SiC-beschichtetes Graphit-Halbmondteilist eine Schlüsselkomponente in der Halbleiterherstellung, insbesondere für SiC-Epitaxieanlagen. Ihr struktureller Aufbau und ihre Materialeigenschaften bestimmen direkt die Qualität und Produktionseffizienz epitaktischer Wafer.
Aufbau der Reaktionskammer:
Der Halbmondteil besteht aus zwei Teilen, dem oberen und dem unteren Teil, die zusammengeknickt sind, um eine geschlossene Wachstumskammer zu bilden, die das Siliziumkarbidsubstrat (normalerweise 4H-SiC oder 6H-SiC) aufnimmt und das Wachstum der epitaktischen Schicht durch präzise Steuerung des Gasströmungsfelds (wie etwa eine Mischung aus SiH₄, C₃H₈ und H₂) erreicht.
Temperaturfeldregelung:
Die hochreine Graphitbasis in Kombination mit der Induktionsheizspule kann die Kammertemperatur bei einer hohen Temperatur von 1500–1700 °C gleichmäßig (innerhalb von ±5 °C) halten, um die Konsistenz der Dicke der epitaktischen Schicht sicherzustellen.
Luftstromführung:
Durch die Gestaltung der Position des Lufteinlasses und -auslasses (z. B. des seitlichen Lufteinlasses und des oberen Luftauslasses des horizontalen Ofenkörpers) wird der laminare Reaktionsgasstrom durch die Substratoberfläche geleitet, um durch Turbulenzen verursachte Wachstumsdefekte zu reduzieren.
Basismaterial: hochreiner Graphit
Reinheitsanforderungen:Kohlenstoffgehalt ≥99,99 %, Aschegehalt ≤5 ppm, um sicherzustellen, dass keine Verunreinigungen ausfallen, die die epitaktische Schicht bei hohen Temperaturen verunreinigen.
Leistungsvorteile:
Hohe Wärmeleitfähigkeit:Die Wärmeleitfähigkeit bei Raumtemperatur erreicht 150 W/(m·K), was nahe an dem Niveau von Kupfer liegt und Wärme schnell übertragen kann.
Niedriger Ausdehnungskoeffizient:5×10-6/℃ (25-1000℃), passend zum Siliziumkarbidsubstrat (4,2×10-6/℃), wodurch die durch thermische Spannung verursachte Rissbildung der Beschichtung verringert wird.
Verarbeitungsgenauigkeit:Durch CNC-Bearbeitung wird eine Maßtoleranz von ±0,05 mm erreicht, um die Abdichtung der Kammer zu gewährleisten.
Differenzierte Anwendungen von CVD SiC und CVD TaC
| Beschichtung | Verfahren | Vergleich | Typische Anwendung |
| CVD-SiC | Temperatur: 1000–1200 °C. Druck: 10–100 Torr. | Härte HV2500, Dicke 50–100 µm, ausgezeichnete Oxidationsbeständigkeit (stabil unter 1600 °C) | Universelle Epitaxieöfen, geeignet für konventionelle Atmosphären wie Wasserstoff und Silan |
| CVD-TaC | Temperatur: 1600–1800 °C. Druck: 1–10 Torr. | Härte HV3000, Dicke 20–50 µm, extrem korrosionsbeständig (hält korrosiven Gasen wie HCl, NH₃ usw. stand) | Hochkorrosive Umgebungen (wie z. B. GaN-Epitaxie- und Ätzgeräte) oder spezielle Prozesse, die ultrahohe Temperaturen von 2600 °C erfordern |
VET Energy ist ein professioneller Hersteller, der sich auf die Forschung und Entwicklung sowie die Produktion hochwertiger, fortschrittlicher Materialien wie Graphit, Siliziumkarbid und Quarz sowie auf die Materialbehandlung wie SiC-Beschichtung, TaC-Beschichtung, Glaskohlenstoffbeschichtung, pyrolytische Kohlenstoffbeschichtung usw. konzentriert. Die Produkte finden breite Anwendung in der Photovoltaik, Halbleiterindustrie, neuen Energien, Metallurgie usw.
Unser technisches Team kommt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann Ihnen professionellere Materiallösungen bieten.
Zu den Vorteilen von VET Energy gehören:
• Eigene Fabrik und professionelles Labor;
• Branchenführende Reinheitsgrade und Qualität;
• Konkurrenzfähiger Preis und schnelle Lieferzeit;
• Zahlreiche Branchenpartnerschaften weltweit;
Wir heißen Sie jederzeit herzlich willkommen, unsere Fabrik und unser Labor zu besuchen!
-
Korrosionsbeständiger, hochwertiger Glaskohlenstoff ...
-
Wafer-Suszeptor mit TaC-Beschichtung für G5 G10
-
Werkseitig angepasstes Tantalkarbid-Beschichtungsteil
-
Siliziumkarbidbeschichteter Graphitsuszeptor für L...
-
Halbmondteil mit Tantalcarbid-Beschichtung
-
Poröser, mit Tantalcarbid beschichteter Zylinder











