Sputterzilergi virun allem an der Elektronik- an Informatiounsindustrie benotzt, wéi z. B. integréiert Schaltungen, Informatiounsspeicher, Flëssegkristalldisplays, Laserspeicher, elektronesch Kontrollgeräter, etc. Si kënnen och am Beräich vun der Glasbeschichtung, souwéi a verschleißbeständege Materialien, Héichtemperaturkorrosiounsbeständegkeet, High-End-Dekoratiounsprodukter an aner Industrien agesat ginn.
Sputtering ass eng vun den Haapttechnike fir d'Virbereedung vun Dënnfilmmaterialien.Et benotzt Ionen, déi vun Ionenquellen generéiert ginn, fir sech am Vakuum ze beschleunegen an ze aggregéieren, fir héichgeschwindeg Energie-Ionenstralen ze bilden, déi fest Uewerfläch ze bombardéieren an kinetesch Energie tëscht Ionen an Atomer vun der fester Uewerfläch auszetauschen. D'Atomer op der fester Uewerfläch verloossen de Feststoff a ginn op der Uewerfläch vum Substrat ofgesat. De bombardéierte Feststoff ass d'Rohmaterial fir d'Oflagerung vun Dënnschichten duerch Sputtering, wat Sputtering-Zil genannt gëtt. Verschidden Aarte vu gesputterte Dënnschichtmaterialien gi wäit verbreet an integréierte Hallefleiterschaltungen, Opnammedien, Flachbildschirmer a Beschichtunge vu Werkstéckoberflächen agesat.
Ënnert all den Uwendungsindustrien huet d'Halbleiterindustrie déi strengst Qualitéitsufuerderunge fir Zil-Sputterfilmer. Héichreine Metall-Sputterfilmer ginn haaptsächlech an der Waferherstellung a fortgeschrattene Verpackungsprozesser benotzt. Wa mir d'Chipherstellung als Beispill huelen, kënne mir gesinn, datt vun engem Siliziumwafer bis zu engem Chip 7 Haaptproduktiounsprozesser muss duerchlafen, nämlech Diffusioun (Thermoprozess), Photolithographie (Photo-lithographie), Ätzen (Etch), Ionenimplantatioun (IonImplant), Dënnschichtwuesstem (Dielektresch Oflagerung), Chemesch-Mechanesch Polieren (CMP), Metalliséierung (Metalliséierung). D'Prozesser korrespondéieren een nom aneren. D'Sputterfilm gëtt am Prozess vun der "Metalliséierung" benotzt. D'Zil gëtt mat héichenergetesche Partikelen duerch Dënnschichtoflagerungsausrüstung bombardéiert an dann gëtt eng Metallschicht mat spezifesche Funktiounen op der Siliziumwafer geformt, wéi z. B. leetend Schicht, Barrièreschicht. Waart. Well d'Prozesser vun de gesamte Hallefleiter variéieren, sinn heiansdo Situatiounen néideg fir ze verifizéieren, datt de System korrekt existéiert, dofir verlaange mir verschidden Aarte vun Dummy-Materialien a bestëmmte Produktiounsstadien, fir d'Effekter ze bestätegen.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 17. Januar 2022