Scopi sputteringPraecipue in industriis electronicis et informationis adhibentur, ut in circuitibus integratis, repositoriis informationis, ostensionibus crystalli liquidi, memoriis lasericis, instrumentis electronicis moderandis, et cetera. Etiam in agro tegumentorum vitri, necnon in materiis resistentibus attritioni, resistentia corrosionis altae temperaturae, productis decorativis summae qualitatis, aliisque industriis adhiberi possunt.
Sputtering est una ex praecipuis artibus ad materias pellicularum tenuium praeparandas.Ionibus a fontibus ionum generatis utitur ad accelerandum et aggregandum in vacuo, ut fasciculos ionum energiae celeris formet, superficiem solidam bombardat, et energiam cineticam inter iones et atomos superficiei solidae permutet. Atomi in superficie solida solidum relinquunt et in superficie substrati deponuntur. Solidum bombardatum est materia prima ad deponendas pelliculas tenues per pulverisationem cathodicam, quae "sputtering target" appellatur. Varia genera materiarum pellicularum tenuium pulverisationis cathodicae late adhibita sunt in circuitibus integratis semiconductorum, mediis inscriptionis, monitoribus planis et tegumentis superficierum materiarum.
Inter omnes industrias applicationum, industria semiconductorum severissimas qualitatis normas habet pro pelliculis scoporum ad sputtering. Scopi metallorum altae puritatis ad sputtering imprimis in fabricatione laminarum metallicarum et processibus involucri provectis adhibentur. Exemplo fabricationis microplagularum sumpto, videre possumus a lamina silicii ad microplagulam, septem processus productionis principales transire debere, scilicet diffusionem (Processum Thermale), Photolithographiam (Photo-lithographia), Corrosionem (Etch), Implantationem Ionum (IonImplant), Crescentiam Pelliculae Tenuis (Depositionem Dielectricam), Polituram Chemicam Mechanicam (CMP), Metallizationem (Metalization). Processus singuli respondent. Scopus sputtering in processu "metallizationis" adhibetur. Scopus particulis altae energiae per apparatum depositionis pelliculae tenuis bombardatur, deinde stratum metallicum cum functionibus specificis in lamina silicii formatur, ut stratum conductivum, stratum impedimentum. Exspecta. Cum processus totius semiconductorum varii sint, quaedam occasionales condiciones necessariae sunt ad verificandum systema recte existere, itaque quaedam genera materiarum fictarum in certis stadiis productionis postulamus ad effectus confirmandos.
Tempus publicationis: XVII Ianuarii MMXXII