Деталь полумесяца из графита с покрытием SiCявляется ключевым компонентом, используемым в процессах производства полупроводников, особенно для оборудования SiC epitaxis. Его структурная конструкция и свойства материала напрямую определяют качество и эффективность производства эпитаксиальных пластин.
Конструкция реакционной камеры:
Полумесяцеобразная часть состоит из двух частей, верхней и нижней, которые соединены вместе, образуя закрытую камеру роста, в которой размещается подложка из карбида кремния (обычно 4H-SiC или 6H-SiC) и достигается рост эпитаксиального слоя за счет точного управления полем потока газа (например, смесью SiH₄, C₃H₈ и H₂).
Регулировка температурного поля:
Основа из высокочистого графита в сочетании с индукционной нагревательной катушкой позволяет поддерживать однородность температуры в камере (в пределах ±5°C) при высокой температуре 1500-1700°C, обеспечивая постоянство толщины эпитаксиального слоя.
Направление воздушного потока:
Благодаря проектированию положения впускного и выпускного отверстий для воздуха (например, бокового впускного отверстия и верхнего выпускного отверстия для воздуха горизонтального корпуса печи) ламинарный поток реакционного газа направляется через поверхность подложки, что позволяет уменьшить дефекты роста, вызванные турбулентностью.
Основной материал: графит высокой чистоты
Требования к чистоте:Содержание углерода ≥99,99%, содержание золы ≤5 ppm, чтобы гарантировать отсутствие осаждения примесей, загрязняющих эпитаксиальный слой при высоких температурах.
Преимущества производительности:
Высокая теплопроводность:Теплопроводность при комнатной температуре достигает 150 Вт/(м・К), что близко к уровню меди и позволяет быстро передавать тепло.
Низкий коэффициент расширения:5×10-6/℃ (25-1000℃), что соответствует подложке из карбида кремния (4,2×10-6/℃), что снижает растрескивание покрытия, вызванное термическим напряжением.
Точность обработки:Допуск размеров ±0,05 мм достигается за счет обработки на станке с ЧПУ, что обеспечивает герметичность камеры.
Дифференцированное применение CVD SiC и CVD TaC
| Покрытие | Процесс | Сравнение | Типичное применение |
| CVD-SiC | Температура: 1000-1200℃Давление: 10-100 Торр | Твердость HV2500, толщина 50-100 мкм, отличная стойкость к окислению (стабильна при температуре ниже 1600 ℃) | Универсальные эпитаксиальные печи, подходящие для обычных атмосфер, таких как водород и силан |
| CVD-TaC | Температура: 1600-1800℃Давление: 1-10 Торр | Твердость HV3000, толщина 20-50 мкм, чрезвычайно устойчив к коррозии (может выдерживать едкие газы, такие как HCl, NH₃ и т. д.) | Высококоррозионные среды (например, оборудование для эпитаксии и травления GaN) или специальные процессы, требующие сверхвысоких температур 2600°C |
VET Energy — профессиональный производитель, специализирующийся на исследованиях, разработках и производстве высокотехнологичных современных материалов, таких как графит, карбид кремния, кварц, а также на обработке материалов, такой как покрытие SiC, покрытие TaC, стеклоуглеродное покрытие, пиролитическое углеродное покрытие и т. д. Продукция широко используется в фотоэлектрической, полупроводниковой, новой энергетике, металлургии и т. д.
Наша техническая команда состоит из ведущих отечественных научно-исследовательских институтов и может предложить вам более профессиональные решения в области материалов.
Преимущества VET Energy включают в себя:
• Собственный завод и профессиональная лаборатория;
• Лидирующие в отрасли уровни чистоты и качества;
• Конкурентоспособная цена и быстрые сроки доставки;
• Множество отраслевых партнерств по всему миру;
Приглашаем Вас посетить наш завод и лабораторию в любое время!
-
Коррозионностойкий высококачественный стеклоуглерод...
-
Пластина-приемник с покрытием TaC для G5 G10
-
Деталь с покрытием из карбида тантала, изготовленная на заводе
-
Графитовый токоприемник с покрытием из карбида кремния для...
-
Деталь в форме полумесяца с покрытием из карбида тантала
-
Ствол с пористым покрытием из карбида тантала











