Полукруглая деталь и узел с покрытием из SiC-графита для эпитаксии SiC

Полукруглая деталь из графита с покрытием из карбида кремнияЭто ключевой компонент, используемый в процессах производства полупроводников, особенно в оборудовании для эпитаксиального осаждения SiC. Его структурная конструкция и свойства материала напрямую определяют качество и эффективность производства эпитаксиальных пластин.

Конструкция реакционной камеры:
Полукруглая часть состоит из двух частей, верхней и нижней, которые соединены вместе, образуя закрытую камеру роста, в которой размещается подложка из карбида кремния (обычно 4H-SiC или 6H-SiC) и осуществляется эпитаксиальный рост слоев путем точного контроля поля потока газа (например, смеси SiH₄, C₃H₈ и H₂).
Регулирование температурного поля:
Высокочистая графитовая основа в сочетании с индукционной нагревательной катушкой позволяет поддерживать равномерность температуры в камере (в пределах ±5°C) при высокой температуре 1500-1700°C, обеспечивая постоянство толщины эпитаксиального слоя.
Рекомендации по организации воздушного потока:
Благодаря продуманному расположению воздухозаборника и воздуховыпускного отверстия (например, бокового воздухозаборника и верхнего воздуховыпускного отверстия горизонтального корпуса печи), ламинарный поток реакционного газа направляется через поверхность подложки, что позволяет уменьшить дефекты роста, вызванные турбулентностью.

Основной материал: графит высокой чистоты
Требования к чистоте:Содержание углерода ≥99,99%, содержание золы ≤5 ppm, чтобы исключить осаждение примесей, загрязняющих эпитаксиальный слой при высоких температурах.
Преимущества в производительности:
Высокая теплопроводность:Теплопроводность при комнатной температуре достигает 150 Вт/(м·К), что близко к уровню меди и позволяет быстро передавать тепло.
Низкий коэффициент расширения:5×10^-6/℃ (25-1000℃), соответствующий подложке из карбида кремния (4,2×10^-6/℃), уменьшая растрескивание покрытия, вызванное термическим напряжением.
Точность обработки:Благодаря обработке на станках с ЧПУ достигается допуск по размерам ±0,05 мм, что обеспечивает герметичность камеры.

Различные области применения CVD SiC и CVD TaC