ඉසින ඉලක්කඒකාබද්ධ පරිපථ, තොරතුරු ගබඩා කිරීම, ද්රව ස්ඵටික සංදර්ශක, ලේසර් මතකයන්, ඉලෙක්ට්රොනික පාලන උපාංග යනාදී ඉලෙක්ට්රොනික සහ තොරතුරු කර්මාන්තවල ප්රධාන වශයෙන් භාවිතා වේ. ඒවා වීදුරු ආලේපන ක්ෂේත්රයේ මෙන්ම ඇඳුම්-ප්රතිරෝධී ද්රව්ය, ඉහළ උෂ්ණත්ව විඛාදන ප්රතිරෝධය, ඉහළ මට්ටමේ අලංකාර නිෂ්පාදන සහ අනෙකුත් කර්මාන්තවල ද භාවිතා කළ හැකිය.
තුනී පටල ද්රව්ය සකස් කිරීමේ ප්රධාන ශිල්පීය ක්රමයක් වන්නේ ඉසීමයි.එය අයන ප්රභවයන් මගින් ජනනය වන අයන භාවිතා කරමින් රික්තයක් තුළ වේගවත් කර එකතු කර අධිවේගී ශක්ති අයන කදම්භ සෑදීමට, ඝන පෘෂ්ඨයට බෝම්බ හෙලීමට සහ අයන සහ ඝන මතුපිට පරමාණු අතර චාලක ශක්තිය හුවමාරු කර ගැනීමට භාවිතා කරයි. ඝන පෘෂ්ඨයේ ඇති පරමාණු ඝනයෙන් ඉවත් වී උපස්ථරයේ මතුපිට තැන්පත් වේ. බෝම්බ හෙලන ලද ඝන ද්රව්යය යනු ස්පුටරින් මගින් තුනී පටල තැන්පත් කිරීම සඳහා අමුද්රව්ය වන අතර එය ස්පුටරින් ඉලක්කය ලෙස හැඳින්වේ. අර්ධ සන්නායක ඒකාබද්ධ පරිපථ, පටිගත කිරීමේ මාධ්ය, පැතලි පැනල් සංදර්ශක සහ වැඩ කොටස් මතුපිට ආලේපනවල විවිධ වර්ගයේ ස්පුටර් කරන ලද තුනී පටල ද්රව්ය බහුලව භාවිතා කර ඇත.
සියලුම යෙදුම් කර්මාන්ත අතර, ඉලක්කගත ඉසින පටල සඳහා වඩාත්ම දැඩි ගුණාත්මක අවශ්යතා අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තයට ඇත. ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් ලෝහ ඉසින ඉලක්ක ප්රධාන වශයෙන් වේෆර් නිෂ්පාදනය සහ උසස් ඇසුරුම් ක්රියාවලීන්හි භාවිතා වේ. චිප් නිෂ්පාදනය උදාහරණයක් ලෙස ගතහොත්, සිලිකන් වේෆරයක සිට චිපයක් දක්වා එය හරහා යා යුතු බව අපට දැකගත හැකිය 7 ප්රධාන නිෂ්පාදන ක්රියාවලීන්, එනම් විසරණය (තාප ක්රියාවලිය), ඡායාරූප-ලිතෝග්රැෆි (ඡායාරූප-ලිතෝග්රැෆි), එට්ච් (එට්ච්), අයන බද්ධ කිරීම (අයන බද්ධ කිරීම), තුනී පටල වර්ධනය (ඩයලෙක්ට්රික් තැන්පත් කිරීම), රසායනික යාන්ත්රික ඔප දැමීම (CMP), ලෝහකරණය (ලෝහකරණය) ක්රියාවලීන් එකින් එක අනුරූප වේ. "ලෝහකරණය" ක්රියාවලියේදී ඉසින ඉලක්කය භාවිතා වේ. තුනී පටල තැන්පත් කිරීමේ උපකරණ මගින් ඉලක්කය අධි ශක්ති අංශු සමඟ බෝම්බ හෙලන අතර පසුව සන්නායක ස්ථරය වැනි සිලිකන් වේෆරය මත නිශ්චිත කාර්යයන් සහිත ලෝහ තට්ටුවක් සාදනු ලැබේ, බාධක ස්ථරය. ඉන්න. සම්පූර්ණ අර්ධ සන්නායකවල ක්රියාවලීන් විවිධාකාර බැවින්, පද්ධතිය නිවැරදිව පවතින බව සත්යාපනය කිරීම සඳහා සමහර අවස්ථා අවශ්ය වේ, එබැවින් බලපෑම් තහවුරු කිරීම සඳහා නිෂ්පාදනයේ ඇතැම් අවස්ථා වලදී අපි යම් ආකාරයක ව්යාජ ද්රව්ය ඉල්ලා සිටිමු.
පළ කිරීමේ කාලය: ජනවාරි-17-2022