Pieza y conjunto de media luna de grafito recubierto de SiC para epitaxia de SiC

Pieza de media luna de grafito recubierta de SiCEs un componente clave en los procesos de fabricación de semiconductores, especialmente para equipos epitaxiales de SiC. Su diseño estructural y las propiedades del material determinan directamente la calidad y la eficiencia de producción de las obleas epitaxiales.

Construcción de la cámara de reacción:
La parte de media luna se compone de dos partes, la superior y la inferior, que se unen para formar una cámara de crecimiento cerrada, que acomoda el sustrato de carburo de silicio (generalmente 4H-SiC o 6H-SiC) y logra el crecimiento de la capa epitaxial controlando con precisión el campo de flujo de gas (como una mezcla de SiH₄, C₃H₈ y H₂).
Regulación del campo de temperatura:
La base de grafito de alta pureza combinada con la bobina de calentamiento por inducción puede mantener la uniformidad de la temperatura de la cámara (dentro de ±5 °C) a una temperatura alta de 1500-1700 °C para garantizar la consistencia del espesor de la capa epitaxial.
Guía del flujo de aire:
Al diseñar la posición de la entrada y salida de aire (como la entrada de aire lateral y la salida de aire superior del cuerpo del horno horizontal), el flujo laminar del gas de reacción se guía a través de la superficie del sustrato para reducir los defectos de crecimiento causados ​​por la turbulencia.

Material base: grafito de alta pureza
Requisitos de pureza:Contenido de carbono ≥99,99%, contenido de cenizas ≤5 ppm, para garantizar que no se precipiten impurezas que contaminen la capa epitaxial a altas temperaturas.
Ventajas de rendimiento:
Alta conductividad térmica:La conductividad térmica a temperatura ambiente alcanza los 150 W/(m・K), que está cerca del nivel del cobre y puede transferir calor rápidamente.
Coeficiente de expansión bajo:5×10^-6/℃ (25-1000℃), que coincide con el sustrato de carburo de silicio (4,2×10^-6/℃), reduciendo el agrietamiento del recubrimiento causado por el estrés térmico.
Precisión de procesamiento:Se consigue una tolerancia dimensional de ±0,05 mm mediante mecanizado CNC para garantizar el sellado de la cámara.

Aplicaciones diferenciadas de CVD SiC y CVD TaC