverdeelung am Ausrüstung. Dëst hëlleft d'thermesch Belaaschtung an d'Materialverformung ze reduzéieren, déi duerch Temperaturschwankungen verursaacht gëtt, wouduerch d'Genauegkeet an d'Konsistenz vun der Produktherstellung verbessert gëtt.
Ënnerstëtzung vu komplexe Prozessëmfeld:A Prozesser, déi komplex Atmosphärkontroll erfuerderen, wéi ICP-Ätze- a PSS-Ätzeprozesser, garantéieren d'Stabilitéit an d'Oxidatiounsbeständegkeet vun der Siliziumcarbid-Keramikbeschichtung, datt d'Ausrüstung eng stabil Leeschtung am laangfristege Betrib behält, wouduerch de Risiko vu Materialverschlechterung oder Ausrüstungsschued duerch Ëmweltännerungen reduzéiert gëtt.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Basis physikalesch Eegeschafte vu CVD SiCBeschichtung | |
| 性质 / Immobilie | 典型数值 / Typesche Wäert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC β Phase多晶,主要为(111) 取向 |
| 密度 / Dicht | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Häert | 2500 维氏硬度(500g Belaaschtung) |
| 晶粒大小 / Kärengréisst | 2~10μm |
| 纯度 / Chemesch Rengheet | 99,99995% |
| 热容 / Hëtztkapazitéit | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimatiounstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegfestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Young säi Modul | 430 Gpa 4pt Bieg, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalKonduktivitéit | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Thermesch Expansioun (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Mir wëllkomm Iech häerzlech wëllkomm fir eis Fabréck ze besichen, loosst eis weider diskutéieren!
-
Harz-impregnéiert Pompel Graphit Wellhülle he ...
-
Naturgrafit-Spiral héichtemperaturbeständeg ...
-
Héichtemperatur- a korrosiounsbeständeg, den ...
-
Héich Rengheet héich Dicht EDM Grafit Block Cor ...
-
Héichtemperaturbeständeg flexibel Graphitsch...
-
D'Fabréck produzéiert héichkonduktiv expandéierbar t ...




