Bersagli di sputteringSò principalmente aduprati in l'industrie di l'elettronica è di l'infurmazione, cum'è i circuiti integrati, u almacenamentu di l'infurmazioni, i display à cristalli liquidi, e memorie laser, i dispositivi di cuntrollu elettronicu, ecc. Puderanu ancu esse aduprati in u campu di u rivestimentu di vetru, è ancu in materiali resistenti à l'usura, resistenza à a corrosione à alta temperatura, prudutti decorativi di alta gamma è altre industrie.
A sputtering hè una di e tecniche principali per a preparazione di materiali à film sottili.Impiega ioni generati da fonti ioniche per accelerà è aggregà in u vacuum per furmà fasci di ioni d'energia à alta velocità, bombardà a superficia solida è scambià energia cinetica trà ioni è atomi di a superficia solida. L'atomi nantu à a superficia solida lascianu u solidu è sò depositati nantu à a superficia di u sustratu. U solidu bombardatu hè a materia prima per deposità film sottili per sputtering, chì hè chjamatu target di sputtering. Diversi tipi di materiali di film sottili sputterizzati sò stati largamente aduprati in circuiti integrati semiconduttori, supporti di registrazione, display à pannellu pianu è rivestimenti di superficia di pezzi di travagliu.
Trà tutte l'industrie d'applicazione, l'industria di i semiconduttori hà i requisiti di qualità più severi per i filmi di sputtering di bersagli. I bersagli di sputtering di metalli di alta purezza sò principalmente aduprati in a fabricazione di wafer è in i prucessi di imballaggio avanzati. Pigliendu a fabricazione di chip cum'è esempiu, pudemu vede chì da un wafer di siliciu à un chip, deve passà per 7 prucessi di pruduzzione principali, vale à dì diffusione (Prucessu Termicu), Foto-litografia (Foto-litografia), Etch (Etch), Impianto Ionicu (IonImplant), Crescita di Film Sottile (Deposizione Dielettrica), Lucidatura Chimica Meccanica (CMP), Metallizzazione (Metalizzazione). I prucessi currispondenu unu per unu. U bersagliu di sputtering hè adupratu in u prucessu di "metallizzazione". U bersagliu hè bombardatu cù particelle ad alta energia da apparecchiature di deposizione di film sottili è dopu un stratu metallicu cù funzioni specifiche hè furmatu nantu à u wafer di siliciu, cum'è u stratu conduttivu, u stratu di barriera. Aspettate. Siccomu i prucessi di tutti i semiconduttori sò variati, allora alcune situazioni occasionali sò necessarie per verificà chì u sistema esiste currettamente, dunque esigemu alcuni tipi di materiali fittizi in certe fasi di pruduzzione per cunfirmà l'effetti.
Data di publicazione: 17 di ghjennaghju di u 2022