Pieza de grafito semicircular recubierta de SiCEs un componente clave utilizado en los procesos de fabricación de semiconductores, especialmente en los equipos epitaxiales de SiC. Su diseño estructural y las propiedades de sus materiales determinan directamente la calidad y la eficiencia de producción de las obleas epitaxiales.
Construcción de la cámara de reacción:
La parte en forma de media luna se compone de dos partes, la superior y la inferior, que se unen para formar una cámara de crecimiento cerrada, que aloja el sustrato de carburo de silicio (generalmente 4H-SiC o 6H-SiC) y logra el crecimiento de capas epitaxiales controlando con precisión el campo de flujo de gas (como una mezcla de SiH₄, C₃H₈ y H₂).
Regulación de la temperatura en campo:
La base de grafito de alta pureza, combinada con la bobina de calentamiento por inducción, permite mantener la uniformidad de la temperatura de la cámara (dentro de ±5 °C) a una temperatura elevada de 1500-1700 °C para garantizar la consistencia del espesor de la capa epitaxial.
Guía del flujo de aire:
Mediante el diseño de la posición de la entrada y la salida de aire (como la entrada de aire lateral y la salida de aire superior del cuerpo horizontal del horno), el flujo laminar del gas de reacción se guía a través de la superficie del sustrato para reducir los defectos de crecimiento causados por la turbulencia.
Material base: grafito de alta pureza
Requisitos de pureza:Contenido de carbono ≥99,99%, contenido de cenizas ≤5 ppm, para garantizar que no se precipiten impurezas que contaminen la capa epitaxial a altas temperaturas.
Ventajas de rendimiento:
Alta conductividad térmica:La conductividad térmica a temperatura ambiente alcanza los 150 W/(m·K), un valor cercano al del cobre, lo que permite una rápida transferencia de calor.
Coeficiente de expansión bajo:5×10-6/℃ (25-1000℃), que coincide con el sustrato de carburo de silicio (4,2×10-6/℃), reduciendo el agrietamiento del recubrimiento causado por el estrés térmico.
Precisión del procesamiento:Mediante mecanizado CNC se consigue una tolerancia dimensional de ±0,05 mm para garantizar el sellado de la cámara.
Aplicaciones diferenciadas de SiC CVD y TaC CVD
| Revestimiento | Proceso | Comparación | Aplicación típica |
| SiC CVD | Temperatura: 1000-1200℃Presión: 10-100 Torr | Dureza HV2500, espesor 50-100 µm, excelente resistencia a la oxidación (estable por debajo de 1600 ℃). | Hornos epitaxiales universales, aptos para atmósferas convencionales como hidrógeno y silano. |
| CVD-TaC | Temperatura: 1600-1800℃Presión: 1-10 Torr | Dureza HV3000, espesor de 20-50 µm, extremadamente resistente a la corrosión (puede soportar gases corrosivos como HCl, NH₃, etc.). | Entornos altamente corrosivos (como los equipos de epitaxia y grabado de GaN) o procesos especiales que requieren temperaturas ultra altas de 2600 °C. |
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