Objetivos de pulverización catódica utilizados en circuitos integrados semiconductores

Objetivos de pulverización catódicaSe utilizan principalmente en las industrias electrónica y de la información, como en circuitos integrados, almacenamiento de información, pantallas de cristal líquido, memorias láser, dispositivos de control electrónico, etc. También se pueden utilizar en el campo del recubrimiento de vidrio, así como en materiales resistentes al desgaste, resistencia a la corrosión a altas temperaturas, productos decorativos de alta gama y otras industrias.

Objetivo de pulverización catódica de titanio de alta pureza (99,995 %)Objetivo de pulverización catódica de hierroBlanco de pulverización catódica de carbono C, blanco de grafito

La pulverización catódica es una de las principales técnicas para la preparación de materiales en forma de película delgada.Este proceso utiliza iones generados por fuentes iónicas que se aceleran y agrupan en el vacío para formar haces de iones de alta energía y velocidad. Estos haces bombardean la superficie sólida e intercambian energía cinética con los átomos de dicha superficie. Los átomos de la superficie sólida se desprenden del sólido y se depositan sobre la superficie del sustrato. El sólido bombardeado constituye la materia prima para la deposición de películas delgadas mediante pulverización catódica, denominada blanco de pulverización. Diversos tipos de materiales de película delgada obtenidos por pulverización catódica se han utilizado ampliamente en circuitos integrados semiconductores, soportes de grabación, pantallas planas y recubrimientos de superficies de piezas.

Entre todas las industrias de aplicación, la industria de semiconductores tiene los requisitos de calidad más estrictos para las películas de pulverización catódica. Los objetivos de pulverización catódica de metal de alta pureza se utilizan principalmente en la fabricación de obleas y en procesos de encapsulado avanzados. Tomando como ejemplo la fabricación de chips, podemos ver que desde una oblea de silicio hasta un chip, se necesitan 7 procesos de producción principales, a saber: difusión (Proceso térmico), fotolitografía (Fotolitografía), grabado (Grabado), implantación iónica (Implantación iónica), crecimiento de película delgada (Deposición dieléctrica), pulido químico-mecánico (CMP), metalización (Metalización). Los procesos corresponden uno por uno. El objetivo de pulverización catódica se utiliza en el proceso de "metalización". El objetivo es bombardeado con partículas de alta energía por el equipo de deposición de película delgada y luego se forma una capa metálica con funciones específicas en la oblea de silicio, como capa conductora, capa barrera. Un momento. Dado que los procesos de fabricación de semiconductores son variados, se necesitan ciertas situaciones puntuales para verificar que el sistema funcione correctamente, por lo que requerimos el uso de materiales de prueba en ciertas etapas de la producción para confirmar los efectos.


Fecha de publicación: 17 de enero de 2022
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